Способ измерения теплового сопротивления ) —г-переходов полупроводниковых приборов

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Номер патента: 584263

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Котовщиков, Орлов, Широков

МПК: G01R 27/00

Метки: контакта, металлизированных, переходов, печатных, плат, приборах, сопротивлений

...результатов вследствие возможности некачественного контактирования или отсутствия контакта между одним (или более) щупом и печатной платой.С целью повышения точности измерения предлагаемое устройство снабжено двумя ключами, выпрямителем, элементом ИЛИ, индикатором и фильтром верхних частот, выход которого через выпрямитель и первый ключ подсоединен к первому входу элемента ИЛИ, выход соединен с индикатором, а усилитель подключен ко входу фильтра верхних частот и через второй ключ - ко второму входу элемента ИЛИ. 15 Для работы устройства применен источниктока с ограничением по амплитуде на частоте питания сети. В случае обрыва или некачественного контакта на выходе усилителя измеряемый сигнал или полностью отсутствует, 20 или...

Номер патента: 779911

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Задорожный, Лихтцинтер, Шпилевой

МПК: G01R 27/00

Метки: двухполюсников, емкости, перехода, полупроводниковых, р-п, сопротивления, шунтирующем, элементов

...в цепи обратной 20связи операционного усилителя 19,блок20 фазочувствительных детекторов сотсчетными устройствами,Устройство работает следующим образом.Источник 1 вырабатывает переменноенапряжение фиксированной частоты, которое через делитель частоты 2, управляемый программным устройством (ПУ),поступает на стабилизатор 3. Применение управляемого делителя частоты 2 З 0позволяет выбрать рабОчую частоту исходя иэ предполагаемой величины измеряемой емкости 16 и выполняется путем подачи соответствующего кода от(ПУ) для обеспечения работы операционного усилителя 19 на линейномучастке характеристики .Напряжение на выходе суммирующегоусилителя 14 образуется в результатесуййирования выходных напряжений, поданных соответственно на входы 9 и110:...

Номер патента: 150939

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Алешков, Сахаров, Юдович

МПК: G01N 13/00

Метки: нагрузкой, находящихся, перехода, полупроводниковых, приборов, температуры, электронно-дырочного

...перехода и состоит из: генератора 5 импульсов, импульсного осциллографа б и устройства 7, включающего делитель, ограничитель и переключатель.Прерыватель т синхронизован с трансформатором таким образом,что он пропускает ток в прямой полупериод и разрывает силовую цепьпри прохождении прямого тока через нуль, обесточивая ис ледуемыйвентиль 1 в течение всего обратного полупериода,С трансформатором 2 синхронизован также генератор 5 импульсовЗапуск его происходит по истечении некоторого времени после р ррмат бум УОХ 08/1 ирак150иий и открытий и.1 оГ1 о . иЛак 102 11,ЯИ изд. с 4 кои ГХСР о и.и и ки, 11 ирииа 1 ни 1 ка 14 п(ни 51 прохождения )рямого тока через вентиль т с тем, чтобы Б иссл(.- дуемом приооре закончились переходные...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нагрева, полупроводниковых, приборов, структур

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...