Способ серийного выращивания монокристаллов

Номер патента: 388498

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Ангерт, Гармаш, Клюев, Колбацков

МПК: C01D 15/00

Метки: кристаллов, лития, метатанталата, монодоменных

...заполнения тигля,Затравку 2 х 2 х 10 мм, вырезанную внаправлении оси У (90 к направлениюооси Я ), закрепляют платиновой проволокой на платиновом штоке. 15В верхней части индуктора устанавливают экран 50 х 2 х 50 мм в керамическомэкране и затравку опускают в зону надзакристаллизовавшимся расплавом. Включают БЧ генератор и, увеличивая мощ йность, подаваемую на индуктор, повышают температуру и расплавляют в тиглетаблетки (температура в зоне экрана должна быть 1400-1500, С),Процесс в сращивания производитсяпри следующих технологических параметрах: скорость вытягивания 6 мм/ч, скорость вращения затравки 50 об/мин. Размер выращенного кристалла: диаметр 16 мми длина 30 мм. После отрыва кристаллаот расплава мощность ВЧ генератора постепенно...

Номер патента: 1805700

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Андреев, Ванышев, Голенко, Полянский, Яроцкая

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: кристаллов, окрашенных, оксидов, тугоплавких

...3-5 мм около стенок и у дна холодного контейнера. Время выдержки зависит от химического состава шихты и объема расплава, При выдержке менее 0,1 ч возможно образование дефектных кристаллов из-за непроплавления шихты, выдержка более 0,3 ч неэффективна.Определение объема переходного слоя расплава производилось опытным путем. Установлено, что оптимальные результаты получаются при кристаллизации 50-90;4 объема расплава, В опытах с кристаллизацией более 90;4 объема расплава в зоне переходной структуры наблюдалось нарушение монокристалльного роста, При кристаллизации менее 50;4 объема расплава уменьшается количество затравочных кристаллов и увеличивается зона переходной окраски.Для получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов на...

Номер патента: 695531

Опубликовано: 30.10.1979

Автор: Бернхард

МПК: B01J 17/06

Метки: кремния, кристаллов, пластинчатых

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я(-35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 100 К 100 Р,70 мм. С помощью индукционного нагревателя из графита в виде трубы нагревают литейную форму перед заливкой в нее расплава и одновременно дно формы охлаждают с помощью медной плиты, охлаждаемой водой, таким образом, чтобы поверхность формы, контактирующая с большей поверхностью расплава, имела температуру около 800 С, Свободную поверхность расплава подвергают воздействию теплового излучения нагретой до 1500 С графитовой пластины, установленной на расстоянии около 2 см от поверхности расплава. Расплав кремния кристаллизуется при этих условиях, не смачивая графитовой формы. 3 акристаллизовавшуюся пластину кремния медленно...

Номер патента: 845508

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бындин, Литвинов, Носов, Пищик, Шоршин

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, профилированных

...окружности гнезда для затравкодержателей, в верхней цасти камера снабжена каналом для размещения затравкодержателей и подачи их на диск,в нижней части камера снабжена приемником полученных кристаллов, асредство подпитки расплава выполнено в виде бункера, установленноговне камеры и соединенного с тиглемтурбопроводомПенал для размещения затравкодержателей снабжен Фиксатором в нижнейчасти, на котором установлен наборзатравкодержателей,незда поворотного диска выполнены в виде тангенциальных газов сцентрирующими выступами, имеющими коническое углубление,На Фиг, показано устройство, продольный разрез, на Фиг,2 - сечениеА-А на Фиг,1, на Фиг,3 - сечение Б-Бна Фиг,2; на Фиг,4 - вид В на Фиг 3;на Фиг. 5 - сечение Г-Г на Фиг.1;на Фиг,б - сецение...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...