Способ получения диэлектрических пленок для мдп структур на основе арсенида индия и его твердых растворов

Номер патента: 1179232

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Захаров, Малашкин, Новиков, Усов, Широков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

...устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор высокой частоты, выход которого подключен к шине для подключения затвора МДП-структуры, выходу генератора пилообразного напряжения и первому входу регистратора, исток МДП-структуры подключен к входу усилителя и первому выводу делителя второй вывод которого соединен с общей шиной, выход усилителя подключен к входу детектора, дифференциатор, выход которого соединен с вторым входом регистратора, введены задатчик эталонных сигналов, коммутатор и дополнительный регистратор причем выход детектора соединен с первым входом коммутатора, второй вход которого подключен к задатчику эталонных сигналов, первый выход коммутатора соединен с входом дифференциатора, а второй выход - с...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 767673

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Барышев, Боханкевич, Столяров, Цветков

МПК: G01R 31/12, G01R 31/26

Метки: диэлектрике, мдп-структур, микропробоя, неразрушающего

...напряжения, а выход -к коммутатору, включенному между генератором испытательного напряженияи испытуемой МДП-структурой, котораясвязана с генератором йспытательногонапряжения через последовательно соединенные усилитель-детектор микропробоя и шунтирующую блокировку.Такое устройство обеспечивает подачу на испытуемую МДП-структуру знакопеременного испытательного напряжения и измерение напряжения микропробоя в диэлектрике структуры без ееразрушения.На чертеже приведена бЛок-схемапредлагаемого устройства.Устройство содержит генератор испытательного напряжения 1, выполненный в виде генератора однополярныхимпульсов, нуль-орган 2, коммутатор 3,испытываемую структуру 4,усилитель-детектор пробоя 5, шунтирующую блокировку 6,...

Номер патента: 924635

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: измеритель, мдп-структур, характеристик, электрофизических

...ко велик туры пра ктрика. едол струк диэле Слтельно, в ре а напряж онного усили емени д 1имсмещся Р+йаТаким образом достигается компенсация емкости диэлектрика С 1.Аналогично компенсируется емкость диэлектрика и для интервала времени Ь, ,е. выходное напряжение операционного усилителя 7 не зависит от параметра С при подаче на ИДПструктуру 6 воздействия любого вида.После того, как емкость диэлектри. ка С,1 скомпенсирована, начинается процесс снятия С-С-Ч-характеристик.Обеспечение компенсации влияния напряжения смещения О ена режим работы операционного усилителя 7 по постоянному току достигается при помощи блока 19 компенсации напряжения смещения, состоящего из интервала 20, регулируемого сопротивления 21 и ключа 22.На регулируемое...

Номер патента: 958986

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Адаскин, Мишин

МПК: G01R 31/30, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, пробивного

...резистор 24 цепи коррекции,другой вывод которого соединен с выходом интегратора 23, выход. Усилителя постоянного. тока подключен к первым входам основного компаратора 18 10и комйаратора 19 коррекции, второйвход компаратора 19 соединен с шиной нулевого потенциала, его выходсвходами. триггера 20 и блока 1 управления, второй вход которого соединенс выходом элемента 21 совпаденияпервый вход которой соединен а выходом основного компаратора 18, второй вход - с выходом трйггера 20, второй. вход которого соединен с четвертымвыходом блока 1 управления, пятый,шестой и седьмой выходы которогосоединены соответственно. с вторымивходами интегратора 23, элемента 25.защиты и дополнительного ключа 22 интегратора, второй вход которого .соединен с...