G01R 33/05 — в тонкопленочных элементах

Номер патента: 249468

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Клюкин, Фабрикой

МПК: G01R 33/05

Метки: градуировки, магнитного, поля

...луч, и сопоставляют эту величину с известным значением поля переключения эталона.Это обеспечивает сравнительно высокую точность градуировки при использовании портативной аппаратуры.На чертеже приведена схема, реализующая описываемый способ.Эталон 1, представляющий магнитную пленку с полосовой доменной структурой, на которую нанесен магнитный коллоид, образующий на ее поверхности диффракционную решетку, намагничивают с помощью вспомогательных катушек 2 в направлении 3, составляющем определенный угол с направлением 4 силовых 5 линий градуируемого поля, Свет от источникаб через,конденсор б и светофильтр 7 падает на эталон и диффрагирует на нем, Диффрагировавший луч 8 попадает в глаз наблюдателя 9. Включив традуируемое поле,...

Номер патента: 277081

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Забиров

МПК: G01R 33/05

Метки: нановеберметр

Номер патента: 282521

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Изобретени, Клюкин, Фабри

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитного, напряженности, поля

...10. Катушки электромагнита питаются от стабильного источника 11 литания. С помощью системы термостабилизации катушки и датчик поддерживаются при посто янной температуре в объеме 12. Датчик 1 иэлектромагнит 7 расположены на Вращающемся основании.Работа устройства основана на подсчетеизменения количества доменов на базе датчн ка при нарастании магнитного поля от нуля доизмеряемого значения, Высокая точность измерения обеспечивается тем, что сравнительно малому изменению поля соответствует значительное изменение числа доменов на единице 25 длины пленки. Регистрация изменения числадоменов основана на воздействии поля рассеяния домена на измерительную нить 3, прп этом могут быть использованы различные механизмы этого...

Номер патента: 337740

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Август, Харьковский

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, пленок, тонких, характеристик

...полярности импульсов через первый и второй д 3 Скрикннаторэ. Ширна пряхтоугольного импульса являегся мерой измеряемой вели нны и преобрдзовывдется одним из известных способов в цифровую или аналоговую форму,1 д фнг, 1 показдна струкгурдая схема устройствд; на фнг. 2 - временная, диаграмма напряжений в рдзлн 1 н,х точках схемы.Схехд содержит генерагор низкочастотного смещаощего поля 1, генератор аксиальныхРедак Е, Гоича а299 2 Изд о 81 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 ипография, пр. Сапунова, 2 псрсмагиичивдОпих изптльсов 2, цилиид)зичсскую тонкую магнитную пленку 3, импульсный усилитель 4, схему запоминания максимальной амплитуды...

Номер патента: 342144

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ведюшкин, Сибирский

МПК: G01R 33/05

Метки: амплитуды, магнитной, поля, составляющей, электромагнитного

...а направление перематпничивающего поля,было перпендикулярно к пробному и лежало в плоскости пленки. При перемапничивании пленки происходит модуляция элекгромавнигного поля, проходящего по СВЧ-тракту к детекторной секуции.5 Форма кривой, снимаемой с детектора,повторяет закои изыеивния мапнитной восприимчивости ТМП, а амплитуда,магнигной воевриимчивости пропорциональна величине пробного, поля, т. е, амплитуде магнитной со ставляющей электромагнитного поля. Такимобразом, измерение осущесгвляется по глубине модуляции, которая,возникает при,перемапничивании ферромапнигной пленки.Предлагаемый способ вложет быть,реализо ван с посмощью установки, блок-схема которой представлена на фиг. 1.Непрерывные колебания Р, поступают в,отрезок...

Номер патента: 402837

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 33/05, G11B 23/00

Метки: 402837

...междусигналами, одновременно воспроизведенными ицдукциоцноц н цотокочувс 5 вцтельцоц головками, возникает фазовын сдвиг, содержащий как статическую, так и динамическую составляющие.Динамическая составляющая фазовогосдвига вызывается диффереццирующим эффектом индукционной головки, проявляющимся прц нестабильности потока в сердечнике головки, а фазовая цестабильцосп., вызванная этим эффектом, определяется двумя составляющими, зависящими от относительной неравномерности остаточной намагниченности но сителя, возникающец в процессе записи, цнестабильности зазора между носителем и головкой при воспроизведении, причем первая составляющая зависит от плотности записи (обратно пропорциональна плотности записи), а вторая от нее це...

