Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов

г аСЕсоюзндет 1 АТЕМф Ю:КЛя О и йСА"М"И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Соввтсиих Сциалмстйчвсиих республик(61) Дополнительное к авт, свил-ву (22) Заявлено 29.03,76 (2) 2338705/18-25 с присоединением заявкиг51) И. Кл,6 О 1 й 3126 оеудеретееиивб комитет СССР ие делам изебретеиий и еткритий(72) Автор изобретения Ры скин Заявител 4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРО Устройство предназначено для отбраковки полупроводниковых приборов, например, транзисторов, в процессе их изготовления. ется повышение точное бракойки, а также упЦелью изобретения явти и производительностиращение устройства.,олговременной электцелью отбраковкичник тока эмиттерактора, а также цепи Известны устроиства для д ротренировки транзисторов с ненадежных, содержащие ист и источник напряжения колл контроля режимов 11, ляет аемо полупроводниковых чники тока эмиттера ти, ген овое у лемент пам ключ, пора ами известных устроиств являются ытуемых приборов в режимы, препредельно допустимые значения, что сти к необратимым процессам; невыть отбраковки, обусловленная выботермической устойчивости или коэфлона вольт. амперной характеристики. едостатк введение испвышаюшие ихможет привесокая точнором границьфициента на Наиболее близким к пр устройство для отбраковк приборов, содержащее ист и напряжения коллектора, ратор измерительного тока ройство 21,Это достигается тем, что устройство дополнительно содержит генератор интервала времени, источник опорного напряжения и источник напряжения сравнения. Причем выход источника опорного напряжения соединен с одним из входов ге. нератора измерительного тока, один вывод элемента памяти соединен с выходом источника тока эмиттера, другой - с генератором измеритель. ного тока непосредственно и через ключ с клеммой для подключения эмиттера испытуемого при. бора и с одним из входов порогового устройства, выход источника напряжениясравнения соединен с друтим входом порогового устройства, пусковой вход которого подключен к одному из выходов генератора интервала времени, другой выход последнего соединен с управляющим входом клю.ча и с входами источников тока эмиттера и напря. жения коллектора, общая точка которых соединена с выводом элемента памяти и с клеммой для подключения базы испытуемого прибора, а клем.ЦНИИПИ Заказ 3459/41Тираж 1089 Подписное Филиал ППП "Пагент",Ужгород, ул, Проектная,4 3 6679ма для подключения коллектора соединена с ИС:точником напряжения коллектора.Схема устройства приведена на чертеже,Устройство содержит источник 1 тока эмитте.ра, генератор 2 измерительного тока, ключ 3 цепи5памяти, пороговое устройство 4, источник 5 напряжения коллектора, запоминающий конденсатор б,генератор 7 интервала времени.Устройство работает следующим образоМ,К схеме подключают испытуемый транзистор,Начальное падение напряжения на его переходеэмиттер-база определяется током генератора 2 иустанавливается равным некоторой величине (на.пример, 0,2 В) с помощью источника опорногонапряжения. При этом дпя всех транзисторов данного типа выполняется условие Оа, =содат;ив =Ки.Затем ключ 3 закрывается и измерительныйток благодаря запоминающему конденсатсру "6остается постоянным на время, значительно боль. з 0шее, чем общее время измерения.По сигналу "пуск" запускается генератор 7 интервала времени нагрева, на время Г ц он включает источники 1 и 5. При этом на испытуемом транзисторе рассеивается мощность Р = Эс Ю за время 1После окончания импульса нагрева источники1 и 5 выключаются н запускается пороговое уст.ройство 4, один вход которого соединен с источ.ником напряжения сравнения (Оср ), а другой - зрс эмиттером испытуемого транзистора.Разница между начальным падением напряженияО,аи падением напряжения после отключения греющей мощности пропорциональна приращениютемпературы перехода под воздействием импульса греющей моиностиьу. Рв,где Ст - теплоеМкость нагретой зоны.Приборы с дефектами структуры: несоосностью,неоднородностью толщины базы, перетравом и т.д.,оимеютбольшую температуру перегрева переходапо сравнению с хорошими приборами за счет локализации тока на дефектных участках и вызван 8 4ного этим уменьшения теплоемкости нагретой зоны, отбраковываются по значению температурыперехода. Граница отбраковки регулируется с помощью напряжения сравнения и устанавливаетсяэкспериментально.Пороговое устройство 4 имеет выход для под.ключения регистрирующих или исполнительныхустройств.Формула изобретенияУстройство для отбраковки полупроводниковых приборов, содержащее источники тока эмит.тера и напряжения коллектора, элемент памяти,генератор измерительного тока, ключ, пороговоеустройство, отличающееся тем, что, с цельюувеличения точности и производительности отбраковки, а также упрощения устройства, оно дополнительно содержит генератор интервала времени,источник опорного напряжения и источник напряжения сравнения, причем выход источника опор.ного напряжения соединен с одним иэ входов генератора измерительного тока, один вывод элемента памяти соединен с выходом источника тока змиттера, другой - с генератором измеритель.ного тока непосредственно и через ключ с клеммой для подключения эмиттера испытуемого прибора и с одним из входов порогового устройства,выход источника напряжения сравнения соединенс другим входом порогового устройства, пусковой вход которого соединен с одним из выходовгенератора интервала времени, друтой выход которого соединен с управляющим входом ключаи с входами источников тока эмиттера и напряжения коллектора, общая точка которых соединена с выводом элемента памяти и с клеммойдля подключения базы испытуемого прибора, аклемма для подключения коллектора соединенас источником напряжения коллектора.Источники информации, принятые во вниманиепри экспертизе1. Авторское свидетельство СССР У 432804,кл, О 01 В 31/26, 1970,2. Авторское свидетельство СССР Х 340984,кл. 6 01 В 31/26, 1972.