Способ измерения толщины полупроводниковых слоев материала

Союз Советских Социалистицеских Республик(23) Приоритет -осудорственный квинтет СССР по делам нзооретоннй н открытнй11.79. Бюллетень Мия описания 25.11.7 публиковано 1 ата опубликов717 72) Автор изобретеии ус 71) Заявител СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ МАТЕРИАЛА ПО Изобретение относится к области измерительной техники и может быть применено для контроля параметров полупроводниковых материалов при их изготовлении.Известен способ измерения тол 1 цины полупроводниковых слоев, нанесенных на низкоомную подложку, основанный на регистрации интенсивности и угловой поляризации инфракрасного излучения, отраженного от границы раздела слой - подложка 11.Н, достатками этого способа являются низкая точность измерения толщины однородно легированной части слоя при наличии протяженныхрадиентов проводимости на границе слой - подложка и невозможность измерения слоев с высокоомной подложкой. олизмерения слоев, по ко ормируют сф ески декори диаметр или на шлифе,ны слоя 12ри хорИзвестен также способ шины полупроводниковых му на измеряемом слое ф ческий шлиф, электрохими шлиф, визуал но измерякт ду декорированных колец считывают величину толши Недостаткам и этого способа являютсянизкая точность измерения толщины однородно легированной части слоя при наличии протяженных градиентов проводимости на 5границе слой - подложка, ограниче иная локальность измерений.Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ измерения толшины полупроводниковых слоев материала, заключающийся в том, что вызывао ют локальный тепловой выброс вешестваслоя пропусканием электрического тока между электродом и материалом. При этом возникает электрическая дуга, вызываюшая нагревание вещества слоя и его испарение.5Анализируя спектральный состав испаряющегося вещества, определяют момент достижения границы слоя. По глубине получившегося микроскола судят о толшине слоя 3,Недостатком этого способа является 20 сложность процесса измерения, обусловленная наличием операции определения спектрального состава испаряющегося вещества и затруднениями при измерении глубины697801 Формула изобретения Составитель А. Куликов Редактор Л. Ьатанова Техред О. Луговая Корректор Н. Горват Заказ 5913/2 В Тираж 344 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4микроскола, так как он.имеет параболическую форму.Целью изобретения является упрощение процесса измерения.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электрод устанавливают на поверхности материала, а ток пропускают импульсами.Кроме того, в качестве электрода используют жидкостный выпрямляюший контакт.На чертеже изображена схема устройства, позволяющего реализовать описываемьй способ.Устройство состоит из генератора 1 тока, переключателя 2, резистора 3, жидкостного контакта 4, Измеряемый полупроводниковый слой 5 выращен на подложке 6.Способ осуществляют следующим образом.Замыканием цепи источника 1 тока переключателем 2 через резистор 3 и жидкостной контакт 4 пропускают импульсный ток (например, 1-3 импульса) в запирающий контакт полярности (например, отрицательная полярность к полупроводнику электронной проводимости) и с разностью потенциалов, превьппающей напряженис пробоя полупроводника например, 100 - 300 В).11 рп прохождении тока через полупроводниковый слой 5 создается резкии градиент температуры по глубине слоя, что приводит к локальному выбросу вещества в виде ци,индрнческс 5 й и 1 обки. ВыпрямляОшие свойства контакта 4 увелнчиваюг сырость нарастания теплового поля ча 5 р; н 5 гце сная слоя 5 с подложкой 6. 1 лубину од 1 ой или нескольких ямок, Образованных в ноле кон.: акта,;3 иеряот, напрмер, при помощи чикрои 55 тер 5 нгерометра,ЧИИ. 3,55 скретньн 4значения глубины различных ямок в поле контакта последовательно отождествляют с размером пространственного заряда при пробое слоя, с толщиной однородно легированной части слоя 5, металлургической толщиной подложки 6. 10 1, Способ измерения толщины полупроводниковых слоев материала, заключающийся в том, что вызывают локальный тепловой выброс вегцества слоя пропусканием электрического тока между электродом и материалом, а о толщине слоя судят по глубине получившегося микроскола, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения путем увеличения градиента температуры на границе слоев, электрод устанавливают на поверхности материа ла, а ток пропускают импульсами. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем,что в качестве электрода используют жидкостный выпрямляюший контакт.И Источники информации,принятые во внимание при экспертизе