Способ выращивания монокристаллов сульфида цинка кубической модификации

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 593338

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Кидяров, Шелопут

МПК: C01B 35/00, C01B 7/00

Метки: водных, выращивания, кристаллизатор, кристаллов, растворов

1. Кристаллизатор для выращивания кристаллов из водных растворов, включающий центральный сосуд роста кристаллов и боковые сосуды растворения, соединенные с центральным сосудом посредством трубок, нагреватель и охладитель, отличающийся тем, что, с целью выращивания кристаллов йодата лития гексагональной модификации методом температурного и концентрационного перепада, соединительные трубки выполнены в виде U-образных и П-образных трубок, причем нижние части U-образных трубок снабжены конусными отводами с вентилями и стаканами с испаряющейся водой.2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что нагреватель расположен по периметру центрального сосуда на 1/3 его высоты вниз от середины...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...

Номер патента: 1382052

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, профилированных

...каждый Формообразовательхотя бы в одной точке Затравку доводят до соприкосновения с основныминаиболее высокими Формообраэователями 4 и оплавляют ее до контакта сдополнительным более низким Формообразователем 5. Образовавшийся расплав стекает по капиллярам в тигель.Затем включают механизм подъема вытягивающего устройства (на чертеже 1не показана) и начинают кристаллизацию При этом одновременно с основными изделиями, Форма которых задается основными формообразователямирастет монокристаллический отражательный экран, Форма которого задается дополнительным Формообраэователем 5, Отражательный экран повышает температуру внутренней стенки изделия, выравнивает ее по сечению иэ"делия, тем самым улучшает качествоиэделия за счет снижения...