Способ получения монокристаллов титаната висмута
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
П "С;.Н;.И,Е ЗОБРЕТЕН ИЯ юз Советских(22) Заявлено 04.0 авт, свид-ву -21) 1390620/2 С 01 1 23/00 С 0129/00 В 01 3 17/04 присоединением заявки3) Приоритет3) Опубликовано 05.01,осударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Бюллетень 1) УДК 546.87 82 .07;548.55 (088 45) Дата опубликования описания 27.04,77 Н. Лобаче Л, Барсукова, В(72) Авторы изобретения нецов 71) Заявит на Трудового Красного Знамени институт кристаллографии им. А. В. Шубникова ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИТАНАТАВИСМУТА 4 Цель изобретения - получ ристаллов высокого качеств остигается тем, что процес екристаллизации ведут в 1 ом растворе Фтористого кал оотношении В 1 О.Т 4 О Р о 1:2 при температуре 58 градиенте температур 10-20ие крупныхЭта цель с синтез 0-1 5%-н ия при в авном о 0-600 ом. водесовомт 41 олу о пеИзобретение относится к металлургии олупроводников, в частности к выращиваию монокристаллов пъезосегнетоэлектрика итаната висмута Ъ (Т 104)а,Известен способ получения монокрисаллов В 10(Т 4 О ), в гидротермальных ус овиях. П р и м е р. Кристаллизациюведутвзамкнутых сосудах (автоклавах) футерованных ме ными вкладышами при температурах 580 о-600 С и давлении 800-1000 атм в воднь растворах КГ (10-30%). Исходной шихтой является смесь окислов В 1,О и Т Ое в весовом соотношении 2;3. Шихту помеша ют на дно автоклава, заливают раствором ФКГ и автоклав нагревают в печи сопротиволения до 580-600 С (температура в нижнейзоне автоклава)В результате реакции внижней зоне автоклава образуются кристаллы Вс(ТСО) размером до 1 мм,Температура в верхней зоне автоклаваоподдерживается на 10-20 С ниже, чем вреакционной зоне, в результате чего в автоклаве создается конвекционное перемешивание раствора, В 1(Т 4 О)5 растворяясьв нижней зоне автоклава, перейосится вверхнюю зону, где выкристаллизовываетсяна затравочном кристалле или на стенкахреактора в виде отдельных образцов, Регу лируя скорость конвекции раствора (путем.изменения перепада температур), можноварьировать скорость роста кристаллов, Ростпроисходит непрерывно до полного израсходования шихты. Описанным методом по лучены кристаллы В 1(Т 4 04) до 2,5 мм х достаточно хорошего качества, пригодныедля физических исследований.Таким образом, способ позволяет пчить кристаллы при более низких темпера турах, а использование температурногСоставитель Т, КузьминаРедактор Е, Левина Техред О. Луговая , Корректор В. Куприянов Заказ 894/79 Тираж 658 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент г. Ужгород ул. Проектная 4 репада позволяет управлять процессом иполучать кристаллы большего размера ивысокого качества. формула изобретений Способ получения монокристаплов тита ната висмута В(Т 10) в гидротермальных условиях, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью получения крупных кристаллов высокого качества, процесс синтезаи перекристаллизации ведут в 10-50%-номводном растворе фтористого калия и привесовом соотношении Вв О,ТО равномот 4:1 до 1:2. 2. Способ по п, 1 о т л и ч а ю ш и ойс я тем, что процесс ведут при 580-600 С и градиенте температур 10-20 С,
СмотретьЗаявка
1390620, 04.01.1970
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ АН СССР
БАРСУКОВА М. Л, КУЗНЕЦОВ В. А, ЛОБАЧЕВ А. Н
МПК / Метки
МПК: C01G 23/00
Метки: висмута, монокристаллов, титаната
Опубликовано: 05.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-393213-sposob-polucheniya-monokristallov-titanata-vismuta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов титаната висмута</a>
Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом
Номер патента: 1279279
Опубликовано: 20.11.2002
Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян
МПК: C30B 13/10, C30B 29/40
Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного
Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.
