Патенты с меткой «дифракционных»

Номер патента: 49373

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Бурмистров

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, отражательных, решеток

...обойти, воспользовавшись методом химико-физической копировки металлических поверхностеи с стеклянных поверхностей.ФМетод изготовления металлических отражательных дифракционных решеток копировкой заключается в том, что штрихи йеобходимой частоты, ширины и длины наносят на стеклянную оптическую поверхность, имеющую равную, но обратную кривизну заданной решетки (или плоскость для плоских решеток). Затем стеклянную поверхность натирают тончайшим порошком талька, обрабатывают раствором хлористого олова и серебрят обычными растворами для серебрвния зеркал. Поверх серебряного слоя электролитическим путем наносят толстый (от 1 до 5 мм) слой меди; при этом регулируют осаждение меди так чтобы она легла слоем равной толщины по всей поверхности...

Номер патента: 67403

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Гарбер

МПК: B23Q 16/02, G02B 5/18

Метки: делительная, дифракционных, решеток

...относительно статора 29 осуществляется путем перепуска масла из одной полости в другую. Ротор 27 дает грубую подачу и большую скорость вращения. Ротор 28 дает точную установку.Перепуск масла, а следовательно, и вращение роторов производятся насосами 30, раоотающими непрерывно, Эти насосы снабжены шунтамк с заслонками переменного отверстия со шкалой 31.Клапаны 32 в требуемых случаях отключают ротативный насос 27 и 28, в результате чего; или ротор 27 вращается, а ротор 28 стоит, или ротор 27 стоит, а ротор 28 вращается, или оба ротора стоят - в эот момент происходит нарезка делений на лимбе.Переключения работы осуществляются механизмом, который приводится в движение реле 33, действующим от фотоэлемента 34 и усилителя 36,Фотоэлемент 34...

Номер патента: 90078

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Кокош

МПК: C03C 17/00, G02B 1/10, G02B 5/18 ...

Метки: дифракционных, отражательных, решеток

...слон другой стеклянной пластинкой и перпепдпкулярттш)К 11118 СТ 1111 К 8 Ь 1 НЗГОТОЛЯЮТ 111.111 ф,который затем полируют. Для получения резкой границыПРОГР 1 ВЛИНЗ 11 8 ДЛЯ НЗНП-ЕНПЯ ПОСТОЯННОЙ ЗЕХЫЕТКН ЦЛНФ ИЗГОТОВЛЯ 1 ОТ 110,71 РЯЗ/ТИЧНЕЛМИ УГЛЗМН К11.18 СТ 1111811 8 СЛСДОК СЛОЯМ МРЖЦД 11115111.Например. если сделать толтцнну каждого слоя равной 1 мк, тобудет МОЖ но иметь отраъкательнухо решетку с 500 пггрихами на 1 мм. При толщине слоен и 0.2 мк на 1 ммогргзжатеыльнотт решетки будет приходиться 2500 иттрихов.1. Способ тазтотовдтения отражательных дитфттакттиоътньтх рептеток,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что на сте 1 ляниухо пластинку распылением н вакууме наносят чередующиеся слои различных металлов и солей,тюкргяваитг нанесенные...

Номер патента: 107620

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Красикова, Нижин

МПК: G02B 5/18

Метки: вогнутых, гравированных, дифракционных, копирования, плоских, решеток

...быть равным радиусу кривизны копируемой решетки.3. Получение позитивного отпечатка поверхности дифракционной решетки на слое желатина. Стеклянная подложка погружается в воду, на слой желатина накладывается пленка с негативным отпечатком штрихов, после чего подложка извлекается из воды и помещается в центрифугу, где позитивный отпечаток штрихов получается под действием центробежной силы.4. Удаление с подложки пленки полиметилметакрилата путем ее растворения, например, в дихлорэтане.М 10620 Поверхность готовой копии для повышения коэффициента отражения покрывается алюминием в вакууме, Отпечаток закрепляется нагреванием его при температуре 180 - 200, после чего он становится устойчивым против воздействия воды. Комитет по делам изобретений и...

