Чеснис
Способ определения параметров проводящего канала в переключающем элементе
Номер патента: 1278624
Опубликовано: 23.12.1986
Авторы: Гашка, Огинскас, Чеснис
МПК: G01K 7/30
Метки: канала, параметров, переключающем, проводящего, элементе
...представить как суперпозицию источников теплового шума с линейным размером х,. температурой Т и сопротивлением К для каждого из них, Суммарная спектральная плотность напряжения шума такого включения7,=8 кБт(х) рЛ)йщ 4 кт , (1)Огде К = 2 Яр(т)с 1 х;(т) - удельное сопротивление области шнурования в низкоомном состоянии,Из выражения (1) следуетТ(х) р(т)с 1 хгп(2)Р =(т) ах Пусть рабочая площадь переключающего элемента является достаточно 40 большой и шнур при токах, близких пороговому току поддержки низкоомногосостояния занимает лишь часть межэлектродной активной области. Приувеличении тока его плотность в шнуререально переключающего элемента сначала увеличивается. Это увеличениеиз-за расширения шнура постепеннозамедляется и при...
Измеритель характеристик диодной структуры
Номер патента: 938170
Опубликовано: 23.06.1982
Автор: Чеснис
МПК: G01R 17/10
Метки: диодной, измеритель, структуры, характеристик
...12 Формируется напряжение уравновешивания, представляющее собой прямоугольный импульс напряжения с вершиной, модулированной переменным сигналом. Это напряжение при помощи сумматора 11 суммируется с импульсомЪнапряжения смещеЬия, поступающим от генеоатооа 7, Залеожка между импульсами запуска на выходе блока 13 и тем самым моменты запуска генераторов 7 и 8 подбираются таким образом, что на выходе сумматора 1 1 импульс уравновешивания, наложенный на импульсе смещения, был бы сдвинут по отношению начала последнего на интервал времени не меньше продолжительности переходных процессов уравновешенного . моста, Длительности уравновешивания и смещения при этом подбираются такими, что первая иэ них была бы не меньше продолжительности указанных...
Устройство для измерения характеристик переключающих диодов
Номер патента: 928265
Опубликовано: 15.05.1982
Авторы: Приходько, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, переключающих, характеристик
...лучаосциллографа 1 О, который вырабатывает импульсы напряжения, сдвинутые по отношению начала Формирования импульсов на выходах генераторов 2 и 11. Величина этого сдвига вырабатывается большей продолжительности переходных процессов 35в измерительной цепи. При этомсумма сдвига и. длительности импульса, вырабатываемого модулятором 9,не превышает длительность любогоиз импульсов, поступающих от генеораторов 2 и 11. При поступленииимпульса от модулятора 9 на вход2 осциллографа 10 на экране последнего появляется светящаяся точка.Ее координаты пропорциональны 45напряжению на исследуемом элементеи току через него.От генераторов импульсов 3 и 4через сумматор 24 на вход измерительной цеи (22 и 23) поступаютпрямоугольные импульсы, сдвинутыекак...
Способ определения шумовой температурыпроводящего канала b переключающемэлементе
Номер патента: 830150
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Барейкис, Викторавичюс, Либерис, Приходько, Чеснис
МПК: G01K 7/30
Метки: канала, переключающемэлементе, температурыпроводящего, шумовой
...Шумовая температура рассчитывается по формулам (1) и (2) . Температура канала в низкоомном состоянии в конечный момент воздействия переключающего напряжения, 15 рассчитанная по формуле (1), составляет Т = 940 К. Температура канала, при восстановлении высокоомного состояния, рассчитанная по формуле (2), изменяется со временем экспоненциаль но. В течение примерно 20 мкс после окОнчания воздействия переключающего напряжения она уменьшается до комнатной температуры. Значение То(0), полученное путем экстраполяции указан 25 ной зависимости до пересечения с осью температур (С=О), составляет 860 К. Приведенные значения шумовой температуры канала отличаются менее, чем на 10Это указывает на то, что электронная составляющая температуры в...
