Устройство для определения осейлегкого намагничивания шаровыхферромагнитных монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ц 11 508761 Союз Советских Социалистических Республик(23) Приорит Совета т 1 нннстров ССпо делам нзобретении открытий К 621.317.42публиковацо 30,03,7 ллетень М 12 Дата оп бликовани тсания 05.08(72) Авторы изобретения отов и Р. 3. Садыхов(71) Заявитель Институт физики метальского научного центра А(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСЕЙ ЛЕГКОГО НАМАГНИЧИВАНИЯ ШАРОВЫХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ2 мул тени изо ця осси легкого ферромапштцых Устропство для онамагничивания ш зедел овых 30 Изобретение относится к области магнитныхизмереций и может быть использовано дляопределения осей легкого намагничивания,Известно устройство для определения осейлегкого намагничивания монокристаллических 5шаровых образцов, содержащее магнитнуюсистему, образец, находящийся ца поверхностиртути, помещенной внутри сосуда, иглу дляконцентрации магнитного поля, вставленную воправку. 10Целыю изооретеция является повышениеточности определения осей ц упрощение конструкции.Эта цель достигается тем, что магнитная система установлена внутри кольца из армко - 15железа и выполнена в виде двух диаметрально располокенных постоянных магнитов извысококоэрцитивных сплавов, причем один измагнитов, конец которого имеет форму конуса,помещен внутри сосуда под ртутной каплей с 20образцом, а другой магнит одним концом соединен через наконечник с иглой, а другим концом - со стержнем, выполненным с возможностью вертикального перемещения для сближения магнитов. 25На чертеже представлена конструкция устройства,Устройство состоит из кольца 1, изготовленного из армко - железа и установленного цаэбоццтцой подставке 2, постоянных магнитов 3, изготовленных из высококоэрцитивных сплавов, один из которых находится внутри стеклянной труоки 4; наконечника 5, шайбы 6, с помощью которой осуществляется вертикальное перемещение стержня 7. Образец 8 располагается ца ртутной капле 9, находящейся ца поверхности пробки 1 О, Игла 11 из ферромагнитного материала вставляется в отверсти;, просверленное ця оси оправки 12.Устройство работает следтющим образом.Вращение шайбы 6 медленно приближает верхний постоянный магнит 3 к нижнему, в результате чего образец 8 ориентируется цо одной из своих осей легкого цямапшчивяцця вдоль иглы 11, где градиент магнитного поля максимален. При дальнейшем опускании стержня 7 ообразец 8 притягивается острием иглы к концу оправки 12, предварительно смазанной клеем и приклеивается к цей, в результате чего ось легкого намагничивания образца 8 совмещается с осью оправки 12. После извлечения иглы 11 из оправки 12 последняя вместе с приклеенным на ней образцом 8 перемещается в установку для измерений.Коррект Редактор Н. Коляда ван Изд. М 1526 Тираж 1029 Государственного комитета Совета Министров С по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раущская наб., д. 4 5Заказ 16921Ц 1-1 одписное П ппографпя, пр. Сапунова, 2 монокристаллон, содержа 1 йее магнитную си. стему, образец, находящийся на поверхности ртути, помещенной внутри сосуда, иглу для концентрации магнитного поля, вставленную в оправку, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения осей и упрощения конструкции, магнитная система установлена внутри кольца из армко - железа и выполнена в виде двух диаметрально распо ложеннь 1 х постоянных магнитов йз высоКб коэрцитивных сплавов, причем один из магнитов, конец которого имеет форму коиуса, поМещен внутри сосуда и под ртутной каплей с 5 образцом, а другой магнит одним концом сое.динен через наконечник с иглой, а другим концом - со стержнем, выполненным с возможностью вертикального перемещения для сближения магнитов.
СмотретьЗаявка
2080226, 03.12.1974
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МЕТАЛЛОВ УРАЛЬСКОГОНАУЧНОГО ЦЕНТРА АН СССР
ЗОТОВ ТАРАС ДМИТРИЕВИЧ, САДЫХОВ РЗАКУЛИ ЗЕЙНАЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/12
Метки: монокристаллов, намагничивания, осейлегкого, шаровыхферромагнитных
Опубликовано: 30.03.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-508761-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-osejjlegkogo-namagnichivaniya-sharovykhferromagnitnykh-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения осейлегкого намагничивания шаровыхферромагнитных монокристаллов</a>
Устройство для измерения угла скоса легкой оси анизотропии цилиндрической магнитной пленки
Номер патента: 1061078
Опубликовано: 15.12.1983
МПК: G01R 33/05
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической
...обмоткой, охватывающей подложкуи компенсирующий проводник, а второйвыход соединен с входом второго формирователя импульсов электрическоготока, два параллельных канала, состоящих из последовательно соединенныхдискриминатора и преобразователя импульсных сигналов в постоянное напряжение каждый, включенных между выходом импульсного усилителя и первыми вторым входами вычитающего блокасоответственно, первую и вторую линии задержки, выходы которых подключены к вторым входам соответствующих первого и второго дискриминаторов, а вход первой линии задержки - к второму выходу генератора,и измерительный резистор, дополнительно снабжено третьим формирователем импульсов, вход которого подключен к третьему выходу генератора ик входу второй линии...