Номер патента: 140588

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Герасимов, Рассудова, Сергеев

МПК: G01B 11/00

Метки: двух, дифракционных, линейных, перемещений, помощи, решеток

...предметом, и неподвижной отракательной решетки 3, Постоянные обеих решеток 2 и 3 одинаковы.При проведении измерений угол падения пучка 1 на прозрачную решетку 2 выбирается таким, чтобы углы между дифрагированными пучками 4 и 6 и соответствующими нормалями 6 и 7 к отражательной решетке 3 были равны, Сосредоточение большей части света, падающего на устройство, в двух пучках 4 и 6 производится путем рационального подбора решеток 2 и 3, концентрирующих свет в узком интервале углов дифракции, В результате интерференции указанных пучков получаются муаровые полосы, которые при относительном смещении решеток 2 и 3 перемещаются в поле зрения на величину, пропорциональную смещению. Период этих полос рассчитывается в зависимости от разности...

Номер патента: 141643

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Герасимов, Рассудова

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, прозрачных, решеток

...нарезаемых затем на делительной машине. При этом дно получившихся штрихов касается поверхности стеклянной пластинки.После нарезания решетку подвергают травлению раствором, содержащим 0,5 г КМп О: и 20 сяа НгЯО 4 на 100 си, при температуре 20 - п 0, в зависимости от толщины слоя алюминия. При травлении дно штриха постепенно расширяется, образуя прозрачную часть штриха, а его вершина остается непрозрачной. Для более однородного смачивания поверхность решетки предварительно обрабатывают слабым раствором соды, благодаря чему процесс травления проходит более равномерно, Прозрачные части штрихов получаются одинаковыми и сохраняется точность, дотигнутая при нарезании решетки, Соотношение между прозрачной и непрозрачной частями штрихов...

Номер патента: 238822

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Барска

МПК: G01J 3/02

Метки: дифракционных, поворота, решеток

...1 полнить с переменным радиусом (например, вдоль оси) и снабдить устройством, позВОля 01 цпм вводить В сопри 1 юсновсн 51 с с р 1- 0 чагом ту илп иную его часть, чтобы получитьвозможность легко изменять радиус и, слсдо- ВЯТСЛЬНО, ПОДДСРЖИВЯТЬ НСИЗМСНН 1 М ИЛП МСП 5 гь по своему усмотрс.Пю масштаб спектр.11 Сртсжс прсдсгязлснл кинс)ят 111 ескя 51 5 се)1 првдложснного устройства.11 оси 1 поворотюг столика ) н;1 когоромзячрсплень дпфракцпонныс решетки Л, поса)ксн рычаг 4, соединяемый со столиком фикс- .ром ). Опсряя позер.,ность рычага лежит 30 в его радиальной плоскости и взаимодейстет с поверностью вращения толкгеля б.238822 Предмет изобретения Составитель И, Небосклонова иктор Б. Б. Федотов Техред Л. Я. Левина 1(орректор Н, И....

Номер патента: 239745

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зкаменсккй, Лапшин

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, защиты, решеток

...подслоя на поверхность решетки испаряют титан в двух вольфрамовых лодочках размером 50 Х 10 х 0,05 лл 1, вставленных одна в другую. Загруженные титаном лодочки прокаливают при вакууме не менее 5,10 -мм рт. ст. С началом испарения титана вакуум улучшается, так как титан поглощает остаточные газы. Поддерживают испарение титана при напряжении 36 в и токе 120 а.Требуемая толщина подслоя титана порядка 1000 - 2000 А.Нанесение подслоя контролируют путем регистрации количества испарившегося вещества и фотоэлектрическим методом - пропусканием света через подложку (решетку),После испарения титана сразу же испаряют алюминий, доводя толщину его слоя до размеров, предусмотренных руководствами. Затем после нанесения слоя алюминия нарезают...

