Способ изготовления дифракционных решеток рельефного типа на поверхности полупроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветсиикСоциалистическихРеспубиии 61 ополнительное к авт, сви ву624219/1 1)М. Кл. 2) Заявлено 05,08,"78 (21) присоединением заявки М " 5/14 ВсудерственныМ каинт(72) Авторы изобрете Смирнов и А. В, Шмалько. Быковский, В Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно физический институт(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКБИОННЫХ РЕШЕТОКРЕЛЬЕФНОГО ТИПА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХМ АТЕРИА ЛОВ к Фотоселективноти полупроводника ческого поля приво распределению неос ряда, возникающих слоя при интерфере Такое перераспреде е травление поверхносв присутствии алектридит к дрейфу и переновных носителей завблизи поверхностного нционной его засветке. ление неосновных ноИзобретение относится к области когерентной оптоалектроники, в частностпьк интегральной оптике, и может использоваться при изготовлении алементов иузлов интегрально-оптических схем и систем оптической обработки информации.Известно несколько способов получения дифракционных решеток рельефйоготипа на поверхности тонкопленочных волноводов для целей интегральной оптики Г 13,Решетчатые структуры, полученныеатими способами, обычно имеют профиль,близкий к синусоидальному. Дпя изготовления дифракционных решеток со специальным профилем, например наклонным,требуется сложная технология, включающая получение фоторезистивных масок наповерхности материала, осущес твлениаионно-лучевого травления и друтие вспомогательные операции Е 23 ,Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способинтерференционного фототравления поверхности полупроводниковых материалов, спомощью которого дифракционные решет. ки рельефного типа с синусоидальным профилем получают в едином технологическомцикле Г 33Однако известный способ не позволяетполучать дифракционные решетки с профилем, отличным от синусоидального.Целью изобретения является получениештрихов с наклонным профилем.Указанная цель достигается тем, чтов процессе фототравления вдоль поверхности полупроводника накладывают алект- рическое поле в пределах от 10 до 3510 ф в/см перпендикулярно направлениюинтерференционных полос излучения засвеъ3" 714сителей заряда вызывает изменение скорости растворения попупроводника в области засветки и приводит к изменениюпрофиля травления дифракционной решетки. Причем угол наклона, профиля получаемых решетчатых структур можно регулировать за счет задания величины прикладываемого электрического поля.Предложенным способом получены дифракционные решетки рельефного типа с,наклонным профилем на поверхности полу-"проводниковых тонкопленочных волноводов,Угол наклона профиля решетчатых структур, отсчитанный от нормали к поверхности, составляет от 46 до 75 приизмене-нии величины прикладываемого электрического поля от 10 до 10 в/см соответственно и зависит от степени легирования попупроводника,Применение предлагаемого способа из- рцготовпения дифракционныхрешеток рельефного типа с наклонным профилем обеспечивает возможность изготовления:в еди/ном технологическом цикле различных высокоэффективных элементов и устройств 25 331, 4 направленного действия для интегрально- оптических схем.Формула изобретенияСпособ изготовления дифрвкционных решеток рельефного типа на поверхности полупроводниковых материалов путем интерференциального фото травления поверхности попупроводника, о т и и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью получения штрихов с наклонным профилем, в процессе фототравления вдоль поверхности попупроводника накладывают электрическое попе 10 -; 10 в/см перпендикулярно направлению интерференциальных полос излучения засветки,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, 1 ЕЕЕ, 23, 1975, р, 2.2. АРРИОд РЬУЗЖ, 29, 1976, Р. 303,3, ЖТФ, 46, 1976, с. 505 (прототип), Составитель В. НанторинРедактор О. Филиппова Техред . 3. ФантаКорректор Е, ПаппЗаказ 9283/43Тираж 569ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент", г. Ужтород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
2624219, 05.06.1978
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БЫКОВСКИЙ ЮРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, СМИРНОВ ВЛАДИМИР ЛЕОНИДОВИЧ, ШМАЛЬКО АНАТОЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G02B 5/14
Метки: дифракционных, поверхности, полупроводниковых, рельефного, решеток, типа
Опубликовано: 05.02.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-714331-sposob-izgotovleniya-difrakcionnykh-reshetok-relefnogo-tipa-na-poverkhnosti-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления дифракционных решеток рельефного типа на поверхности полупроводниковых материалов</a>
Станок для фасонной расточки внутренней поверхности заготовки типа кольца
Номер патента: 109044
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Бараб-Тарлэ, Богаковский, Додин, Лозовский
МПК: B23B 41/00
Метки: внутренней, заготовки, кольца, поверхности, расточки, станок, типа, фасонной
...полуавтомат 1.На неподвижном мостике 1, за- КРСПЛЕНО. ЦЯ СТЯ 1:ИНЕ СТЯНКЯ, установлены три шпиндельные головки 3, шш;ндели 1 которых полуяОт вращательное движение прп помощи клиновых ремней от электродв 1 гятсгя;ь Электродвигатель устновас ця крышке гидробяка 6 внутри коробчатой санины,Внутри шпинделя вставлен толкятсл 1, 7 с прорезпо ц зякрспленным в нем роликом 5. Бо второй ко- НЕИ ТОЛКЯТЕЛ 5 ЗЯКРСП,1 Е 11 Я П 1 ТЯНГЯ 9, которая при помощи пружины 1(7 оттягивает толкят.ль 7 в крайнее левое положеце, 1;Опр 11, 51 влЯюш 11 ЙГЯ хВОГтовой частьО РЯсточной оправки 12 с резцом 13, всегдя находится в прорези толкателя 7 и сопршясяется своей рабоч 1 с тОверхностьо с роликом 8. При отьо;е толкатсля 7 в крайнее левое положение ролик 8...