Устройство для наблюдения вольтамперных характеристик нелинейных полупроводниковых элементов
Номер патента: 693270
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: вольтамперных, наблюдения, нелинейных, полупроводниковых, характеристик, элементов
...1(зх еггнтсэл)Гг)гоа;Нг:,е НИЯ.ГЕ 11 Ьг НЭОВГ)гЭТОНГ(51ГОГГЬ(1 НОС",ГЭ ТОЧ -ности БаблОл(с.пия 13 "13Каэ) г)г;гг г 1 ДР гЬ ге с) , )Рггд Гггм)" р НОГГ ГЭВЕЕЛггсонсг)т(3,11 Я г(1 Я г)зртэжэ 1(р)", 1)гЗДЕ г(г. Х:сэ 1 ГСПОЙ,гГГР)(1 ощ(з,сУмг(РУ(ощиЙ блок, лва генеРЯГОР 3, ВЬХОДЫ КГЗТОРЫХ Г;ОРДИННЫ С ВХ(3л дМ г М Оду ГИ.) у гощЕ-СЗ гми(.)г ГсгГ.гсг)О бгОК ( г Х(гЛЫ КофОО 31 с Со(ЗДИПЕПЬ С ВХ(3 ПЯЪГИ МСП(г"- ЛИРУ 101 ЦЕ -С гм)гг(1(Г)5 Ю)эгЭ 0 ОгГгка, 8 НХС)Д ВтоЭОГО ГЕЛЕРЯТОРЯ ОЕППНЕН Г. ЯЬХг)Дог,.первого через блок,эадэр)к(1( 1ОДНЯК(г Это УСтгЗОЙСтггэ НЕ ИМЕЕТ С)ЕДСЗ В 81 и ЪСЗРЯНЕПИЯ ОРЛ 31(г Л(г -г)гН, гс 1 ог ОР Ш НОСТИ, 1 г ООМЕ ТОГО. ГГр И 10Л О)С)3 с Н 5 И элемен.(ОВ, Оолядя(0(цих симк 1 РтсиеЙ Гпэс. Водимости, Опо не...
Устройство для измерений характеристик переключающего элемента
Номер патента: 646277
Опубликовано: 05.02.1979
Авторы: Барейкис, Гальдикас, Либерис, Приходько, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: измерений, переключающего, характеристик, элемента
...от импульса к импульсу изменяющейся амплитудой. Эта последовательность импульсов используется дляизмерения импульсной "ольтамперной характеристики. При помощи блока 5 онаскладывается с последовательностью импульсов, поступающих от генератора 3.Суммарное напряжение через ограничи- .тель 6, который предназначен для ограничения тока при переключении исследуемого элемента в низкоомное состояние и тем самым предотвращения еговыхода из строя, поступает на вход измерительной пепи, который состоит изсопротивления 7,и испытуемого"й перехода 8, помещенного в волновод 19.Одновременно с запуском генераторов2 и 3 через диоды 11 и 12 запускается блок 13 модуляции яркости луча осциллографа,который вырабатывает импульсы найряжения, сдвинутые по...
Запоминающий элемент
Номер патента: 637865
Опубликовано: 15.12.1978
Авторы: Приходько, Чеснис
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающий, элемент
...элементе это достигается тем, что он содержит наполнитель, например селеновый, размещенный внутри герметичного корпуса. Кроме того, в нем токовые электролы выполнены из физически и химически нейтрального по отношению к селенилу серебра н селену тугоплзвкого ма. териалз, например вольфрама.На чертеже показан прглсложенный за. поминзющий элемент.Он содержит два токовых электроЛа и 2, межлу которыми размещены слои селена 3 и селенида серебра 4, и наполни- тель 5, размещенный внутри герметичного корпуса 6 из изоляционного материала. К электролам 1 и 2 подключены токопронолы 7 и 8.Работа запоминающего элемента осно. вана нз изменении его сопротивления, ко. торое происходит из-за образования илн со. ответственно рззрупгенич пронолншнх кана.ъв...