Номер патента: 269528

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Герасимов, Кошелев, Яковлев

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, переменным, решеток, шагом

...изготовляемой решетки и отсчитывается радиотехническим устройством, Сигналы от последнего управляют работой электромаг нитной муфты, прерывающей после прохождения определенного количества полос движение каретки с заготовкой.Если одной из отсчетных решеток сообщитьв процессе нарезанпя решетки дополнитель ное перемещение в направлении подачи заготовки, то разность хода интерферпрующих пучков и соответственно число полос, прошедших в поле зрения отсчетной системы, будут связаны с перед 1 ещециедт заготовки более Зо слсокпой функцией, включающей в себя заПодписнотий при Совете Министров СССРаб д. 45 Ти,а к 480 по делагп изобретений и открь Москва, К, Раушская иЗаказ 2083 3ЦИИИПИ Комит ппография, пр. Сапунова кон движения указанного...

Номер патента: 323192

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бал, Корчагин, Стрежнев, Шуба

МПК: B23B 27/14

Метки: вогнутых, дифракционных, концентрирующих, резец, решеток, формования

...поверхностей определяются геометрическими параметрами штриха и поверхности заготовки. При формовании таким резцом (см. фиг, 3) на одной части поверхности шириной Е+1. решетки с апертурой К штрихи будут выполняться лезвием 1 резца, образованным гранями Р (Р) и Р(Р) и формующей рабочую грань штриха гранью Р,(Р), на другой - лЕ, с момента равенства угла а наклона рабочей грани штриха углу наклона поверхности заготовки решетки 3 относительно хорды, стягивающей края решетки, другим лезвием 2 резца, образованным пересечением граней Р(Р) и Рз(Рэ) в этом случае гранью резца, формующей рабочую грань штриха, является также грань Р,(Р), Ширина решетки большей апертуры У=1+ А, зависит: Е, - от угла Ф и 4 Е - от угла у и величины 1 -...

Номер патента: 404036

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ахмадеев, Куинджи, Стрешнев

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копий, решеток

...по ируюетилно молы на паве е,шетки с пе.риоы путем (вместе ью, наесением ма (или рофобиСпособ изгот ных решеток,пуветки-матрицы,Изобретение относится и оптико-,механической промышлеяности, а именно к технологииизготовления дифракционных решеток.Известен способ изготовления копий дифракционных решеток путем формованияштрихов решетки-магрицы, нанесения слоясмолы на ее,поверхность, совмещения с подложкой корпии, полимеризации смолы и отделения корпий,Однако при отделении копии,от решеткиматрицы частицы смолы остаются на ее поверхности, образуя мииранеровности и иокажая профиль ее штрихов, а следовательно,снижая точность последующих копий, снимаемых с решетки-,матрицы, В,результате помере увеличения числа копий, снимаемых содной...

Номер патента: 408754

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куинджи, Стрежнев, Таишев

МПК: B23Q 16/02

Метки: делительная, дифракционных, нарезания, решеток, сферических

...машина.1 езповая арстка 1 горизонтально перемещасгс д направляющих 2 корпуса д машины.На резцовоц каретке шарнирно в точке 4 подвешен резцсдсржатель 5 с резцом 6 для нанесения штрихов.В вертикальных направляющих 7 каретки 1подвижно установлен электромагнит 8, управляющий подъемом ц опусканием резцедсржатсля 5. Злектромагп 1 т жестко связан с толкатслем 9, взаимодействующим с копцром 10, длины штриха, подвижно установленным в вертикальных направляющих 11 корпуса машины д. Копир 10 через систему рычагов 12, И кцнематически связан с толкателем 14 копира ширины нарезки И, установленного на дслцтсльной каретке 16, несущей заготовку 17.11 срсд началом холостого хода резцовой каретки 1 включается электромагнит 8, в результате чего...

