Способ создания сверхсильных анизотропных деформаций монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик 1. Совета Министров СССРно делам изобретенийи отнрьпии 53) УДК 548.55(088,8)й ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамениударственный университет им. М. В. Ломоносова о 4 1Изобретение относится к способдм создания сверсильныяцизотропныдеформяццй монокрцстяллов и может использоваться в теццкс исследования с 1 очцостцы, электронныц магнит цыаряктеристцк металлов, открывая новое направление В оолдстп 1 сз" 1 еция твердытел, я также в пзмерптел 1 цой тсцике, кяк метод повышения чувствительности датчиков гидростатического дявлецця.Известны способы деформации кристаллов путем всестороннего сжатия.Цель изооретеция - получение упругидеформаций, значительно превышающидопускаемые пределом упругости, и варьировяцие и арактера в широком диапазоне,Для этого образец в виде тонкого диска подвергают сжатию в кольце, изготовленном из материала с модулем Юнга, большим модуля Юнга исследуемого образца, и зазор между исследуемым образцом и стенками кольца заполняют уплотцяющим материалом, В качестве уплотцяющего материала предлагается использовать, например, полимеризовацную смолу Лральдит или смесь смолы Лральдит с порошком алмаза.Способ осуществляют следующим образом. Образец в виде тонкого диска помещают в кольцо, изготовленное из материала с большим значением модуля Юнга по сравнению с модулем Юнга образца. Зазор между образя (20 - 30 мк) зяполцявеществом - смолой уплотцясощее вещество увеличения жесткости. омецсают и сомбу высоЧвергяют всестороннему й системы для цзотроцледующую зависимость формаций от внешнего ления Р и параметров цом ц стенками коль кот уцлотцяющцм Лряльдцт. Зятем пол цмс)опзуют дляб Кольцо с образцом и кого дясге 1 цья и цо, сжатию. Расчет такс ного образца даст с компонент тецзорд дО гцдростятцчсского дд системы 2 оо) (1 - оо) (Ь 2/а 2 - 1) и/Я 2 .о) + 2 оо(д 2/а 2 ) сс/р/, = - РЕде Уи 1, .- -относительная деформацсрадиусу образца и воси Л,внутренний и вцешццй рядссы кольца;некоторые функциичиц аЪ, коэффициентовдссоца образца оо ц кольтакже отношения Е /Едулей Юнга кольца Е иразца Е.тера возниказывает, что вспвающего ко я по доль аиб сх и (о велиПу ця, я об Лцалпз аракформации пока лщины поддерн ющеи в образце зависимости от льца и его моОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕРХСИЛЬНЫХ АНИЗОТРОПНЫХ ДЕФОРМАЦИЙ МОНОКРИСТАЛЛОВРсдакгоо Е, Дай Корректор й, Лук Заки; ЛЪ 1007 Изд, ЛЪ 1608 Тираж 90 о Ц 111 ИПИ Госу;арствеиного комигс)а Сгоста Министров СССР ио деляги изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раугискан иаб д. 4,5Поди ис)ос МОГ, Загорский г 1)и)иаг 3дуля 1 Онга в образце возннкгпот дефо)мши от практически односторонних вдоль Осп,) до деформаций типя Всест 01 эоннего с)к)тн 51. Например, прп Е" /Е больше 10 и а/1) порядка 0,5 относительная деформация изотронОго кристалла Вдоль оси 7 почти на;орядокрсВышает соответствующую деформцню вдоль радиуса.Использование гидростатического,;:и)леппя порядка 15 - 20 кбар позволяет обратимо дсформировать монокристал;пя вдоль осп Р и несколько процентов, Для эксперимеГгяльпой проВерки спосооа исследованаэлектрического сопротивления /с моно)(ристаллических образцов висмута в панравггенн бинарной оси от возникающей десрормацин для различных типов внешней поддержки Ос У совпадает с тригональной осью образца). Наблюдается возрастание зависимости т( (Р) при уменьшении а/Ь для данного материала кольца, а также при увеличении Е /Е для фиксированного соотношения а/г), что находится в согласии с расчетом.Изменение электрического сопротивле:гня )( прп,ге(1)орм анин, близкой к ОднОс 0- ро.ему с)(111 О вдоль тригонягь 10 Й осп, прсвын 1 ст э(1)фскт ВсссОро)гпеГО сжатия бо,)ее См100":,1. Сюсоб создан 15 сгерхсильных ян 1 зг)-ро)1 .( дсг1).1)цн 1 монокрнСТЯ,лов н 10), цель) получения угуих деформаций, зн- :и п.льна превыгпаОщих допускаемые предеОм 1 ру)ос)н, и варьирования их характерв широком диапазоне, образец В виде тонко 15 0 диска 110 дБсрГГ 1 ют с)кати 0 В 1(ольце, изГОтовгСипом пз материала с модулем Юнга, боль.шпм модуля Юнга исследуемого образца, и:,азор между образцом и стенками кольца з- полн уплотпяющим материалом,20 2. Способ по и. 1, )т,гикаощийся тем, что Вкачестве уплотняющего материала используют, например, полимеризовапную смолуЛральдит или смесь смолы Лральдит с пороИком алмаза.
СмотретьЗаявка
1778185, 26.04.1972
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
БРАНДТ НИКОЛАЙ БОРИСОВИЧ, МИНИНА НАТАЛЬЯ ЯКОВЛЕВНА, КЕПТЯ ВЕРЖИЛ ФЕДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 3/00
Метки: анизотропных, деформаций, монокристаллов, сверхсильных, создания
Опубликовано: 30.06.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-475534-sposob-sozdaniya-sverkhsilnykh-anizotropnykh-deformacijj-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания сверхсильных анизотропных деформаций монокристаллов</a>