Палапис

Номер патента: 584234

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, реализации, решетки

...эталонный кристалл 2. От второго источника 3 рентгеновские лучи также попадают на эталонный кристалл. Отраженные лучи с углом раствора 2 фокусируются на исследуемый монокристалл 4 (например,;на эпитаксиальную пленку), угол дифракции которогоив не равен углу дифракции эталонного кристалла в Ф в . Вращение исследуемого кристалла вокруг вертикальной оси приводит к последовательному отражению лучей 1 и 11. Через прорези 5 в эталонном монокристалле можно пропустить вторичные кванты и фотоэлектроны, возбуждаемые в исследуемом кристалле, в регистрирующую систему 6 (вторично-электронный умножитель, электронный спектрометр, рентгеновский датчик). Вся система находится в вакуумной камере (не показана) и источники излучения 1 и 3 установлены...

Номер патента: 543858

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры

...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...

Номер патента: 534677

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры

...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...