Номер патента: 452471

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Абдрахманов, Баранов, Куинджи, Лукашевич, Стрежнев

МПК: B23Q 17/02

Метки: делительная, дифракционных, нарезания, решеток

...препятствовать возрастанию5скорости этого перемещения незвисимо отзнака изменения напряжения (производнойио ипряжению) синусоидального сигнала.Во втором же режиме движение заготовки1 Оносит колебтельный характер относительно фиксированного положения. В этом случе корректирующее воздействие должно учитывать знак изменения напряжения и бытьпротивоположным напровлению колебательных движений, уменьшая т дм самым их скорость, а следовательно и размах,Во время перемещения заготовки выходизмерителя 1 соединен коммутатором 9 свыходным каскадом 3 через дифференцирукьшее устройство 10 и выпрямитель 11 производной. На вход дифференцируюшего усъройства подается сигнал с выхода измерителя 1. Сигнал с выхода дифференцируюшего устройства,...

Номер патента: 466094

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Куинджи, Стрежнев

МПК: B23Q 17/02

Метки: делительная, дифракционных, решеток

...станкостроения.Известны делительные машины для изготовления дифракционных решеток, снабженные перемещающимися по направляющим станины резцовой и делительной каретками и измерительной парой, включающей решетку-индекс и установленную на делительной каретке решетку-шкалу.С целью повышения точности деления при изготовлении решеток большого размера в предлагаемой машине решетка-индекс установлена па резцовой каретке, причем ее длина в направлении перемещения этой каретки равна 1.+5, где Е - длина нарезаемых штрихов, а 5 - длина штрихов решетки-шкалы.На чертеже изображена предлагаемая машина, Она содержит станину 1 с направляющими 2 и 3, по которым перемещаются, соответственно, резцовая 4 и делительная 5 каретки, На последней установлена...

Номер патента: 482276

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Баранов, Куинджи, Лукашевич, Маркичев, Стрежнев

МПК: B23Q 17/02

Метки: делительная, дифракционных, решеток

...расположению штрихов нарезанных решеток и ухудшении их спектральных характеристик.Оборудование машины вспомогательной следящей системой для контроля и коррекции поворотов делительной каретки усложняет ее конструкцию и следящую систему.Цель изобретения - повышение точности деления.Это достигается тем, что решетка-шкала и второе зеркало закреплены на резцовой каретке, причем вертикальная плоскость симшкалы проходит через верПараллельный пучок света от автоколлиматора 12 направляется зеркалами 11 и 8 в зону А переналожения измерительных решеток и образует интерференционные муаровые полосы, которые наблюдаются в поле зрения автоколлиматора 12 и регистрируются головкой 13.В начале цикла делительная каретка 5 перемещается по направляющим 3....

Номер патента: 561922

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Куинджи, Стрежнев, Хайбуллин, Штырков

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, решеток

...рсшеткц по предложенномуспособу изготавливают в следу 1 ощсй последовательности.Полированную поверхность подложки решетки из стекла бомбардируют на ионном ус корителе оыстрымц ионами того же металла,5 вг 922 Составитель В, ВанторинТехред 3. Тараненко Редактор С. Хейфиц Корректор А. Степанова Заказ 1613/1 Изд Мо 551 Тираж 633 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 например алюминия, что и последующий слой металла алюминия, в котором формируют штрихи решеток. При этом в поверхностном слое стекла подложки образуется слой металла, настолько прочно связанный с подложкой, что его можно удалить с подложки...

Номер патента: 561923

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Стрежнев, Хайбуллин, Штырков

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копирования, реплик, решоток-матриц

...в производстве решеток, слой алюминия не оксидируется. Однако подслой - титан, полученный термическим испарением в 30 бретения является увеличениешетки,561923 Составитель В. ВанторинТехред 3. Тараненко Редактор С. Хейфиц Корректор А. Степанова Заказ 1613/2 Изд. Ме 55 Тираж 633 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская паб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, в Это достигается тем, что по предлагаемому способу упрочнение производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей 1 кэВ.Дифракционные решетки-матрицы по описываемому способу изготавливают следующим образом,На полированную поверхность подложки решетки из...