Номер патента: 411402

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G01R 33/05

Метки: 411402

...ТМП,Для определения наличия блочной магнитной структуры и определения положения максимума магнитной восприимчивости на частоте ферромагнитного резонанса по предлагаемому способу положение максимума магнитной восприимчивости определяют сначала вусловиях однородного пробного поля, затем -неоднородного и по его смещению судят о наличии блочной магнитной структуры. 2Схема, реализующая предлагаемый способ,представлена ца чертеже.С генератора 1 ВЧ-колебания через развязывацощцй аттецюатор 2 поступают ца отрезок измерительного тракта 3 с помещенной в него пленкой 4. Квазистатическое поле создается перемагничивающим устройством 5. Промодулировацные законом поглощения ВЧ-мощности колебания поступают на согласующий трансформатор 6 с секцией...

Номер патента: 864206

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Маслов, Сбитнев, Снегирев, Чернокоз

МПК: G01R 33/05

Метки: металлической, немагнитной, пленок, поверхности, свойств, ферромагнитных

...магнитопровод 1 с противоположно ориентированными зазорами и намагничивающей обмоткой 2, измерительную обмотку 3, компенсационную обмотку 4, генератор переменного напряжения 5, источник гармонических составляющих напряжения перемагничивания б, блок 7 регулировки амплитуд и фаз, блок компексации 8,элемент начальной балансировки 9и образец 10. Выход блока компенсации 8 является выходом устройства поиндукции.Работает устройство следующимобразом. При перемагничивакии магнитопрово,.: 1 полем переменного тока в оботкр 2, в измерительной обмотке 3 и компенсационной обмотке 4 наводятся при отсутствии образца примерно одинаковые напряжения, так как магнитопровод выполнен симметричным, и на входе блока компенсации 8 присутствует...

Номер патента: 868661

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Глущенко, Курочкин, Лаптиенко, Ходосов

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, параметров, пленок, тонких

...2 поступает на катушки 5 диф.ференциального датчика 3. При этом б 5 на катушках датчика напряжение высокой частоты различно из-за того, что в одной из катушек размещен образец.В связи с тем, что выходное напряжение детектора стабилизировано блоком 9 стабилизации, разность напряжений на входах дифференциального усилителя пропорциональна поглощениювысокочастотной энергии образцом.С амплитудных детекторов 8 датчика 3 сигнал поступает на входы дифФеренциального усилителя 10, а также на вход блока 9 стабилизации выходного напряжения амплитудного детектора, который управляет работой регулирующего элемента 2 таким образом, что выходное напряжение детектора 8 поддерживается постоянным в широком диапазоне частот,Датчик 3 с...

Номер патента: 951208

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Бакаленко, Краснов

МПК: G01R 33/05

Метки: линии, пленок, резонанса, ферритовых, ферромагнитного, ширины

...приспособления устанавливаетсяна стыке двух закороченных микрополосковых линий. Подмагничиваюшее поле с помощьюспециальной магнитной системы прикладыва О ется перпендикулярно плоскости пленочногообразца 12). Однако сильная зависимость результатов измереций от величины угла приложения по.,С.Ес 1,:;Есо 1 СЕ:; С;-, ), С:С,1 .сзс 11 1 ссс Р".сОй ТВ: вс:1П Ц Пса 1 ЕПСа ГИЦ, раЗМЕВКП:.д Ьсе;71 у се;,1 .ПСЕОясцц ЬП-. МВ 1 спсЕ.ЕПО г;". 1 Г; О 7 ЕПВГЦЕСсц:Вапяцсто ПОЛЯ С ПОМОЦЬЕО ЦУНТ В01 В 1;я и:1 змеряется мицимальныи козф.ссППЕИЕЦТ ЗЗГУХаЕПЕЕЕ ПО МОГЦ ГОСтц СИГПала На В 1,1 хоце измерительного устроистВа на резо п 1 п цо 1 пасс оте. Гпс измерсинои е 1 еличице ВЕ 1- : ИСЕЯсЕОГ УРОВЕНЬ ЗатУХаНИЯ, На КОТОРОМ ЦЕ- оохо.имо производить измерения....

