Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков

) М, Кл." В 01 1 17/О рисоединением заявки М Гасударственный комитет Совета Министров СССР по делам изаоретений и открытий(45) Дата опубликования описания 10.03.77 21,315,5088,8)(53) 72) Авторы изобретени Ф, Дудник, О опылов, В, Б ченко и Н. А. Морозов Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники, Фрязинская часть 71) Эаявител 54 ТА ДЛЯ ВЫРА 1 ЦИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ИЗ РАСПЛАВА области выгнетоэлекДля получения крмально высокими велиента, содержащих окиси ниобия, шихту берут5 ношении компонентов,бг О 38 - 47,5, М Ьсумма ВаО+ ЬгО с Изобретение относится шивания монокристалло исталлов с максичинами тирокоэффицилы бария, стронцияв следуюшем отмол.%: Ьа 0 ,5-12; О - остальное, и оставляет 45 - 55. триков изду ЧохральДля поэлек гриков асплава, например, по метокого. лучения монокрист известен сосгав ава, молЛ: Ва 2,5 и МВоОа оста рисгалл состава 25-0,75. Эти к сокие значения лов сегне пихты слелув 12,5-37,5 льное,из которо Ьхь а 20 аф ристаллы имею пироэлек три чес ной оси, особшего сос гО 37,5-1 получают к гдеХ=О, довольно вь й нентя. пп хтые окислы,ых ко В качестве исходн мпо10 ты можно брат не только чисо- но и соли бария и стронциянагреве окислы, напримернитраты. Для получения крким интервалом температур15 указанного состава до 15заменяют на один или нескоиз гру, пы Т 1 0 б г О,Н 1Компоненты шихты смешив платиновый или иридиев20 вают до температуры плавления иплава производят вырашивание кринапример, путем вытягивания на зпо методу ЧохральскогоПример 1 1, остояш1 г ВаО (10. %,8 г ь дающие прикарбонаты или го коэфБциенга вдоль голяр но для Х = 35-0,25, и исп роэлекгрических приемниках нистаглов лироКюри в шитхемолЛ МЬ О,ьзуюгся в пи Однако величина оэффициента при ко едостаточно высок лько окисл пироэлектрического мнатной температур а. Кроме того, крис- интервал температу О Тс,0,.вают, помешаютый тигель, нагреталлы имеют узкийКюри.Цель изобретениэлектрического кс слла я - увеличение пироэффициента при комнатвырашенных кристалтервала значений рав нои температуре в лах и расширение и температу.ры Кюри. исту, сую и 1 мол, 2 О Л И С А Н И Е п 11 42 хззбИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬС 7 ВУ",",0 мол.%), 105,1 г МЬО.(50 мод%)тшательно смешивают, помешают в платиновый или иридиевый тигель и нагревают в+ " о индукционной печи до 1450 - оО -, при ксторой производят вытягивание кристалла по методу Чохральского. Скорость врашения затравки 2 100 об/млн, скорость вытягивания 1,5 - 8 мм/час. Полученный кристалл имеет состав 5 оВд о11 ЬОотемпературу Кюри 52 С и пироэлектричес О кий коэффициент вдоль полярной оси прио, -624 С 0,75 10 к.смград, что почти-6 в два раза превышает величину. 0,4 10 для лучшего известного состава Вд с,о 7йП р и м е р 2, Шихту, состоящую из 17,5 г ВОО,(11,25 мол,%), 45,0 5 РСО, (38,75 молЛО), 104,8 г Й 50 (50 мол,%) подвергают последовательно таким же операциям, как в примере 1, Полученный крис- ф талл состава В о ы в, 7 МЪО,имеет темопературу Кюри 52 С, пироэлектрическийокоэффициент при 24 С, 0,68 10 ксм градП р и м е р 3. Шихту, состояшую из 12,0 г ВаО (9,5 мол, %), 34,5 52 О (405 ьлол, %), 98,7 г ИЪ О(45,2 клоп%),56гРл, 8 г 5;" О4. 8 ълол, %), подвеогают по ледовательно таким же операциям, как ь примере 1. Скорость вытягивания составляет 1 - 2 мм/час. Полученный кристалл имеет состав 5 . Эа о КЬ 5 г О и0,температуру Кюри 60 С.ф ормула изобретения1. Шихта для выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков из расплава, содержащая окислы бария, стронция и ниобия,о т л и ч а ю ш а я с я тем, что, с цельюувеличения пироэлектрического коэффициента в выращенных кристаллах, компонентывзяты в следуюшем отношении, мол,%:ВаО 7,5 - 12; 5038 - 47,5; 11 Ь О остальное и сумма ВаО + 51 О составляет45 -55,2. Шихта по п, 1, о т л и ч а ю ш а яс я тем, что, с целью расширения интервала значений температуры Кюри, до15 мол, % МЬ О заменены одним или несколькими окислами, выбранными из группыт,О гО,НО,То ОСоставитель В, КравченкоРедактср 10, Лгапова Техред М. Г 1 икович Корректор В. Зорина3 ахаз 5767/275ираж 864 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5