Кутейникова

Номер патента: 1767667

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Кутейникова, Мустафа, Щукин

МПК: H02M 7/48

Метки: выходным, инвертором, квазисинусоидальным, напряжением, трехфазным

...изменяться в соответствии с законом модуляции, как показано на фиг.2 а, Величину выходного напряжения можно регулировать относительной длительностью позиции зануления(по отношению к суммарной длительности активных позиций), фазу выходного напряжения - относительной длительностью активных позиций по отношению друг к другу. Напримерв начале сектора 01, когда основная гармоника напряжения фазы А принимает максимальное значение, длительность 40 45 50 тиля катодной группы той фазы, напряжение которой положительно, переход из позиции эануления, при которой включены все вентиля катодной группы, во вторую активную позицию осуществляют выключением 5 вентиля катодной группы и включением вентиля анодной группы той фазы, напряжение которой...

Номер патента: 1696829

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Ильинский, Кутейникова, Лаптев, Молокова

МПК: F27D 3/12, F27D 5/00

Метки: заготовок, контейнер, обжига, углеродистых

...необходимость очисткистенок контейнера отпересыпки, как дополнительная операция. Кроме того, в результате короблениякорпуса вследствие воздействия высокихтемператур и давления выделяющихся иззаготовок при обжиге заготовок газов, сты 5 ковка верхней и нижней частей внешнейтрубы затрудняется.Целью изобретения является повышение производительности путем совмещенияпроцесса выгрузки и очистки,10 Контейнер для термообработки содержит цилиндрический корпус, крышку икольцевое днище. В отличие от известныхконтейнеров днище предлагаемого контейнера выполнено подвижным с возможно 15 стью перемещения вдоль продольной осиконтейнера и снабжено чистящей кромкой,расположенной по периметру днища.На фиг,1 изображен контейнер, общийвид; на фиг,2 -...

Номер патента: 1653105

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Каландерян, Кутейникова, Луганский, Мустафа

МПК: H02M 7/48

Метки: lc-фильтром, выходным, инвертором, мостовым, следящим

...припозиции зануления яО включаютсядва. вентиля анодной и катоцной группы, В процессе работы мостового инвертора к нагрузке прикладывается напряжение источника питания соответственно со знаком "+ или "- , а в позиции зануления выхоцное напряжение коммутатора равно нулю. Переход из одной позиции в другую осуществляется, когда прогноз рассогласования принимает нулевое или минимальное значениея =, -яЦп .Вычисление прогнозируемого значения рассогласования производится по формулам, полученным в результате решения системы дифференциальных уравнений для преобразователя с трехпозиционной ШИМ. Прогноз представляется суммой составляющих, одна из которых определяется текущими значениями переменных состояния (свободная составляющая Х), а другая...

Номер патента: 1653104

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Каландерян, Кутейникова, Луганский, Мустафа

МПК: H02M 7/48

Метки: lc-фильтром, выходным, инвертором, мостовым, следящим

...5со знаком . или в-, а в позициизануления выходное напряжение коммутатора равно нуно. Переход из однойпозиции в другую осуществляется, когда прогноз рассогласования принимает нулевое или минимальное значениеБ = язеп ЯьВычисление прогнозируемого значения рассогласования производится по формулам, полученным в результате решения системы дифференциальных уравнений для преобразователя с трехпозиционной НИМ. Прогноз можно прецставить в следующем виде: где одна из составляющих определяется текущими значениями переменных состояния (свободная составляющая 2), другая - ожидаемыми позициями коммутатора (вынужденная составляющая ч), а з принимает значения +1, -1, О.Для составляющих прогноза при отслеживании напряжения ЬС-Фильтра используются...

Номер патента: 1480066

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Кутейникова, Луганский, Мустафа

МПК: H02M 7/527

Метки: двухпозиционной, модуляцией, преобразователем, широтно-импульсной

...реализации:с(г.) =1. 81 ПУ 1( + 1.созЯ 1 -- е - (1 - созЯ 11)Я + (ц)Бь (1)рассогласования Е(г.) по формуле (1)и вырабатывающего Функцию управленияЯ = -я 1 пЯ, определяющую момент переключения и одно из двух возможныхсостояний (позиций) коммутатора свходным напряжением,Отдельные вычислительные операцииосуществляют блоки устройства:11 = Гп 1 я 1 пИ 11 + 1, сояЯЬ - сн= а + (Ь, + Ъе) + се, (г) 4 о которое является точным при постоянных коэффициентах а, Ь, с, а при медленно меняющихся функциях а(е), Ь(й), с(г,) - приближенным. В данном случае на интервале рассмотрения (такте несущей частоты) входные сигналы изменяются мало, поэтому формула (2) обеспечивает хорошее приближение и возможность более простой аппаратурной реализации.В...

