Патенты с меткой «плазменным»

Номер патента: 234528

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Вагин

МПК: H01J 15/02

Метки: «автрон», газоразрядный, катодом, плазменным, прибор, управляемый

...на месте спая электрода 4 с керамическим кольцом б. С этой целью электрод 3 экранирует все участки (за исключением рабочего тела 7) электрода 4. Чтобы избежать зажигания разряда между электродами 3 и 4, на электрод 3 не подают никакого потенциала.Электрод 2 - общий для катодной 1 и анодной 9 камер. В нем имеются отверстия 10 для диффузии плазмы из катодной камеры 1 в пространство между рабочими электродами 2 и 11. Последние выполняют роль ключа для замыкания энергии накопителя (например, конденсатора или искусственной длинной линии) на нагрузку.Работает прибор следующим образом.После того как накопитель энергии зарядился до требуемого чапряжения, на электроды 2 и 4 подается импульс напряжения от генератора импульсов. После зажигания в...

Номер патента: 414919

Опубликовано: 23.11.1981

Автор: Лазарев

МПК: H01J 17/00

Метки: образованием, плазменным

...штоки 3 для перемещения диафрагм, у отверстий которых возникает плазменное образование. В качестве корпуса устройства для сужения может использоваться корпус разрядной трубки. Диафрагмы могут скользить по внутренней поверхности корпуса.После зажигания разряда и появления у отверстий диафрагмы плазменного образования 4 одну из диафрагм устанавливают в нужной части разрядной трубки, а затем придвигаютк ней другую, если нужно разрушить плазменное образование, илн отодвигают ее, если нужно это образование восстановить.Так, например в стеклянной разрядной трубка диаметром 32 мм пук давлении водорода в ней 510 110 1 мм рт.ст., при токе разряда 0,5-1,5 А и напряжение 90 В с помощью диафрагм с отверстиями диаметром 5 мм погасили плазменное...

Номер патента: 426595

Опубликовано: 23.11.1981

Автор: Лазарев

МПК: H01J 17/00

Метки: образованием, плазменным

...стеклянную трубку с внутренним диаметром 32 мм. Диафрагмы 2 имеют возможность перемешаться со скольжением в трубке, при этом зазор между стенкой трубки и диафрагмой составляет 0,1-0,2 мм. Диафрагмы имеютформу полых цилиндров, в донышках которых имеются отверстия диаметром 5 мм. Каждая диафрагма имеет шток 3 для пере движен ия.При разряде (Р= 1 105 ф 10им рт.ст., 3=0,5-1 А, О 90 В) через объем, ограниченный корпу- сом 1 и диафрагмами 2, у отверстия диафрагм с катодной стороны (если расстояние между диафрагмами больше 6 мм) возникают яоко светящиеся426595 Формулаиз обретен и я ед З,Фанта Корректор В. Бутяга Миронов Редактор Заказ 10 Подпи си ое итета СССР открытий кая наб., д. 4/5/1 Тираж 787ЬНИИПИ Государственного коапо делам...

Номер патента: 1215903

Опубликовано: 07.03.1986

Автор: Золян

МПК: B23H 5/04

Метки: зоны, механической, плазменным, подогревом, резания

...и гидромашин и аналогичныхдеталей больших диаметров с ппазменным подогревом зоны резания,Цель изобретения - упрощениеконструкции за счет исключения автономного источника питания дуги.На чертеже схематично изображенопредлагаемое устройство,Устройство дпя механической обработки с ппазменным подогревомзоны резания содержит магнит 1 собмоткой самовоэбуждения, соединенной одним концом 2 с элементом крепления обрабатываемой детали 3, авторым концом с электродом 4,обеспечивающим создание дуги в зонерезания,Устройство работает следующим,образом,Под воздействием магнитного полямагнита 1 между точками с различными линейными скоростями обрабатываемой детали 3 образуется разность потенциалов, пропорциональная,при прочих равных условиях,...

Номер патента: 1584581

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Глушихин, Попов

МПК: G01T 1/29

Метки: газоразрядной, генерации, камере, местоположения, нейтронов, области, плазменным, тяжести, фокусом, центра

...по радиусу конвертора г в пределах зна чений полученной функции распределе-. ния плотности активации конвертора и находят соответствующую ей плотность активации Ма(г 1), Определяют расстояние х от центра тяжести обла-.сти генерации нейтронов до центрасимметрии области с максимальной ак-тивностью конвертора расчетным путемиз выражения Ма(г 1) х Р(г) = - - -- = --- (0,875 + Ма(г ) х+гф 4)Р(ш)+4,989Лучшей точности определения х достигают, выполнив раечеты для не-. : скольких других произвольно взятых 20 точек по радиусу (г) конвертора. Полученные значения усредняют по результатам нескольких вычислений.- х . . (3)1 ч г, 125и я и9=1 1 у;- Способ определения местоположения центра тяжести области генерации йейтронов реализован на...