Номер патента: 579538

Опубликовано: 05.11.1977

Автор: Добырн

МПК: G01B 11/00

Метки: датчиках, дифракционных, нониусных, перемещений, полос, регистрации, решеток, схема

...точке которыхподключена корректирующая цепь 4 навстречно включенных фотод одах 5 и б,и ко второму концу корректирующей цепи 4 подключен усилитель 7.Схема работает следующим образом,В случае, когда величина периоданониусной полосы равна усредненномузначению, световые потоки распределяются на регистрирующих фотодиодах 2 и3 таким образом, что в их общей точкенапряжение У имеет начальную фазу,равную нулю. При этом на корректирующие фотодиоды 5 и б попадают синфаэные и равные по величине световые потоки, Вследствие того, что фотодиолы5 и б включены встречно, корректирующее напряжение равно нулю, В этом случае на вход усилителя 7 подается напряжение 11При изменении, например, уменьшении, периода нониусной полосы, начальная фаза напряжения...

Номер патента: 587432

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Беляков, Горячев, Сресели

МПК: G02B 5/32

Метки: голографических, дифракционных, процессом, решеток

...непрерывногоконтроля интенсивности дифрагированногосвета в процессе формирования поверхностно го рельеФа фотохимическим травлением ирегистрации времени достижения максимапьного значения.интенсивности дифрагированного светаФдс . Пока поверхность термоппастического 1 материала яладкая, без репье-.5 Офа, вспомогательный пуч отражается от неезеркально. При нагревании предваритепьноэкспонированной поверхности возникает отражение света в. направлении дифракционногомаксимума 1-го порядка. Этот сает регистрируется фотоприемником. Таким образом,регистрируется вепйчина, пропорционапьнаяДЭ. Недостатками этого способа явпяются; отсутствие контропя на стадии экспозиции, которая подбярается методом проб;невозможность определения момента достижения...

Номер патента: 619323

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Абдрахманов, Балясников, Баранов

МПК: B23Q 17/02

Метки: дифракционных, нарезания, резцовое, решеток

...вогнутых дифракцион. пью решеток. Таким образом, после проведенного векторного анализа становится очевидным перераспределение нагрузки на резец и одновре мевю переменная глубина штриха на всей его длине, что явяется крайне нежелательным при изготовлении вогнутых дифракциониых решеток В связи с этим значительно ухудшается качест. во нареэаемых решеток, .а именно уменьшается коэффницент в максимуме концентрации, а это олин иэ основных параметров нареэаемых реше ток, увеличивается рассеяный свет, вызванный наличел увеиченньх гребешков н, вариннах цприхоц, смещение углового положения макси мул концентрации от заданного. Все это можетпривести к иеириголвости вогиугой дифракии.онной решетки в работе, т, е. к браку,Устройство содержит...

Номер патента: 679851

Опубликовано: 15.08.1979

Автор: Балясников

МПК: G01N 3/58

Метки: алмазных, дифракционных, испытания, нарезания, резцов, решеток

...1) затачивают вспомога.тельную поверхность 2 вращения пс ч углом у,большим угла заточки резца, путем покачивания алмаза относительно оси О - О, затемчасть поверхности 2 (фиг, 2) перетачиваютв дополнительную вспомогательную поверхность3 вращения под углом а,равным утлу заточкирезца, поверхность 3 образует ребра 4 и 5,затем изнашивают поверхность 3 (фиг. 3) приподжатии резца к контртелу б с помощью 1 Оупругого элемента 7, в случае неоднородностиалмаза ребра 4 и 5 после изнашивания изменяют форму, а если алмаз однороден, форма ребер 4 и 5 остается прежней. Если алмаз при.годен для изготовления из него резца, то по.верхность 3 снова перетачивают и получают(фиг. 4) рабочую поверхность 8, которая об.разует режущее ребро 9 (лезвие),При...