Номер патента: 1019380

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Епанчинцев, Нюнько, Силантьев, Шелухин

МПК: G01R 33/05

Метки: дефектов, магнитных, одноосных, пленок, плотности, ферромагнитных

...работает следующим образом.Метод измерения основан на движении изолированной доменной стенки образца материала в градиенте поля подмагничивания. Наблюдение страйп-доменной структуры проводится с помощьюмагнитооптического эффекта фарадея.С помощью блока 1 формированияградиентного магнитного поля на образце 2 создается изолированная доменнаястенка, Пучок света с источника света3 проходит через поляризатор 4, образец 2, анализатор 5 и попадает на фотокатод передающей телевизионной камеры 6, С выхода камеры 6 видеосигнал от гребенки страйп-доменов образца 2 усиливается и формируется усилителем-формирователем 9. Усилитедьформирователь 9, синхронизируемый импульсами с синхрогенератора 11, устраняет неравномерность фона видеосигнала,...

Номер патента: 1061078

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Водеников, Иващенко

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической

...обмоткой, охватывающей подложкуи компенсирующий проводник, а второйвыход соединен с входом второго формирователя импульсов электрическоготока, два параллельных канала, состоящих из последовательно соединенныхдискриминатора и преобразователя импульсных сигналов в постоянное напряжение каждый, включенных между выходом импульсного усилителя и первыми вторым входами вычитающего блокасоответственно, первую и вторую линии задержки, выходы которых подключены к вторым входам соответствующих первого и второго дискриминаторов, а вход первой линии задержки - к второму выходу генератора,и измерительный резистор, дополнительно снабжено третьим формирователем импульсов, вход которого подключен к третьему выходу генератора ик входу второй линии...

Номер патента: 1078369

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Дубинко, Иванов, Пухов

МПК: G01R 33/05

Метки: кривизны, магнитного, поля, радиуса

...анализатора. Для измерения указан- в зависимости от диапазона измерения ных характеристик магнитного поля1радиуса кривизны, Предельный угол намагнитооптический активный элемент 45 клона определяется областью существыполнен в виде двухслойной магнит- вования лабиринтной доменной струкной пленки с различными средними туры в отсутствии внешних полей для температурами магнитной компенсации используемого магнитооптического мав слоях и с монотонным изменением териала.результирующей намагниченности в Устройство основано на использокаждом слое. ванин эффекта однородного зарожденияРабота устройства основана на яв- доменной стрУктУРы в одноосной маглении возникновения излома плоской нитной пленке. доменной границы на поверхности раэ-...

Номер патента: 1173363

Опубликовано: 15.08.1985

Автор: Водеников

МПК: G01R 33/05, G01R 33/12

Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической

...регулируемый резис-з 55тор 20, последовательно соединенные аналоговый перемножитель 21и масштабирующий блок 22, причем один из входов аналогового перемножителя 21 подключен к выходувторого преобразователя. 17 импульсных сигналов в постоянное напряжение, второй вход аналогового пере- множителя 21 подключен к регулируемому входу балансировочного резистора 3, выход масштабирующего блока 22, соединен с вторым входом блока 15 вычитания, а входы обеих линий .задержки 18 и 19 соедииены с первым выходом генератора10.Устройство работает следующимобразом,Генератор 10 вырабатывает импульсы запуска формирователей 9 и 11 импульсов тока, согласованные во времени, с выхода формирователя 9 импульстока 1 (Фиг,3) постуИпает на подложку 1, намагничивая...

Номер патента: 1182575

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Карпенков

МПК: G01R 33/05, G11B 27/36

Метки: анизотропии, информации, магнитного, носителя, поля

...Затем через записывающую обмотку комбинированной головки пропускают возрастающий электрический ток постоянного направления. При этом между полюса ми головки записи генерируется поле рассеяния, напряженность которого увеличивается с возрастанием тока записи. Одновременно осуществляют регистрацию выходного сигнала от р 0 магниторезистивного элементакомбинированной головки. По достижении напряженности магнитного поля рассеяния между полюсами головки величины, при которой сигнал воспроизве- р дения принимает максимальное значе-, ние,измерения заканчивают,так как напряженность магнитного поля рассеяния "именно при максимальном значении воспроизведенного сигнала соответствует величине поля анизотропии исследуемого участка магнитного...

Номер патента: 1241167

Опубликовано: 30.06.1986

Автор: Баканов

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, полей, постоянных

...полупроводникового материала возникает индуцированный канал как в обычном полевом транзисторе,. При этом в слое 2 полуйроводникового материала между электродами 3 появится тепловой канал " узкая Область, в которой будет протекать ток, а в полупровод 1никовом материале в области каналапроизойдет фазовый переход полупроводник - металл и проводимостьвозрастает на несколько порядков. Внут 5;ри теплового канала температура возарастает до 68 С. Сверху структурынанесена пленка жидкого кристалла 6,которая при температуре фазового пе"рехода меняет цвет. Хаким образом,О при нулевом магнитном поле в местенахождения теплового канала появля"ется цветная полоса, соответствующаянулевому значению,напряженностимагнитного ноля на шкале 7.При внесении ....

