Способ получения монокристаллов

Номер патента: 1059029

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Безматерных, Близняков, Мащенко, Чихачев

МПК: C30B 9/12

Метки: монокристаллов, раствора-расплава

...сокращается температурный интервал кристаллизации, рост идет при более низкой температуре, где раствор-расплав более вязок и, .следовательно, скорости роста ниже.П р и м е р 1. Исходные компоненты берут при следующих соотношениях, вес.Ъ; Ре 0 4,87 ф, В 203 50,77, РЬ.О 763 РЪР 36,73, и наплавляют в платиновйй тигель емкостью 800 см, Тигель с приготовленным раствором-расплавом помещают в печь для выращивания кристаллов. Температуру в печи повышают до 950 С.При этой температуре в раствор-расплав загружают кольцевой кристаллоносец и вращают его со скоростью 60-80 об//мин. Перемешивание ускоряет процесс растворения кристаллообразующих окислов. Растворение длится 12-16 ч. Затем температуру понижают до 835-845 С,о что соответствует...

Номер патента: 787911

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Изгорев, Недужий, Пащенко, Шутов

МПК: G01J 5/14

Метки: металла, расплава, температуры

...точности измерения температурырасплава металла,Указанная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем измерительный элементв защитном кожухе и индукционную катушку,ось которой совпадает с осью канала визнрова.ния, индукционная катушка выполнена подвижной относительно поверхности расплава в вертикальной плоскости, причем в рабочем положении между торцом катушки и мениском расплава имеется зазор.25В нижнем рабочем положении индукционнаякатушка расположена на требуемом расстоянииот поверхности расплава, что позволяет создавать при помощи электромагнитного поля катушки необходимую высоту подъема расплава,достаточную для освобождения поверхностирасплава, на которую виэируется измерительныйэлемент, от шлака. Поскольку при этом...

Номер патента: 989912

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бобырь, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: ампуле, выращивания, монокристаллов, расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнительного усилителя, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения воспроизводимости условий кристаллизации на начальной стадии процесса выращивания, датчик температуры верхнего нагревателя установлен в объеме верхней камеры так, чтобы выполнялись условия0,5 ...

Номер патента: 1150494

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Сохин, Сурело, Фролов, Хандогий

МПК: G01K 1/14

Метки: вывода, жидких, замера, расплавов, температуры, элемента

...для измерения температуры состоит из двух кожухов 1и 2, передней 3 и задней 4 крышек итрубчаток направляющей 5, образующихкорпус. На верхнем кожухе 1 расположены ручки б и 7 для переноски устройства. Для подключения вторичногорегистрирующего прибора на заднейкрышке 4 установлена розетка 8,Внутри корпуса на нижнем кожухе 2установлены фланец 9, служащий упором пружинам 10 и 11 и несущий выключатель 12, фланец 13 с токоведущими контактами 14, фланец 15 с элек"тромагнитом 16 и стойка 17 с арматурой сигналькой лампы 18,На трубчатой направляющей 5 установлена с вазможностью продольногоперемещения втулка 19, взаимодействующая своей конической частьюпод действием пружин 10 через расположенные в радиальных отверстиях 20направляющей 5 шарики 21 с...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...