Номер патента: 714331

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Быковский, Смирнов, Шмалько

МПК: G02B 5/14

Метки: дифракционных, поверхности, полупроводниковых, рельефного, решеток, типа

...дифракционные решет. ки рельефного типа с синусоидальным профилем получают в едином технологическомцикле Г 33Однако известный способ не позволяетполучать дифракционные решетки с профилем, отличным от синусоидального.Целью изобретения является получениештрихов с наклонным профилем.Указанная цель достигается тем, чтов процессе фототравления вдоль поверхности полупроводника накладывают алект- рическое поле в пределах от 10 до 3510 ф в/см перпендикулярно направлениюинтерференционных полос излучения засвеъ3" 714сителей заряда вызывает изменение скорости растворения попупроводника в области засветки и приводит к изменениюпрофиля травления дифракционной решетки. Причем угол наклона, профиля получаемых решетчатых структур можно регулировать...

Номер патента: 752161

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Ведерников, Гавриловаи, Гундырев, Есин, Мотора, Смирнова, Соловьева

МПК: G01N 23/207

Метки: дифракционных, рентгеновских, топограмм

...На чертежах показаны средние лучи обоих пучков, Первоначальные положения кристалла и пленки показа)ны сплошныии линиями, положения кристалла и пленки в произвольно выбранный,момент съемки показаны пунктиррными1лнния 1 ми. Стрелки указывают направления вращений.В начальный момент времени,луч РО падает в точиу О кристалла и, дифрагируя в направлении ОО, попадает в мчи О, пленки. В процессе съемки кристалл вращаепся о пносительню оси О, лежащей в плоскостц его пюверхности, со скоростью а и юдноаременно воируг оси О, вращения системы кристалл - пленка, совмещенной с фокусом 1 рентгеновской ърубки, со скоростью а, Наложение этих двух вращений относительно параллельных осей дает результирующее доступательное перемещение кристалла. В...

Номер патента: 811192

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Лукашевич, Петров, Стрежнев, Функ

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, отражающихкопий, решеток

...разделительного и защитного слоев, приклеивания стеклянной подложки, отделения копии, удаления разделительного слоя и нанесения в вакууме отражающего покрытия, отражающее покрытие наносят на разделительный слой перед нанесением защитного слоя.Отражающие копии дпфракцпонных решеток по предложенному способу изготавливаются в следующей последовательности.На дпфракционную решетку-матрицу, поверхность которой защищена любым из известных способов, наносят в вакууме разде811192 Формула изобретения Составитель М. Шойтов Техред А, Камышникова Корректоры: О. Силуянова и О. ТюринаРедактор И. Квачадзе Заказ 519/17 Изд. Хо 246 Тираж 553 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35,...

Номер патента: 864223

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Саамова, Стрежнев

МПК: G02B 5/18

Метки: асферических, вакуумной, дифракционных, области, разрешающей, решеток, спектора, способности, ультрафиолетовой

...решетки,50М Л 2. ЛИтеор Атеор 31 теор ЬОтсюда разрешаннцая способность В )дпя длины волны 1, может быть пред 55 ставлена в видегде к лС 1)теор А 2 Из (5) и (6)следует, что разрешающуюспособность решетки В , для длиныволны К можно определить, не измеряя непосредственно при Д , ее разрешающую способность.Таким образом, зная величину разрешающей способности В для однойдлины волны Х в заданном порядке,например, в видимой области спектраможно определить разрешающую способность К 7, для любой другой длины волны , в этом же порядке, например, ввакуумной ультрафиолетовой областиспектра.Измерение разрешающей способностиасферических решеток можно произво"дить только в стигматической областицлин волн, поскольку эти решетки, вособенности...

Номер патента: 883725

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Герасимов, Корнеев

МПК: G01N 23/207

Метки: биологических, дифракционных, исследований, объектов

...перед детектором 11 оптического излучения.Установка работает следующим образом,Полихроматический поток синхротронного рентгеновского излучения отисточника попадает в монохроматор 3,где дифрагирует; от изогнутой с радиусом г поверхности кристалл-монохроматора 4, устанавливаемого наугол Брэгга "6" в зависимости оттребуемой монохроматической длиныволны Х, частично диафрагмируется отсекателем 5, устанавливаемого в заданное положение в зависимости от угла среза атомных плоскостей кристалла 4, и фокусируется в горизонтальнойплоскости в плоскость регистрациидетектора 9 рентгеновского излучения.Затем выделенный монохроматическийпоток синхротронного рентгеновскогоизлучения проходит через первую щельсистемы 7, отражается от зеркала 6полного...