Способ определения температуры проводящего канала в переключающем элементе
Номер патента: 627353
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Барейкис, Либерис, Приходько, Чеснис
МПК: G01K 7/30
Метки: канала, переключающем, проводящего, температуры, элементе
...состоянии и температуру канала вычисляют по Формуле 2 2 В н Тф Т кн,- й ч,2где Тр - температура переключателяйв высокоомном состоянии; (д, Нспектральная плотностьнапряжения шума к% - дифференциальное сопротивнление переключателя в высокоомном и низкоомномсостояниях соответственно,При выводе укаэанной Формулы использована известная Формула Найквиста, отражающая связь между спектральной плотностью напряжения тепловых шумов (д , шумовой температуры Т и сопротивлением Я источника шумовМ фФКТМ, И) где К - постоянная Вольцмана.Переключающий элемент представлен как параллельное включение двух источников шумов. Одним из них является канальная, а другим - неканальная область.Спектральная плотность с го тока шумов 74 в элементе образом,...
Способ измерения распределения потенциала по толщине полупроводникового слоя
Номер патента: 532829
Опубликовано: 25.10.1976
Авторы: Алексеюнас, Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводникового, потенциала, распределения, слоя, толщине
...изестах. обеспечить возможно мерений в одних и т водят- преде 54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИ ПО ТОЛШИНЕ ПОЛ Изобретение относится к методике ческих исспедований полупроводников и приборов ьа их основе.Известно, что дпя измерения распредепения потенциапа по толине тонкопленочных Об азиев, .апр.:.,ер полупроводниковых систем с р-с-переходом и с токовыми электоодами на противоположных поверхностях, на этих образцах изготавливают поперечньй срез-шпиф, а установка для таких измерений содержит передзижной клиновидный ипи конусообразный эпектроприводный зонд с небопьшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследу мого образца.Однако расстояния, на которых измеряется гадение напряжения, ограничиваются конструкцией и размерами...
Устройство для определения долговечности пороговых переключающих элементов
Номер патента: 530448
Опубликовано: 30.09.1976
Авторы: Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: долговечности, переключающих, пороговых, элементов
...низкоомное состояние, в котором находится до тех пор, пока ток через него не понижается до некоторой критической величины- тока поддержки, т. е, практически до исчез новения напряжения на выходе генератора 4, Сигнал с резистора 1 через усилитель 12 поступает на входы инвертора 13 и амплитудного селектора 9. Отрицательный импульс с выхода инвертора 13 через сумма- Я тор 7 поступает на вход блока 14, однако дальше не проходит, поскольку для формирования импульса напряжения блоком 14 на его входе необходимо поступление сигнала положительной полярности, 6 О С выхода амплитудного селектора 9 через цепочку 17 и блок 16 сигнал поступает на вход запуска генератора 5, При этом блок 16 задержки задерживает сигнал на такой интервал временичтобы при...
Устройство для измерения дифференциального сопротивления диодных структур
Номер патента: 482697
Опубликовано: 30.08.1975
Авторы: Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: диодных, дифференциального, сопротивления, структур
...и генератор 12 прямоугольных импульсов. При помощи положительного импульса, поступающего из мультивибратора 8, коммутатор 7 переводится в состояние открыто и сигнал с резистора 4 через этот блок и сумматор 9 подается на вход вертикального отклонения осциллографа. В это же время напряжение на другом выходе мультивибратора 8 скачком уменьшается и коммутатор 6 переводится в состояние закрыто. Длительность импульсов на выходе генератора 12 подбирается равной продолжительности пребывания мультивибратора во временно устойчивом состоянии, которая больше продолжительности переходных процессов в измерительной цепи, но меньше длительности импульсов на выходе источника 5 управляющего напряжения, Таким образом, при поступлении на вход усилителя...
