Способ выращивания тугоплавких монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Оп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИяТОРКОМЮ СИДЕТЮЛааСТЮ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(11) 403235 1) Дополнительное2) Заявлено 08,0.7 к авт, свнд-ву -0117/2 21)1619337/2 с прнсоединени (23) Приоритет вкиасударстаанный иомитетСовета Министрао СССРаа делам изобретенийи открытий(43) Опубликовано 25,53) УДК 54 Я.55(0 ЕЕ.М 4,76 Рюллетень 15 я описания 09, 097 Дата опу ков 2) Авторы изобретени П, Катрич и Б. Л. Тиман 1) Заявите(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛ 0,001%, т,е рье. щенном криста з меньше, чем на в вь в 100 с еспечивает выс мый способ обчистки моноколяет легиров Предлага кую степень месей и поз лы добавкам исталлов от прить монокристал закону путемплава и скорости ия монокристаладан изменения толцины слоя р роста в процессе вырашив р тен их монокСпособ вырешиванияристаллов в вакууме путеца затравки и подачи насырья, отличаюшчто, с целью повышения туг оплавм расп авпения торрошкового тем,к онечн ог о чистот юдут мм пр 01 с асплародукта, кристаллизациюа толшиной не более 5 скорост а, не превышают ок Изобретение может найти применение врадиотехнике, лазерной технике и т.д,Известен способ выращивания мопокристаллов в вакууме путем расплавления торцазатравки и подачи на него порошкового сы- арья. Такой способ исключает возможностьполучения особо чистых монокристаллов изсырья технической чистоты,Цель изобретения состоит в повышениичистоты конечного продукта, Это достигается тем, что кристаллизацию Ьедут из расплава толшиной не более 5 мм при скоростироста, не превышающей 1(Т смсек.П р и м е р 1. Кристалл вольфрама вырацивают из сырья с примесью титана. ЯТолцина расплава 0,5 мм, скорость кристализации 10 см/сек. Количества титана в3исходном сырье 0,1%. Концентрация титанав выращенном кристалле 0,0001%, т.е, в1000 раз меньше, чем в исходном сырье. 20П р и м е р 2. Кристалл вольфрамавырашивают из сырья с примесью титана,Толцина расплава 5 мм скорость кристалли-ФФ 2зации 10 см/сек, количество титана висходном сырье 0,1%. Концентрация тита- Ж Таким образом, с уменьшением толцинь расплава и скорости кристаллизации зффективность очистки от примесей увеличивает
СмотретьЗаявка
1619337, 08.02.1971
КАТРИЧ Н. П, ТИМАН Б. Л
МПК / Метки
МПК: B01J 17/24
Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких
Опубликовано: 25.04.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-403235-sposob-vyrashhivaniya-tugoplavkikh-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания тугоплавких монокристаллов</a>
Предыдущий патент: Индуктивный накопитель
Следующий патент: Устройство для поддержания постоянного уровня воды
Случайный патент: Газовый водонагреватель непрерывногодействия