Сохорева

Номер патента: 646706

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Арефьев, Воробьев, Мамонтов, Сохорева, Чернов

МПК: H01L 21/26

Метки: детекторов, полупроводниковых

...других характеристик (в частности, энергетического разрешения детекторов).Это достигается тем, что детекторы облучают позитронным потоком (102 - 10" позитрон/см) готовых полупроводниковых детекторов, Увеличение толщины р-п-перехода достигается также при позитронном облучении детекторов, проработавших в полях ионизирующих излучений.Установлено, что заметное ухудшение энергетического разрешения диффузионнодрейфовых детекторов наблюдается при позитронном облучении потоком более 10" позитрон/см. Кстати, при облучении потоком электронов ухудшение энергетического разрешения наблюдается также при дозе 10" электрон/см.646706 Формула изобретения Составитель Б. Рахманов Техред В. Серякова Корректор В. Петрова Редактор Л. Письман Заказ...