Номер патента: 1797628

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Джон, Юджин

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, осаждением, плазменным, пленок, тонких

...с основного энергетического квантового уровня п=1 на более высокий энергетический квантовый уровень п=З. Когда этот возбужденный электрон переходит на соседний, более низ.кий энергетический квантовый уровень п=2, испускается фотон на волне альфа-водорода. Аналогично фотон на волне бета-водорода испускается, когда возбужденный водородный атом после столкновения с 45 электроном, энергия которого больше 12,73 эВ, сходит со своего возбужденного п=4 квантового уровня обратно на энергетический квантовый уровень п=2, Как результат, интенсивности этих эмиссионных линий во дорода оказываются связанными с плотностью электронов в плазме, обладающей этими энергетическими уровнями. Отношение этих интенсивностей водородных эмиссионных линий дает...

Номер патента: 1819293

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Веселкова, Лясников, Наговская, Пархета, Похмурский, Сидорак

МПК: C23C 4/00, C23C 4/18

Метки: методом, напыленных, плазменным, покрытий, последующей

...и металлов с покрытием, а также обнаруженное явление ускорения диффузионных процессов в металлах и металлосистемах под влиянием растворенного в них водорода. Соединение этих явлений в одном процессе и определение темпера турных режимОв термообработки позволило достигнуть. поставленную цель. Подобного решения задачи в процессе патентного поиска нами не обнаоужено, что позволяет сделать вывод о существенной новизне предложенного способа.1819293 30 римечание;и- конечный угол перегиба, при котором наступает растрескиваниепокрытия при технологических пробах на перегиб;Р - значение нормальйого усилия отрыва покрытия от основы прииспытаниях на отрыв. П р и м е р 1. На никелевую пластину способом плазменного напыления наносили покрытие меди,...

Номер патента: 1383716

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Верещагин, Волокитин, Гринькова, Романюк, Скрипникова

МПК: C04B 28/20

Метки: кирпича, плазменным, покрытием, силикатного, смесь, сырьевая

...43,5 40,62510 48 в 6 46 ь 5 33,2 26,5 40 80 Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при изготовлении силикатного кирпича с покрытием, полученным при опланлении его поверхности источником низкотемпературной плазмы.Целью изобретения является повьппение кислотостойкости. 10Пример осуществления изобретения.Вяжущее готовят совместным помолом извести и песка в соотношении 1:1 до удельной поверхности 4200 см/г, после чего в полученную смесь вводят диопсидовый (отход добычи флогопита) и кнарцевый пески с модулем крупности 1,25. Смесь увлажняют до влажности 7-9 Х и формуют при давлении 15 ИПа. Образцы подвергают автоклавной абра ботке по режиму 2-8-2 при давлении пара 8 атм.Поверхность полученных...

Номер патента: 770260

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Малахов, Найденов, Никитин, Петров, Шарыпов

МПК: C23C 4/12

Метки: нанесения, напылением, плазменным, покрытий

Способ нанесения покрытий плазменным напылением, включающий создание потока низкотемпературной плазмы, подачу в него порошкообразного материала и напыление его на изделие, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности покрытий и их адгезии с основой, напыление ведут ламинарным потоком плазмы с углом расширения 0 3o и удельным теплосодержанием 26 30 квт ч/м3.

Номер патента: 1225273

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: напылением, плазменным, пленок, тонких

1. Способ получения тонких пленок плазменным напылением, включающий зажигание дугового разряда в атмосфере инертного газа между анодом и термокатодом, формирование контрагированной плазменной струи, введение в нее наносимого материала и конденсацию его паров на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их электрофизических свойств и повышения производительности процесса, наносимый материал вводят в плазменную струю в виде порошка с размером частиц 30 - 45 мкм со скоростью 8 - 10 г/мин при скорости истечения плазменной струи 8 - 9 м/с, давлении инертного газа 5,3 - 8,0 Па и потенциале на аноде 300 - 400 В, затем плазменную струю подвергают...

Номер патента: 1412367

Опубликовано: 27.08.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: нанесения, напылением, плазменным, пленок, тонких

Способ получения тонких пленок плазменным напылением по авт.св. N 1225273, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса при изготовлении ГИС, перед нанесением токопроводящего слоя формируют диэлектрический слой путем подачи в плазменную струю смеси испаряемого порошка и кислорода при степени двухфазности потока (0,3 - 0,5), причем в качестве испаряемого порошка используют кермет.

Номер патента: 1839789

Опубликовано: 27.03.2005

Автор: Кубарев

МПК: F02K 11/00

Метки: двигателем, плазменным, полетом, ракеты

Устройство управления полетом ракеты с плазменным двигателем, отличающееся тем, что, с целью изменения направления полета ракеты путем поворота струи плазмы, в нем установлена магнитная система из трех-четырех электромагнитов (магнитов), симметрично расположенных на кольцевой раме, укрепленной на сопле двигателя, перемещение которых в сторону потока либо изменение величины и направления их магнитных полей вызывает отклонение струи плазмы.