Номер патента: 865881

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Друянова, Кутейникова, Савушкин, Сошко, Шестопалов

МПК: C09K 3/14

Метки: монокристаллических, полирования, состав, хрупких, шлифования

...0,1-0,5 Биологическая добавка 0,01-0,1 Абразивный порошок 0,4-0,7 Вода Остальное В качестве биологической добавки состав содержит гексахлорофен или фенол.Состав готовят растворением исходных компонентов в воде с последую-. щим добавлением абразивного порошка.Варианты состава приведены в табл. 1.В табл. 2 представлены сравнитель" ные характеристики предлагаемого и изТаблица Со ержание вес,%3 Компоненты 2 30,5 0,7 0,5 Сополимер Нитрат натрия 0,2 Хромовокнслыйалий 0,2 0,5 Биологическаядобавка 0,05 0,1 0,01 Алмазный порошок зернистостью 1/О 0,5 0,7 0,4 Осталь- Осталь- ОстальВода ное ное ное Таблица 2 Состав Технологическиепоказатели П едложенный 2Известный Объем, мкм/мин 2 Класс шероховатости 0,06/13 в 0,063/13 в 0,04/14 б 0,05/14 а...

Номер патента: 844256

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Горбунов, Данилова, Злочевский, Кутейникова, Савушкин, Ульберг

МПК: B24D 3/34

Метки: абразивногоинструмента, масса

...- повышение полирующей способности инструмента. Для этого в абразивной массе в качестве поверхностно-активного вещества используют этоний, обеспечивающий адсорбционное облегчение деформации при использовании эффекта пластифицированияобрабатываемого материала. Действие этония как относительно слабого поверхностно-активного вещества не вызывает диспергирования обрабатываемого материала,а ограничивается лишь поверхностным пластифицированием, что особенно важно при 25полировании,При работе алмазного круга с введенным в него этонием последний выплавляется и поступает в зону обработки.Этоний в количестве 2 - 10 об.% предла гается вводить в массу следующего состава, об. %:Абразив 6,25 - 37,5 Металлический напол-нитель 25,0 - 60,0Органическое...

Номер патента: 785335

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Денисенко, Кутейникова, Рылов, Савушкин, Ульберг

МПК: C09G 1/02

Метки: состав, шлифовально-полировальный

...альн 2 оний" Ллмазны порошок 006/14 в 0,1 2 Вод альн О,тоний" мазны рошок Г 0 фф 0,01/14 а 0 0 стально од Не более 12 ч припостоянно перемешив нии Сополи мер акриловой кислоты с гек- сааллилсахаро- зой 0,01/14 а 0,5 Алюминиевыйпорошок 3 Остальное а лимера акриловой кислоты с гексааллилсахарозой,Результаты обработки приведены втаблице сравнительных характеристикпредлагаемых и известных составов.5Сравнительный и сопоставительныйанализы известных и полученных предлагаемых составов показывают, что применение предлагаемого состава позволя"- ет.- улучшить качество обрабатываемойповерхности за счет уменьшения глубиныдефектного приповерхностного слоя материала, так как "этоний" препятствуетпоявлению и росту трещин;повысить скорость резания и...

Номер патента: 538014

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Демишев, Енишерлова, Кутейникова, Лобанова, Савушкин, Семенов, Стальнов, Татаренков

МПК: C09G 1/02

Метки: монокристаллов, полирования, состав, шлифования

...м) Выбранная скорость сдвига соответствует условиям шпифования и полированиянк) Стандартный состав разбавляют бензином, структура разрушается и предел прочности равен нулю. бСиталп подвергают шпифованию и полиро- ванию по плоскости, Получают спедующие реэупьтаты; съем 2,7-3,0 мкм/мин, качесво поверхности 1 Г 13.П р и м е р 3, Состав дпя шлифования) полирования хрупких монокристалпов со- , держит компоненты в следующих соотноше-. ниях (в вес, %):Алмазный абразив 6 Сополимеры акриповой киспоты (САКАС,. САКАП) обладают поверхностно-активным действием. При введении их в состав для шлифования (полирования) хрупких монокристалпов достигается пластифицирование (по-. вышение вязкости, размягчение) обрабатываемой поверхности монокристалла...