Номер патента: 1287063

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Мокроусов, Пучкин, Суйков, Тихонов

МПК: G01R 33/032, G01R 33/05

Метки: магнитного, напряженности, поля

...световода 2. Проходя по прямоугольному световоду, свет испытывает полное внутреннее отражение от его стенок, в том числе, отражение от участка стенки световода с нанесенной Ферромагнитной пленкой 3, и с выхода сцетовода 2 попадает в Фотоприемник б, При помещении устройства в магнитное поле коэффициент отражения участка стенки световода с нанесенной плен 63 2кой для света, имеющего поляризацию Е, перпендикулярную плоскости пленки, за счет экваториального магнитооптического эффекта Керра. будет меняться. Изменение коэффициента отражения, пропорциональное величине компоненты Н ,индукции магнитного поля в Ферромагнитной пленке, приводит к изменению интенсивности света, регистрируемого Фотоприемником. По градуировочной...

Номер патента: 1386950

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Антонов, Пафомов, Смирнов, Смирнова

МПК: G01R 33/05

Метки: информации, информационных, носителя, ферроакустического, характеристик

...выходом блока10 формирования кратности записи,входом которого является 8-вход триггера 32,Устройство работает следующим образом.Задающий генератор 1 вырабатываетимпульсы тактовой частоты, определяющие работу всего устройства. Импульсы тактовой частоты поступают на синхронизатор 9 (Фиг,2). На каждый поступающий на вход синхронизатора 9 . 25импульс тактовой частоты счетчик 33меняет свое состояние, Соответственно дешифратор 13 включает следующийсвой выход и дает разрешение на включение следующей операции (стирание,помехи полувыборки магнитным полеми т.д.). На первый импульс тактовойчастоты на втором выходе синхронизатора 9 появляется импульс, запуска.ющий формирователь 5 импульсов стира.35ния, С его выхода импульс стиранияпоступает на...

Номер патента: 1437813

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Аленин, Службин, Темерти

МПК: G01R 33/05

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, цилиндрических

...дифракции из-за коллапса ЦМД, Зафиксированная в этот момент величина поля в зоне расположения образца численно равна полю коллапса ЦМД для контролируемой пленки. Для облегчения изготовления зеркало состоит из двух частей с границей раздела, проходящей через малую ось эллипса и перпендикулярной большой оси.Поляризаторы 2 и 3 установлены так, что плоскости поляризации прохо дящего света пересекаются по оси устройства и повернуты на угол 90 друг относительно друга. Между поляризаторами в магнитную систему помещена контролируемая доменосодержащая пленка 8, Магнитная система 4 содер 35 жит пару катушек, обеспечивающих в зоне контролируемого образца нормальное поле, достаточное цля коллапса ЦМД в пленке, Зеркало 5 служит для40 сбора...

Номер патента: 1539698

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Горский, Помялов

МПК: G01R 33/05

Метки: локального, намагниченности, насыщения, пленки, ферритовой

...ФМР на исследуемом участке пленки. При резонансе изменяется величина мощности Р , отраженная от измерительного резонатора 4, которая выделяется при помощи цирку" лятора 3 и направляется в детектор 5 Одновременно с указанными полями на пленку воздействуют НЧ магнитным полем, направленным по нормали к поверхности исследуемой пленки, для чего с генератора 8 НЧ на петлю 7 подают сигнал низкой частоты. После ВЧ-детектора 5 сигнал детектируется низкочастотным синхродетектором 9, опорная частота детектирования которого задается генератором НЧ 8. В результате на выходе синхродетектора 9 получается производная сигнала по" глощения ФМР, возбуждаемого на исследуемом участке ФП. Зависимость величины сигнала на выходе синхродетектора 9 от...