Номер патента: 673018

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Горелик, Николаев, Турухано

МПК: G02B 5/32

Метки: голографических, дифракционных, решеток, соединения, фазированного

...7. На подложке 8 с фоточувствительным слоем размещены вдоль направления смещения подложки и жестко закреплены нефазированные голографические дифракционные решетки 9 " 12; 13 и 14 - фотодатчики дляФконтроля муаровых полос при фазировании эасвечиваемых участков 15 - 18,Устройство работает следующим об разом.Отдельные участки печатаемой решетки фазируют по картине муаровых полос, образованных вспомогательной решеткой 9 и полем скрещенных пучков 20 света 19 и 20 (фиг,2) следующим образом: вначале на первбй приемной головке фотодатчика 13 фиксируют фазу муаровых полос от левой части участ- . ка 9 вспомогательной решетки и произ водят экспозицию зоны 15 основной решетки двумя коллимированными пучками 19 и 20 сходящимися под углом.Затем...

Номер патента: 884958

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Куинджи, Стрежнев

МПК: B23Q 17/02

Метки: делительная, дифракционных, искривленных, нарезания, решетках, штрихов

...изображена схема делительной машины для изготовления дифракционных решеток.Делительная машина содержит станину 1, делительную каретку 2, заготовку 3 решетки, резцовую каретку 4,раздельные прямолинейные направляю- . 1 Ощие 5 и 6 резцовой каретки, резец 7,закрепленный в центре резцовой каретки 4, ось качания которого (непоказана) установлена перпендикулярно нормали к поверхности решетки, 15пружинные поджимы 8 и 9 резцовой каретки, вспомогательные направляющие1 О и 11 для поджимов резцовой кареткиопорные самоустанавливающиеся башмаки 12-14, резцовой каретки, опорныенаправляющие 15-17 резцовой каретки.Делительная машина работает следующим образом,После перемещения делительной ка -ретки 2 с заготовкой 3 на постоянную. деления...

Номер патента: 899714

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Зарипов, Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: C23C 15/00

Метки: дифракционных, решеток

...из следующих соображений.Известно, что коэффициент распыления подложки сначала монотонно увеличивгется с ростом угла падения ионов О на мишень (здесь используется общепринятая система отсчета, когда угол отсчитывается.от нормали к поверхности), достигается максимума при некотором угле 9 = бщО 1, а затем довольно резко уменьшается до нуля при скользящем падении ионов на мишеньФиг, и 2), При углах 6 7 9С процесс распыления шероховатой поверхности становится существенно неоднородным: гладкие 1 плоские)участки поверхности покрытия распыляются медленно, тогда как скорость распыления выступов близка .к максимальной по трем причинам ( фиг.1) за счет локального повышения плотности ионного пучка на склонах выступов 5; за счет бомбардировки...

Номер патента: 924650

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Куинджи, Петров, Стрежнев, Функ

МПК: G02B 5/18

Метки: амплитудных, дифракционных, прозрачных, решеток

...граней штрихов к поверхности подложки. При этом толщина слоя алюминия выбирается равной глубине штрихов и составляет, например, 2,5 мкм. Нагрузку на алмазный резец подбирают так, чтобы глубина погружения резца при формировании штрихов ограничивалась поверхностью подложки. Затем по вышеуказанной формуле определяют напряжение и осуществляют электрохимическое оксидирование в 0;53-ном (ИБ)НРО. 650 1ности решетки создается прозрачныйокисный слой. При этом на дне штрихов образуются прозрачные участкишириной Я, Заданное соотношение между прозрачными и непрозрачными участками штрихов по ширине решетки достигается за счет равномерного окисления слоя алюминия при оксидировании.Наиболее широко используются проз.10 рачные амплитудные дифракционные...