Стекло для изоляции полупроводниковых
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 381619
Автор: Авторы
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства геЗаявлено ЗО,Х 1.1971 ( 1720152/29-33) М. Кл, С ОЗс 3 риоритетпубликовано 22,Ч.1973, Бюллетень Мата опубликования описания 13 Л 111.19 Комитет по делам изобретений и открытийУДК 666.112.4(088. при Совете Министров СССР. Петрова, А. Заявит Московский институт электронной техники ТЕКЛО ДЛЯ ИЗОЛЯЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВИзвестное стекло для изоляции полупр никовых приборов, включающее РЬО, %02 и ХпО, имеет высокую температуру мягчения порядка 640 С.Для снижения температуры размяг предлагаемое стекло содержит указанные поненты в следующих количествах, ого по м оплавляют прц темазстава имеет хорошую с коэффициентом теродложек цз ситалла ц ения комвесу: редмет изобретен ц 30 - 40 15 - 25 5 - 10 35 - 42 0 10 В 20 з ЬгОз ХпО ме того Р 205 Уг 10, ения укавах,пол проводггивО, ВОз,ЯОе,целью сницоцо содержитющцх колцчес изоляции гающее РЬ тем. что, с змягченця цты в след о состава ( % по весу): - 22,75; ЯОз - 10; ХпО - учают путем мокрого пошихты в присутствии цзодо образования суспензцц, а подложки. Полученный вают при 140 - 150 С в те 30 - 40 15 - 25 5 - 10 35 - 42 20,0 - 3,5. Например, стекл РЬО - основа; ВзОз 41,6 и Р 201 - 3 пол мола компонецтов бутилового спирта которую наносят н слой стекла высушг с присоединением заявки Ле чение 15 - 20 лггггг, а зате пературе 570 в 5 С,Стекло описанного со адгезию и согласовагше мического расширсггггя п арсенида галлия,Стекло дляприборов, вкзноотгтагогггеесятемпературы разацные компонс
СмотретьЗаявка
1720152
В. Петрова, А. И. Ермолаева, А. Н. Поспелов Московский институт электронной техники
Авторы изобретени
МПК / Метки
МПК: C03C 3/074
Метки: изоляции, полупроводниковых, стекло
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-381619-steklo-dlya-izolyacii-poluprovodnikovykh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Стекло для изоляции полупроводниковых</a>
Предыдущий патент: Стенд для виброукладки жгута
Следующий патент: Оптическое стекло
Случайный патент: Способ получения фурфурамида