Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава

ZIP архив

Текст

О П И б - АН-И-ИЗОБРЕТЕН ИяК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 111 476891 Союз Советских Социалистических Реслублик(22) Заявлено 20.03,74 (21) 2006027/23-2 л, В 011 17/1 единением заявки Юе Государствеииын комитет Совета Министров СССР. Пухов и Е. Ф. Скупский 71) Заявител авод чистых металлов им, 50-летия СССР 54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ МОИЗ РАСПЛАВА ИСТАЛ Изобретение относится к металлургии полупроводников и может быть использовано преимущественно при получении монокристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, фосфида галлия.В известных устройствах для вытягивания монокристаллов из расплава применяют монолитные, разрезные и разборные, состоящие из нескольких деталей графитовые подставки под кварцевый тигель. Срок службы разрезных и разборных подставок больше, так как возникающие в процессе охлаждения тигля с остатком материала напряжения устраняются за счет смещения деталей или разделенных прорезями частей подставки относительно друг друга. Однако такие подставки сложнее изготовить, чем монолитные, а в местах зазоров, разделяющих деталь, возникают локальные изменения температурного поля, отрицательно влияющие на свойства получаемых монокристаллов.Для предотвращения разрушения монолитной подставки ее выполняют с отверстием в дне, через которое подают при охлаждении струю газа, приподнимающую тигель.Отличием предложенного устройства является выполнение тигля и подставки с коническим сужением к плоскому днищу при отношении внутреннего диаметра цилиндрической й тигель 1 и графи ряющая форму тиг кими в верхней ч ием к плоскому д него диаметра В ц авки к диаметру д ие высоты Н полос цилиндрической ча стенок цилиндричес0,0650. Кварцевы ка 2, повто 15 цилиндричес ским сужен ние внутре части подст 1,8, отноше 20 высоте Й ее толщина пт ставки 0,05 -товая подставтя, выполнены асти с кониченищу. Отношеилиндрическойднища 1,5 - ти подставки ксти 2,5 - 2,8, акой части подройство из распл и кварц монолитющей фо для вы ва с цил вым тиг ой гра гивания монокриндрическим в верх ем, помещенным в итовой подставки,отл ичающее 1. ссталлоней ча полост повтор рму ти Авторыизобретения А. И. Кириченко, А, Н.Ю части подставки к диаметру днища 1,5 - 1,8, отношении высоты полости подставки к высоте ее цилиндрической части 2,5 - 2,8 и толщине стенок цилиндрической части подставки, равной, например, 0,05 - 0,065 ее внутреннего диаметра. Это дает возможность предотвратить разрушение подставки вследствие того, что при охлаждении возникает выталкивающая сила, приподнимающая тигель над дном О подставки.На чертеже показано описываемое устройство. Предмет изобретеЗаказ 2491/5 Изд.1615 Тираж 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр Сапунова, 2 с я тек, что, с целью предотврашецц 5 разрушеция подставки в процессе Охаждеци 5, и- гель и подставка выполнены с коццческим сужецием к плоскому дциц 1 у при отцошсции вцутреццсго диаметра цилиндрической части подставки к диаметру днища 1,5 - 1,8 и отцошсццц высоты полости подставки к высоте есцилицдричсской части 2,5 - 2,8.2. Устройство по п. 1, отлич а ющеесятем, что подставка выполнена с толщиной5 стсцок цилиндрической части, равцой 0,05 -0,065 ес вцутреццего диаметра.

Смотреть

Заявка

2006027, 20.03.1974

ЗАВОД ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ ИМ. 50-ЛЕТИЯ СССР

КИРИЧЕНКО АНАТОЛИЙ ИЛЛАРИОНОВИЧ, КОНДРАТЬЕВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ, МАРТЫНКО ВЛАДИМИР ДМИТРИЕВИЧ, МУСИЕНКО ПАВЕЛ ВАСИЛЬЕВИЧ, ПУХОВ ЮРИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, СКУПСКИЙ ЕВГЕНИЙ ФРАНЦЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

Опубликовано: 15.07.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-476891-ustrojjstvo-dlya-vytyagivaniya-monokristallov-iz-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава</a>

Похожие патенты