Номер патента: 1569754

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Ильчишин, Никонец, Семенцов

МПК: G01R 33/05

Метки: домена, магнитного, полосового, поля, свертывания, цилиндрический

...к магнитно обретение относ сьпценногоабиринтной т е н и я тного поля на в цив воздейолем сме- "1 и полярй воспри 0 Сл гистерезисныетандартной На чертеже приведе петли перемагничивани эпитаксиальной Феррит ки (ЭФГП) статическим Н ен нато олем смещ нит ерении тью ри изменении внешив ости. пленк ч я т л го поля корения процесс целью перем тем, что, определен из состоя ют пленк гнич ия одн отивоп я нас поля ожной Аикси ности в на лярности и н оле свертывания ия скоростью сприимчивост ют в моменменения ма пленки мак о стижтной ального значения ГОСУДАРСТВЕННЬЗЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫГИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯПОЛЯ СВЕРТЬВАНИЯ ПОЛОСОЦИЛИНДРИЧЕ СКИ(57) Изобретение может микроэлектронике и может быть использовано в...

Номер патента: 1583893

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Круликовский, Панков, Подолян, Пухов

МПК: G01R 33/05

Метки: датчик, магнитного, поля, постоянного

...8. Регистрирующий прибор 9 через синхронный детектор 10 соединен с низкочастотным выходом генератора 6, второй вход синхронного детектора 10 соединен с первым выходомгенератора 11 модуляции, второй выход которого соединен с первым входом управляемого конденсатора 7высокочастотного автодинного гене ратора 6.Датчик магнитногб поля помещают в измеряемое магнитное поле, причем силовые линии измеряемого магнитного поля должны быть направлены в плос кости магнитоодноосной пленки(фиг. 1 б) параллельно доменным границаьь, Магнитное поле изменяет частоту резонанса доменных границ и с синхрон-, ного детектора 10 на управляемый кон денсатор 7 поступает сигнал. За счет изменения емкости конденсатора колебательного контура частота генерируемых...

Номер патента: 1613883

Опубликовано: 15.12.1990

Автор: Сокол-Кутыловский

МПК: G01R 33/05

Метки: индукции, магнитного, поля

...Доиндукции насыщения (фиг, 1) зависимость резонансной частоты от магнитного поля линейна 30по крайней мере для аморфных сплавов типажелезо-кремний-бор. В области техническогонасыщения эта зависимость становится нелинейной, но имеется участок с достаточно высокой положительной крутизной (крутизна 35положительна, если увеличение поля вызываетувеличение частоты резонанса), Подавая полесмещения, можно вывести ферромагнетик на. участок с наивысшей положительной крутизной. При этом нулевой сдвиг фаз соответствует 40индукции поля смещения.Источник 9 (фиг. 2) с помощью катушки8 создает магнитное поле смещения, превышающее индукцию насыщения ферромагнитного сердечника и соответствующее 45участку с положительной крутизной (фиГ, 1),Генератор 1...

Номер патента: 1649478

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Лукашенко, Рощенко, Самофалов

МПК: G01R 33/05

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля, реализации

...в форме полосы ийи меандра, имеющий электрические контакты 2.На фиг. 2 показаны экспериментальные кривые зависимости относительного изменения магнитосопротивления д = Луэ/ ф )вах от напряженности измеряемого поля Н для одной и той же пленки в случае измерения поля по предлагаемому способу (кривая 1) и по известному способу (кривая 2).Измерение напряженности поля Н осуществляют следующим образом, К магниторезистивному элементу 1 предварительно прикладывают импульс постоянного поля Но ориентированного вдоль направления тока и достаточного для насыщения магниторезистивного элемента. Магниторезистивный элемент в данном примере выполнен в виде полосы из ферромагнитной пленки, характеризующейся прямоугольной петлей гистерезиса в...

Номер патента: 1649479

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Гайович, Зависляк, Романюк

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, параметров, пленок, эпитаксиальных

...м щий воздействолновод, эле нной частоты ансного погл полем постоянной частоты в. Далее прикладывают постоянное магнитное поле к пленке, ориентируют его перпендикулярно плоскости ЭМП и измеряют амплитуду резонансного поглощения электромагнитной 5 энергии в пленке при различных значениях величины этого магнитного поля (Ноп), которое следует изменять в пределах- + 2 й б 4 ( Ноп- + 4 Л Ма где Ма - предполагаемая величина намагниченности насыщения (например,для ЖИГ- пленки 4 д,Ма = 200 э)Затем ориентируют постоянное магнит ное поле параллельно плоскости пленки вдоль одного из ребер и измеряют амплитуду резонансного поглощения электромагнитной энергии в пленке при различных значениях величины этого магнитного поля 20гд 0Нов -- 2,7 г Ь...

