Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата

Номер патента: 463467

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Коневский, Кузнецов, Литвинов

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, отжига

...и поэтому при перекосня может привариваться к наружном ласти получения спользовано для аленимет изобретент чается от изстержня, соеческого регуига, жестко ром, опираю 5 Устройство для отжига кристаллов, включающее два контейнера, установленных в полости нагревателя коаксиальцо друг другу, реперцый к 1 зпсталл, служащий датчиком температуры, и стержень, соединенный с систе мой автоматического регулирования температуры отжига, перемещающийся при оплавлении реперного кристалла, отличающееся тем, что, с целью исключения приваривания стержня к внешнему контейнеру и повышения 5 вследствие этого надежности работы устройства, стержень жестко скреплен с внутренним контейнером, дно которого опирается ца реперный кристалл. ристалл...

Номер патента: 591210

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, отжига

...кристаллов или элементов из них) и термохимическому взаимодействию с материалом кон тейнера (молибденом)При пористости менее 60% потери при отжиге увеличиваются. При нулевой пориотости, условиям которой соответствует футеровкв из монокриствлла сапфира, напыпе 10 ние исключается, но происходит испарение кристалла.Улучшение качества обеспечивает пориотость 60-70%, Дальнейшее повышение пориотости не влияет нв испарение отжимаемых 15 изделий и материала контейнера,На чертеже показано предлагаемое устройство. Устройство состоит иэ контейнераи системы получения сигнала о достижении 20предплввильной температуры,Контейнер 1 установлен внутри контейнера 2 на реперном кристалле 3, Реперныйкристалл расположен вертикально в лодочке4. Нв крышке 5...

Номер патента: 1153588

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Епифанов, Звягинцев, Коневский, Литвинов, Суздаль

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, отжига

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ, содержащее датчик предплавильной температуры, подключенный через программно-временной блок к одному из входов сумматора, к другому входу которого подключена термопара, а выход связан через измерительный и регулирующий блоки с исполнительным блоком, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет более точного поддержания температуры отжига, оно дополнительно содержит блок компенсации переколебаний температуры, входы которого соединены с выходом термопары и вторым выходом программно-временного блока, а выход подключен к одному из входов сумматора.

Номер патента: 585753

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Айрапетян, Баркан, Ибрагимова, Маренников, Пестряков

МПК: G03H 1/18

Метки: голографической, кристалла, лития, ниобата, регистрирующей, среды

...сред путем термообработки (11. Голограммы, зарегистрированные на кристаллах ниобата лития, являются нестабильными, что позволяет использовать нх в указанных разработках. 1 ОПри разработке голографического запоминающего устройства (ГЗУ), содержащего в качестве регистрирующей среды монокристалла ниобата лития с концентрацией железа 0,3-1,0 весЛ, было установ лено, что регистрирующая среда обладает свойствами самостирания голограмм; процесс самостирания голограммы подчиняет ся экспоненциальному закону от времени, т, е, дифракционная эффективность запи санной голограммы экспоненциально убывает со временем; характерное время экспоненты T (время самостирания) резко убывает с ростом концентрации железа. Например, для кристалла с...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...