Стекло для защиты полупроводниковых приборов

Номер патента: 881028

Авторы: Ганф, Рза-Заде, Шустер

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ Сфвз Сфветскни Соцнапнстнческнк Респубпнк(23) Приоритет Государственный комитет СССР ио делан изобретений н открытнЙ.4 (0888) Дата опубликования описания 151181(72) Авторы изобретения П.Ф.Рза-заде, Н.С.Шустер и К.Л.Ганф Институт неорганической и физической химииАН Азербайджанской ССР(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВИзобретение относится .к составамлегкоплавких стекол, используемыхв микроэлектронике для стабилизациии защиты полупроводниковых приборов.Известно стекло, 11, содержащее,вес.6:еРЬО 74-94В Ов 2-10Со,105 0,2-2 10и по крайней мере один окисел иэ группы Сао, Ьго, Вао, Сдо, НОВ,В 10 5-15,Это стекло используется для пропитки ЦТС-керамики и не преднаэначе.=но для защиты полупроводниковых приборов,Наиболее близким к йредложенномупо технической сущности и достигаемому результату является состав стекла 21 для защиты полупроводниковых 20приборов, содержащий, вес.Ъ РЬО65-76, 3108-14, В 05 6 "10, Т 101 "3, СОО 1 "4, 2 по 0,2-4.Это стекло характеризуется,повышенной влагостойкостью (гидролитичес-ккй класс стойкости 1), необходимойадгеэией и согласованностью с коэффициентом линейного термического расширения полупроводниковых материалов 30(с(,=82-87 10 в "-), низкой кристаллиград фзацнонной способностью.Однако температура оплавления ука.эанного стекла недостаточно низка (Т.пл.=410+10), удельное сопротивле 11:ние при 200 оС недостаточно высоко ,Ч 1 у(1-4) 10 Ом см, концентрация заряда в поверхностях состоящих МДП- транзистора, при нанесении в качестве стабилизирующего и изолирующего слоя данного стекла высока Иу 8- -9,5)101 1/см что не обеспечивает достаточно высокой стабильности параметров прибора.Целью изобретения является сниже-. ние температуры плавления стекла, повышение удельного сопротивления и улучшение стабилизирующих свойств,Эта цель достигается тем, что стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, ВО, дополнительно содержит 810 Ь, А 10 при следующем Соотношении компонентов, вес.ЪгРЬО 73,18-87,34В,О 574-6,86В 1 ЙО 5,1-20,68д 10 Ъ 0,2-0,7(р д(,ХО м см 20-30 НВВ град 390 365 320 380 360 320 370 330 305 10 ф 9 10 В 8 10 7 87,34 6,86 5,1 О,82,.5 6,5 10,8 О,73,18 5,74 20,68 О,5 109 3 106 ф 109 410810 5 106 15 3 17 5 ЗО формула изобретения защиты полупроводниковключающее РЬО, ВОЗ, 35щ е е с я тем, что, стемпературы оплавления,ьного сопротивления иилизирующих свойств,льно содержит В 10 3 и 40 Стекло для вых приборов, отличаю целью снижени повышения уде улучшения ста оно дополните Составитель С.БелобоковТехред М.Голинка аедактор П.Коссей Корректор М.Демчик,55/38 Тираж 523 ВНИИПИ Государственного комитета С по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набПодписноСР каз лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная,4 Варку стекол осуществляют в платиновых тиглях в электропечах при 900- 1000 ОС 3 ч. В качестве исходного сырья используют окислы элементов с маркой "ч.д.а".гДля получения пленки разработанного стекла, его перетирают в порошок с размером зерен порядка 0,2 мкм, в дальнейшем наносят на поверхность и ,сплавляют с выдерживанием при температуре оплавления 370-390 ф С 20- 30 мин. " Конкретные составы стекол и их свойства приведены в таблице. Кристаллизация стекол данногосостава отсутствует при выдерживании их 160 ч при 350-400 С.По своей химической устойчивостив воде стекла относятся к первому гидролитическому классу потери 0,08 вес.Ъ ГОСТ 10134-62) . Применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позволяет получить покрытия с достаточно низкой температурой оплавления, высоким удельным сопротивлением и стабилизирующими свойствами, что благоприятствует их использованию и технологии герметизации МДП-транзистора и позволяет уменьшить дрейф пара метров прибора. А 1 0 при следующем соотношении компойейтов, вес.Ъ: РЬО 73,18-87,34; ВО 5,74-6,86; В 105,1-20,68; А 1 10 0,2-0 р 7.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР В 425857, кл. С 03 С 3/12, 1972.2. Авторское свидетельство СССР Р 543625, кл. С 03 С 3/10, 1975.

Смотреть

Заявка

2851081, 21.12.1979

ИНСТИТУТ НЕОРГАНИЧЕСКОЙ И ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ АН АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ ССР

РЗА-ЗАДЕ ПЮСТА ФАРАМАЗ КЫЗЫ, ШУСТЕР НИКОЛАЙ СЕМЕНОВИЧ, ГАНФ КЛАРА ЛЬВОВНА

МПК / Метки

МПК: C03C 3/12

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло

Опубликовано: 15.11.1981

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-881028-steklo-dlya-zashhity-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Стекло для защиты полупроводниковых приборов</a>

Похожие патенты