Способ установки волнового сопротивления однородной зоны перестраиваемой тем-камеры
Номер патента: 1401402
Опубликовано: 07.06.1988
МПК: G01R 27/04
Метки: волнового, зоны, однородной, перестраиваемой, сопротивления, тем-камеры, установки
...представляют собой прямоугольные импульсы, изображенные на фиг, 2 пунктирной линией. Относительное изменение волнового сопротивления равно6 Ш; Жт - т 2 В; - Е.)= 2 Ьц, (2)где %, - волновые сопротивления образцовой меры 3.Регистрируемая импульсным рефлектометром 4 разность отраженных сигналов от 10 однородной зоны 1 и образцовой меры 3состоит из суммы отраженных сигналов от всех и - 1 участков согласующего перехода 2 и равнаи=и - и.=Х р, П(1-р;) (3)Если волновое сопротивление однороднойзоны 1 равно волновому сопротивлению образцовой меры 3, то максимальная оценка разности отраженных сигналов от однородной зоны 1 и образцовой меры 3, регистрируемая импульсным рефлектометром 4, определяется по формуле (3). Если произвести перестройку...
Эфир целлюлозы и транс-1, 2-диаминоциклогексан, тетрауксусной кислоты в качестве фотографического материала с высокой термической и гидролитической устойчивостью
Номер патента: 818142
Опубликовано: 30.11.1984
Авторы: Ермоленко, Комар, Лунева, Титова
МПК: C08B 3/14
Метки: 2-диаминоциклогексан, высокой, гидролитической, качестве, кислоты, термической, тетрауксусной, транс-1, устойчивостью, фотографического, целлюлозы, эфир
...потери наблюдаются приП р и м е р 1. Материал получают следующим образом, В ванну, содержащую 25 г ДЦТА и 25 г Я ВО и 500 мп, пиридина, помещают 25 г целлюпозного материала на 7 ч. при 110-115 С. Затем образцы извлекают, отжимают от3 81814избытка раствора и термообрабатывают при 165-170 ОС в течение 1 ч, тщательно промывают горячей дистиллированной водой до нейтральной реакции,сушат и анализируют. Материал содержит 57. И и имеет ионообменную емкость1 мг .экв/г, Материал хорошо сохраняет механическую прочность (в частности, потеря прочности после модификации составляет менее 57). 0Изображение на материале получаютэкспонированием материала излучениемлампы ДРТс интенсивностью светового потока 0,710 Ъ 1 /см с,После1 бэкспонирования...
Способ контроля качества сварных стыковых соединений труб
Номер патента: 1575094
Опубликовано: 30.06.1990
Авторы: Безрук, Есауленко, Кондратенко, Кораб
МПК: G01N 3/00
Метки: качества, сварных, соединений, стыковых, труб
...окружающей среды,В процессе нагрева наблюдают состояние понерхности образца и Фиксируютвремя нагрева до возникновения впадины в зоне стыкового соединения, которая образуется в результате релаксации напряжений в этой зоне. зонано для определения качества сварных соединений полимерных материалов,Целью изобретения является повьшениеинФормативности путем обеспечения иколичественной оценки прочности, Изсварного соединеия вырезают образец и нагревают его н строго реглаыентиронанных условиях. В процессе нагрева наблюдают состояние поверхности и Фиксируют время от начала нагрева до возникновения впадины в зонесоединения, По продолжительности отрезка времени оценивают прочность соединения, которая тем выше, чем больше время...
Способ контроля качества поляризационных призм
Номер патента: 1746263
Опубликовано: 07.07.1992
МПК: G01N 21/21
Метки: качества, поляризационных, призм
...кристалл излучения (азимуты соответственно 0 и А), осей максимального пропускания ПП (поляризатора) р и анализатора А и главных направлений кристалла х и у; фиг,2 - график зависимости 20 показаний УОУанализатора Лот показанийУОУ ПП 0.Рассмотрим физические явления, происходящие в системе ПП-кристалл-анализатор. Пусть вследствие несовершенства ПП, 25 используемой в качестве поляризатора, накристалл падает эллиптически поляризованное излучение с азимутом большой оси эллипса поляризации 0 в окрестности главного направления в кристалле (например, З 0 кристаллофизической оси х) и с малой эллиптичностью р(фиг.1). Азимут большой оси эллипса поляризации А прошедшего кристалл излучения при таких условиях можно определить, используя общие...
Предыдущий патент: Полупроводниковый оптический квантовый генератор
Следующий патент: Тиристор
Случайный патент: Сборная крепь для пластовых восстающих выработок