Устройство для измерения дифференциального сопротивления нелинейных элементов
Номер патента: 481857
Опубликовано: 25.08.1975
Авторы: Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 27/16
Метки: дифференциального, нелинейных, сопротивления, элементов
...5 и изменением величины напряженияца выходе генератора 10 изменяют уголнаклона и перемешают: прямолинейнуюхарактеристику на экране осциллографавдоль оси абсцисс так, чтобы она совпада-ла с касательной вольтамперной характеристики исследуемого элемента в той точке, в которой требуется измерить диффе (ренциапьное сопротивление. Сопротивление зэм,Гш гпы с ре.зистэр(в 7 и 8, црэпорциэци)и 1 е т(ку через исследуемый пепинейцы й эпе мент 4 и регу пиру емый резистор 5 сэотцстстведццо при помо)ци кэммутат:ра 2 пэпереме 1(цэ )идаются ца канал вод к.п(иигэ эткпэцеция пуча эсциппэ) рад) 1. Дпя этэгэ цри поступлении каждо э гчереднэ 1 э импульса напряжения с источника ( уцравпяюшег 6 напряжения коммутатор 2 вначале нахэдится в исхэдцэм положении, а...
Автоматический мост переменного тока
Номер патента: 467273
Опубликовано: 15.04.1975
Автор: Чеснис
МПК: G01R 17/10
Метки: автоматический, мост, переменного
...включенного последовательно емкости, а входы переключения ключей соединены с ходами генератора импульс3различными выходами генератора 9 импульсов запуска.На диагональ питания моста через сумматор 10 от генераторов 8 и 7 попеременно поступают короткий импульс (длительность т) и длинный прямоугольный импульс (длительность т) напряжения соответственно. При этом т)т, где т - длительность переходных процессов схемы моста, а т - порядка длительности переднего фронта длинного прямоугольного импульса, но намного меньше т.Для формирования сигналов управления напряжение небаланса через дифференциальный усилитель 11 подается на ключи 12 и 13, которые в исходном состоянии являются запертыми. Когда на диагональ питания моста поступает длинный...
Ионотрон
Номер патента: 376806
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: ионотрон
...изобретения ставитель ЕТехред Т,ваневв рилко Утехи ректор А Степанов едак Заказ 1553/14 Изд.410 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 пография, пр. Сапунова, 2 Ионотрон, содержащий невыпрямляющий контакт, выпрямляющий контакт и р аспол оженные между ними слой селена, нелегированного серебром, и слой легированного селена, отгичающийся тем, что, с целью повышения стабильности его работы и увеличения срока службы, невыпрямляющий контакт через дополнительно введенные слой кадмия и слой селена, легированного серебром, соединен со слоем,нелегированного селена, а слой селена, 5 легированного серебром, через дополнительновведенный слой кадмия соединен с...
§сооюзндgt; amp; 1
Номер патента: 368646
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: §сооюзндgt
...в селеннд серебра, изменяя темсамым форму вольтамперцой характеристики цоцотроца, Под воздействием отрицательного (минус - ца э,гсктроде, имеющем контакт с селецом) формирующего напряжения ионо трон переходит в крайнее состояние, в котором оц имеет наибольшее сопротивление и наибольшую асимметрию проводимости (А.ца фцг. 2). Под воздействием импульса положительггого напряжения (на вышеуказанном 25 электроде подан плгос), имеющего определенные (критические) амплитуду и длительность, цоцотрон из состояния с наибольшим сопротивлением переходит в другое крайнее состояние, где оц игпсет вгецьшее сопротивление и 30 меньшую асимметрию проводимости (Б, наТехред Т. Миронова Редактор Л. Утехина Заказ 610 г 7 Изд.169 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ...