Устройство для измерения угла скоса легкой оси анизотропии цилиндрической магнитной пленки
Номер патента: 1173363
Опубликовано: 15.08.1985
Автор: Водеников
МПК: G01R 33/05, G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, угла, цилиндрической
...регулируемый резис-з 55тор 20, последовательно соединенные аналоговый перемножитель 21и масштабирующий блок 22, причем один из входов аналогового перемножителя 21 подключен к выходувторого преобразователя. 17 импульсных сигналов в постоянное напряжение, второй вход аналогового пере- множителя 21 подключен к регулируемому входу балансировочного резистора 3, выход масштабирующего блока 22, соединен с вторым входом блока 15 вычитания, а входы обеих линий .задержки 18 и 19 соедииены с первым выходом генератора10.Устройство работает следующимобразом,Генератор 10 вырабатывает импульсы запуска формирователей 9 и 11 импульсов тока, согласованные во времени, с выхода формирователя 9 импульстока 1 (Фиг,3) постуИпает на подложку 1, намагничивая...
Способ измерений скоса легкой оси анизотропии магнитной пленки
Номер патента: 514254
Опубликовано: 15.05.1976
Автор: Коперсако
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, измерений, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса
...применение двухполярного импульса поля обеспечивает 30 перемагничпвание материала пленки по преРЕНИЯ СКОСАИ МАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ дельному циклу, при этом импульсы э.д.с, практически не зависят от начальной намагниченности пленки и определяются величиной угла скоса легкой оси анизотропии исследуемого участка пленки.Компенсация величины э,д.с., наведенной в подложке, осуществляется за счет пропускания через подложку электрического тока, имеющего постоянную 1 и переменную 1 составляющую, синхронизированные с перемагничивающим полем, Закономерность изменения импульсов э.д.с. в зависимости от величины постоянной составляющей тока 1 показана на фиг. 1, из которой ясно, что величина импульса э.д.с. изменяется однотонно, независимо от...
Устройство для измерения скоса легкой оси анизотропии цилиндрической магнитной пленки
Номер патента: 522477
Опубликовано: 25.07.1976
Авторы: Астахов, Коперсако, Костылев
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса, цилиндрической
...выходные клеммы 23, - к средней точке первичной обмотки трансформатора 7, Второй вход модулятора 23. соединен с третьим выходом генератора 8.Устройство работает следующим образом.Задаюшнй генератор 8 выдает на третий Вьнод сииусоидальное напряжение, а Ба перВый и Второй - импульсное Напряжение при - чем импульсы разнополнрны и по времени согласованы с соответствукшими полуволнами синуссидального Напряжения Ба третьем Выходе. Зти Импульсы запускают формирователи 9 и 1 О, с выходов которых разнополарные импульсы поступают в обмотку 3.1 обхватывающую подложку 5 Бзмеряемрго Образца и компенсируошую проволоку 6, благодаря чему компенсируется помеха, наводимая черзз наразитную емкость с ОбмОтки 11 на ьз,:жряемый ОбразецВ МОменты прохождения...
Способ измерения скоса легкой оси анизотропии магнитной пленки на цилиндрической подложке
Номер патента: 636564
Опубликовано: 05.12.1978
Авторы: Ильин, Коперсако, Костылев, Сергеев
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, подложке, скоса, цилиндрической
...ось цилиндрической поверх- переходными процессами при разрушающем ности магнитной пленки расположена водействии, при количестве тактов горизонтально и значение записанной 10 -10 начинается переход в насыщеэинфоРмации таково, что на ближнейние, Верхняя граница 10 определяетГ 0 вк наблюдателю поверхности магнитной ся допустимой длительностью цикла,пленки, небольшой участок которой Наиболее оптимальная величина коли- обозначен цифрой 1 (фиг. 1), верти- чества тактов лежит в диапазоне 10кальная составляющая 5 намагниченности направлена вверх. Обозначим угол,Зависимость степени разрушения который составляет легкая ось 3 с от величины импульса внешнего магнит- окружностью 2 нормального сечения ного поля имеет монотонный характер,...
Предыдущий патент: “бесконтактный способ измеренияконцентрации носителей заряда вполупроводниках на свч4
Следующий патент: Способ измерения времени задержки
Случайный патент: Способ магнитной интенсификации цветной и люминесцентной дефектоскопии