Приспособление к токарному станку для обработки сферической поверхности заготовки типа матрицы экрана электронно лучевой трубки
Номер патента: 118232
Опубликовано: 01.01.1958
Авторы: Голубев, Иванов, Нефедов, Никитушкин
МПК: B24B 13/015, B24B 13/06, B24B 17/02
Метки: заготовки, лучевой, матрицы, поверхности, станку, сферической, типа, токарному, трубки, экрана, электронно
...помощи эксцентрика 11 по мере износа шлифовального круга 7. Корпус 12 шлифовальной головки вместе со шпинделем б и шлифовальным кругом 7 может перемещаться в осевом направлении относительно сухаря 13 при помощи винтовой пары со штурвалом 14. Сам же сухарь 13 вместе со шлифовальной головкой может совершать качательные движения вокруг оси 15 задней бабки 1 б, закреп118232ленной на станине токарного станка болтом 17. Таким образом, шпиндель б выполнен в виде рычага, поворотного вокруг оси 1 б и сообщающего при этом шлифовальному кругу 7 движение в направлении, поперечном к обрабатываемой поверхности заготовки 4. При этом заготовка подвергается обработке по сферической поверхности, радиус которой равен расстоянию от оси 15 до торца...
Струйный аппарат для обработки внутренней поверхности деталей типа труб
Номер патента: 861049
Опубликовано: 07.09.1981
Автор: Чукалин
МПК: B24C 5/06
Метки: аппарат, внутренней, поверхности, струйный, типа, труб
...6 реактивного ротора 4,20 выполненного в виде втулки, установленной с возможностью осевого перемещенияотносительно корпуса 2, при этом в стенкекорпуса 2 перпендикулярно оси центрального канала 3 выполнены боковые каналы25 11 н 12 для отвода рабочей среды в сопловые отверстия 5 и 6.Шайба 13 ограничивает перемещение реактивного ротора 4, а фиксаторы 14 и 15,один из которых подпружинен со стороны30 корпуса 2, - заглушки 10,861049 3В заглушке 10 имеется гайка 16 для перекрытия центрального канала 3, которая крепится на самой заглушке или на корпусе 2.Перемещение заглушки 10 обеспечивает ся вручную или механизированным способом,Работает аппарат следующим образом.Рабочая смесв, проходя через внутренние полости крепежного устройства 1 и 10...
Установка для очистки наружной поверхности изделий типа тел вращения
Номер патента: 1688943
Опубликовано: 07.11.1991
Автор: Пейсахов
МПК: B08B 1/02
Метки: вращения, наружной, поверхности, тел, типа
...скоростью приводятся во вращение направляющие звездочки 2,14 и транспортнцй барабан 4, а через цилиндрическую передачу 20, вал 19, коническую передачу 18 приводится во вращениевал 13 со средством 10 очистки в направлении, обеспечивающим прижатие донышкаампулы 23 к транспортному барабану 4. Одновременно через зубчатое колесо 26 приводится во вращение вал 9 с барабаном 7 сокружной скоростью, отличной от скоростивращения транспортного барабана 4. Ампула после мойки из бункера 1 средства загрузки направляющей звездочкой 2подается в ячейку, образованную сквознымотверстием 5 транспортного барабана 4 иповерхностью 8 очистки барабана 7 вращения, и движется по направляющей 26 к средству 10 очистки.При достижении средства очистки ампула...
Способ обработки внутренней поверхности заготовок типа труб
Номер патента: 1549733
Опубликовано: 15.03.1990
Авторы: Гешелин, Голобородый, Драчук, Ильченко, Маслов, Посвятенко
МПК: B24B 39/02
Метки: внутренней, заготовок, поверхности, типа, труб
...мм, имеющих твердость в состоянии поставки НЧ 1,4-1,8 Гпс,исходную шероховатость по К 3-5 мкм. Инструмент представлял Собой сборные деформирующие протяжки, оснащенные твердо- сплавными деформирующими элементами, материал ВКдиаметрами (мм) 78,45;7954 у 799 70; 7980; 79 84 ф 79789;80,16; 80,28 р 80,29 р 80,30; 80,31. В качестве СОЖ использовался сульфофрезол, Раздачу по заявляемому и базовому (согласно прототипу) способам осуществляли на горизонтально- протяжном станке мод. 7 Б 57 при скорости 0,1-0,2 м/с по схеме растяжения с предварительной проточкой у входного торца заготовки технологического пояска для крепления опорных элементов, Испытания сравниваемых способов проводились при одинаковых условиях в двух партиях по 10 образцов каждая....
Предыдущий патент: Радиолокационная система пространственного контроля количества и интенсивности осадков
Следующий патент: Панкратический объектив
Случайный патент: Устройство для очистки регенеративных вращающихся воздухоподогревателей