Устройство для измерения дифференциальных сопротивлений нелинейных элементов
Номер патента: 347683
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Рибикаускас, Чеснис
МПК: G01R 27/16
Метки: дифференциальных, нелинейных, сопротивлений, элементов
...опорным импульсами равно длительности импульса напряжения нап. Харьк. фил. пред. Патент выходе генератора 6, а сумма импульсов на выходе генераторов 6 и 8 равна длительности каждого отдельного импульса, поступающего от источника 13. Поэтому на базы транзисторов 1 и 2,прямоугольные импульсы напряжения поступают попеременно. При поступлении сигнала на базу транзисторов 1 и 2 их сопротивления между эмиттером и коллектором становятся на много меньше сопротивления исследуемого объекта 12, в то время как при отсутствии сигнала оно на мнаго больше исследуемаго.Луч осциллографа 14 при помощи блока 16 мадулируется таким образом, что при поступлении сигнала на базу транзисторов на экране ооциллографа 14 появляются яркостные метки только после...
Способ измерения сложных комплексных сопротивлений
Номер патента: 344367
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Институт, Чеснис
МПК: G01R 17/10, G01R 27/02
Метки: комплексных, сложных, сопротивлений
...р - и переходов, реализующая предлагаемый способ.Мост содержит переменные сопротивления 1 и 2, переменную емкость 8, активные сопротивления 4 и 5, испытуемый образец б с р - и переходом, осциллограф с дифференциальным входом 7, генератор импульсов запуска 8 с выходом опорного сигнала 9 ц выходом задержанного сигнала 10, блок задержки 11, генераторы импульсов напряжения смещения, длинного и короткого прямоугольных импульсов, соответственно 12, 13 и 14, сумматор 15,На диагональ питания моста поступают импульсы напряжения сложной формы, представляющие два импульса напряжения питания, длительность одного из которых больше длительности переходных процессов моста, а344367 Предмет изобретения Составитель Л. Айрапетова Техред Т....
292193
Номер патента: 292193
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис
МПК: G11C 11/35
Метки: 292193
...и выпрямляющегоконтакта 4,15 Эффект, получаемый за счет создания вионотроне дополнительного слоя селена, в котором отсутствует примесь серебра, заключается в следующем. Электропроводность поликристаллических слоев селена, легирован 20 ного серебром, более в чем в 5 10 раз меньше электропроводности слоев нелегированного селена. Благодаря тому, что в ионотронесоздан дополнительный слой нелегированногоселена, имеется возможность уменьшить в25 нем толщину слоя селена, легированного серебром, и, следовательно, уменьшить балластое сопротивление прибора. Так как областьлоя полупроводника у выпрямляющего конакта в предлагаемом ионотроне имеет пониенную проводимость, электрическое поле3формирования сосредоточивается в этой области в случае...
Устройство для визуального наблюдения вольтамперных характеристик л—л-перехода
Номер патента: 280679
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 31/26
Метки: визуального, вольтамперных, л—л-перехода, наблюдения, характеристик
...работает следующим образом.Сигналы, поступающие из источника напрякения 1 и генератора 5, суммируются в блоке 2 и затем при помощи ограничителя 7 ограничиваются снизу таким образом, чтобы вы ходное напряжение ограни 1 птеля 7 принялоформу П-образных импульсов па нулевом уровне. Так как длительность прямоугольных импульсов, поступающих пз генератора б, меньше длительности ступеньки сигнала, по ступаащего пз источника 1, а частота пх повторения при помощи блока 3 синхронизации устанавливается равной частоте модуляции ступенчатым сигналом и сами импульсы при помощи блока 4 регулируемой задержки не- ЗО сколько сдвинуты по отношению к началу сту20 л 7 У 1 Составитель О. Афанасеиковадактор Т. 3, Орловская Техред 3. Н. Таранеико Корректор Г....