Номер патента: 1656480

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Мамиконян, Манукян

МПК: G01R 33/05

Метки: амплитуды, импульсный, переменного, сигнал

...в ближайших к центру круга сечениях клинов и минимальна в наиболее удаленных от центра круга сечениях, В результате напряженность магнитного поля этого тока в один и тот же момент времени уменьшается от центра круга к его периферии, При этом по меренарастания тока происходит поочередное перемагничивание пятен по мере превышения напряженностью поля преобразуемого тока коэрцитивной силы пленок-пятен, Очередность перемагничивания начинается с 5 ближайшего к центру круга пятна и продолжается по мере удаления пятна от центра круга, т,е. вдоль спирали, ЧиСло же перемагниченных пятен определяется амплитудой преобразуемого тока, поскольку удаленные 10 от центра круга пятна, в местах расположения которых из-за малой плотности тока (при данной...

Номер патента: 1659930

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Гришин, Дроботько, Усов, Шаповалов

МПК: G01R 33/05

Метки: константы, магнитных, магнитострикции, пленок, тонких

...обьема, имеет форму сегмента сферической поверхности со сквозными отверстиями 6. При снижении давления тонкая магнитная пленка прогибается и прилегает к сферической поверхности, обеспечивая плотный термический контакт, исключающий градиент температур по поверхности пленки.1 ил. На чертеже показанмерения константы маких магнитных пленок,Устройство содержит корпус 1, кольцевую опору 2, крышку 3 корпуса, перфорированную отверстиями 4, исследуемую пленку 5 и датчик 6, При измерении константы магнитострикции индуктивно-частотным способом в качестве датчика использовалась выносная индуктивность колебательного контура автодина,Устройство работает следующим обраке газа из вакуумированн дуемая пленка начинает и риводит к появлению меха жений в...

Номер патента: 1661697

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Диденко, Дудко, Райз, Степчук

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитной, однородности, пленки, рулонной

...и помещают в устройство кассету с образцом. При этом в зоне намагничивающего узла устройства ока" . зывается первый сектор образца. На обмотку 12 с помощью переключателя 11 подается цапряжение череменного тока от источника 10, создающее в магнитопроводе 4 магнитное поле переменного тока, замыкающееся через магнитную цепь, образованную полюс- ными наконечниками 5 и 6 магнитопровода 4 и слоями магнитного покрытия участка 2 образца, Последовательно проворачивая образец, закрепленный в механизме, с помощью кинематического звена грубого позиционирования узла 1, на один оборот размагничивают кольцевую полосу (зону контроля) образца, ширина которойопределяется шириной полюсных наконечников и составляет около 1/3рабочей эоны записи ГМД 25,С...

Номер патента: 1666992

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Иванов

МПК: G01R 33/05

Метки: параметров, пластин, пленок, ферритовых

...устройство измерения параметров ферритовых пленок и пластин.Устройство содержит входной 1 и выходной 2 микрополосковые преобразователи МСВ на диэлектрических платах 3 и 4, Платы 3 и 4 закреплены на станине 5 и стойке 6, которая может перемещаться в направляющих пазах станины 5. Расстояние между преобразователями 1 и 2 регулируется микрометрическим винтом 7. Станина 5 и стойка 6 накрыты предметным столиком 8. В нем сделана прорезь под свободные, подпружиненные упругими прокладками 9 и 10 концы плат 3 и 4. Исследуемая ферритовая пленка 11 прижимается к поверхности столика 8 грузом 12. Входной 13 и выходной 14 коаксиально-полосковые переходы соединяются с преобразователями 1 и 2 микрополосковыми линиями 15 и 16. Устройство работает...

Номер патента: 1666993

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Гиматов, Гресько, Путин, Храпаль

МПК: G01R 33/05

Метки: доменов, коллапса, магнитных, полей, разброса, цилиндрических

...ЦМД с меньшей энергией коллапсируют, Таким образом. после выключения магнитного поля в образце реализуется решетка ЦМД второго типа.Решетка ЦМД первого типа имеет низшее энергетическое состояние, а решетка ЦМД второго типа имеет высшее энергетическое состояние, Если в магнитном материале не реализуются ЦМД с большим числом вертикальных блоховских линий, то существует только решетка первого типа, низшего энергетического состояния,Определение разброса полей коллапса ЦМД осуществляется в два этапа. На первом этапе для последовательно создаваемых двух типов (" мягкая", "жесткая") решеток снимается зависимость изменения частоты измерительного генератора 9 при перестройке низкочастотного контура 11 с магнитным образцом 4 от поля Н,...