Смарышева

Номер патента: 643447

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Борисов, Кузнецова, Маркова, Смарышева, Ярмолинская

МПК: C03C 3/10

Метки: стекло

...на подложках из натрий- известкового стекла. Толщина полученной пленки составлила 1 О 12 мкм. Вжнгание пасты производили при 540 С в течение 15 мнн, 30В процессе термообработки стекло рае плавлилось, смачивало подложку и металлические частицы пасты, растекалось по поверхности подложки и обеспечивало спекание покрытии при 540 С.3Покрытие получалось сплошное, без трещину пузырей и раковин. Поливинилбутиловыйэфир с молекуларнымвесом ЗООО 15,0Винилбутиловый эфир 5,0Пасту использовали дли получении ди электрического слои методом толстопле ночной технологии на подложку с проводниковой разводкой. Полученный слой тол шиной 40 мкм после термообработки прио510 С в течение 1 Ь мин приобретал вид ровного плотного стеклинного,покрытияэ имеющего...

Номер патента: 258544

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Маркова, Смарышева

МПК: C03C 3/074

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло

...содержаЫОз 15; ВзОз б; Хпдо 0,3; Т 10 до 0,5;ратуру оплавления5 ное сопротивление101 з ом см, что гарприбора при повышфициент линейноготурах 20 в 2 С 74О мическую при повыдм ет изобретен и Стекло для защить боров, включающее 15 Т 10 з, А 1,0 з, отличаю повышения химическ держит указанные соотношениях (в вес 14 - 15; ВзОз 5 - 6; 20 А 1 Оз до 0,3 и, кро 1 - 4;МпО 1 - 5.Изобретение может быть использовано для защиты активной части полупроводниковых приборов, например кремниевых плана рных транзисторов, от внешних воздействий.Известно стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, 510 з, ВзОз, СцО, ТОз, А 1 зОзЦель изобретения - повысить хиустойчивость во влажной атмосферешенных температурах.Это достигается тем, что оно...