Способ получения локального р—п перехода для полупроводниковых приборов

Номер патента: 1507575

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Гольдман, Грилихес, Цалиева, Эпштейн

МПК: B28B 7/38

Метки: плоских, поверхностей, смазки

...торцовых шайб 10 и гаек 11. Диски 5 установлены на валу 4 так, что их радиальные проточки совмещены и образуют общие радиальные проточки на пакете дисков, Вал 4 закреплен в подшипниковых корпусах 12, смонтированных на основании 1. По 15 30 35 40 45 50 55 ристый материал 9 установлен в проточках 6 не на всю глубину, его наружная поверхность образует с поверхностями проточек 6 продольные пазы 13 на наружной поверхности пакета. Это необходимо для того, чтобыисключить контакт материала 9 с обрабатываемой рабочей плоской поверхностью 14 и создать дополнительнуюемкость для смазочного материала.Емкость 2 по периметру снабженапрокладками 15 и 16 для предотвращения произвольной утечки смазочного материала 3, Механизм нанесения смазочного...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1105078

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Зеленцов, Козин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, изготовлении, полупроводникового, тензочувствительного, элемента

СПОСОБ ДИФФУЗИИ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий размещение в лодочке партии полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта, окружающих пластины и расположенных рядом с ними, введение лодочки в реактор, нагревание полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта до температуры диффузии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления элемента путем уменьшения разброса поверхностного сопротивления диффузионных слоев в пределах партии пластин и повышения воспроизводимости сопротивлений слоев, предварительно в лодочке вдоль ее продольной оси между твердыми источниками диффузанта располагают вспомогательные полупроводниковые пластины, при этом в начале лодочки...

Номер патента: 1400387

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Кузнецов, Нарышкин

МПК: H01L 21/324

Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы

СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.

Номер патента: 1048514

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Кандаурова, Памятных, Титова, Фихтнер

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации, магнитомногоосного, пластины, считывания

...направленным энергетическим потоком. При счи. тывании информации осуществляют регистрацию локального изменения оптической прозрачности пластины 21 .Недостатками данного способа являютсянеудовлетворительная скорость записиинформации и малая достоверность считывания информации,Белью изобретения является повышениескорости записи и постоверности считывания информации.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу записи и считывания информации с пластины магнитомногоосного материала, включающему стабипизацию температуры пластины, послепующее возпействие на пластину перпенпи 35кулярным к ее поверхности постоянныммагнитным полем, локальное нагреваниепластины и последующие облучение пласти+ны поляризованным светом н...