Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 847839

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/324

Метки: кремния, повышения, радиационной, стойкости

Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.

Номер патента: 676100

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дроздов

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, слоев

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.

Номер патента: 1056815

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитных, кремния, пленок, поверхности, свинцово-силикатных

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния, включающий нанесение на поверхность кремния слоя порошка окиси свинца, оплавление порошка и последующий отжиг пленки при 500oC, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности свойств пленок путем управления их составом, порошок окиси свинца наносят слоем толщиной 0,06 - 0,5 мм, а оплавление проводят при 750 - 900oC в течение не менее одного часа.

Номер патента: 376029

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ободников, Серяпин, Серяпина

МПК: H01L 21/316

Метки: p-n-переходом, кремния, окисления

Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов, Эдельман

МПК: H01L 21/265

Метки: карбида, кремния, кубической, модификации, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 1282757

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, пластин, тонких

1. Способ изготовления тонких пластин кремния, включающий их отделение от слитка путем формирования поверхности скола, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и воспроизводимости изготовления, поверхность скола формируют облучением слитка потоком легких ионов преимущественно водорода, дейтерия, гелия и нагревом слитка.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами...

Номер патента: 1593507

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, донорный, кремния, легирования, раствор

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомышьяковая кислота, причем соотношение ортофосфорной и ортомышьяковой кислот составляет от 8:1 до 1:1 по объему при следующем соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 45 - 62Тетраэтоксисилан - 19,4 - 28,5Азотная кислота - 0,2 - 1,5Ортофосфорная и ортомышьяковая кислота - 18 - 31

Номер патента: 1649909

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Изидинов, Исмайлова, Разяпов

МПК: G01N 15/08

Метки: кремния, пористого, пористости, слоев, степени

Способ определения степени пористости слоев пористого кремния, заключающийся в стравливании слоев пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности, проводят локальное травление путем нанесения на поверхность пористого слоя капли 4 - 40%-ного раствора NaOH или КОН с последующей выдержкой в течение 2 - 20 мин, измерением глубины области травления (h, мкм) и расчетом степени пористости (Р,%) по формуле Р = 25 + 3h, при степени пористости, меньшей 30%, промывают поверхность пористого кремния водой, осушают поверхности, производят локальное травление каплей раствора, состоящего из 6 - 10 моль/л HNO3 и 1 - 3 моль/л HF с последующей выдержкой...

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бахшецян, Варданян, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, кремния, легирования, раствор, фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Номер патента: 1424632

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремния, легирования, пластин, пленкообразующий, приготовления, раствор

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0Катализатор - 0,5 - 2,5Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый...

Номер патента: 1496557

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Волков, Коняхин

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиальных, выращивания, кремния, расплав, слоев

Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния, содержащий кремний, олово и добавку металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления слоев, в качестве добавки металла расплав содержит титан при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний - 0,05 - 10Титан - 0,008 - 4Олово - Остальное

Номер патента: 615785

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, он дополнительно содержит азотнокислый эрбий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 10-4 - 5,0Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,1 - 0,4Азотнокислый эрбий (пятиводный) - 0,25 - 1,0Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 616893

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/228

Метки: бором, кремния, легирования, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных свойств электролита, в его состав дополнительно введен гольмий азотнокислый при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,15 - 0,35Гольмий азотнокислый (пятиводный) - 0,3 - 0,6Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 682055

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Ломакина, Милешко, Чистяков

МПК: H01L 21/469

Метки: кремния, легирования, мышьяком, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния мышьяком, содержащий азотную кислоту и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости результатов легирования и увеличения срока годности электролита, дополнительно он содержит ортомышьяковую кислоту, а компоненты взяты в следующем соотношении, об.%:Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 4 - 5Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,5 - 10Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 527989

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, легирования, оксидной, пленки, фосфором, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной пленки, в его состав введен этиленгликоль в качестве основного растворителя при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 1 10-4 - 10Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 1 10-2 - 5 10-1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 545210

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Милешко, Селиванова

МПК: H01L 21/306

Метки: бором, кремния, легирования, окисной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль и борную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств пленки, в его состав дополнительно введена азотная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 0,10 - 10,00Азотная кислота - 0,05 - 0,50Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 602054

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Палиенко, Чистяков, Шкиров

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, кремния, оксидирования, электролит

Электролит для анодного оксидирования кремния, содержащий этиленгликоль и ортофосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью легирования оксидной пленки кремния второй примесью - компенсатором, он дополнительно содержит ортомышьяковую кислоту при следующем соотношении компонентов, об.%:Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см3) - 5 - 15Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,01 - 0,1Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 1498074

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Никитин, Петровнин, Поташный, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: кремния

Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...

Номер патента: 1584309

Опубликовано: 27.08.2003

Авторы: Варламов, Григорьев, Мукасьян, Самойленко, Шульга

МПК: C01B 21/068

Метки: аморфного, кремния, нитрида, пленки

1. Способ получения пленки из аморфного нитрида кремния, включающий взаимодействие тетраметилсилана и азотсодержащего компонента на нагретой подложке в среде газа-носителя, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости процесса, в качестве азотсодержащего компонента используют гидразин при молярном отношении тетраметилсилан/гидразин, равном 0,05-10, и исходной концентрации тетраметилсилана в газе-носителе, равной 0,01-10,0 об.%.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют водород и/или азот.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку нагревают до 1000-1400oC.

Номер патента: 1246818

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина, Мешковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитного, кремния, поверхности, покрытия, состав

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении компонентов (мас.%):Тетраэтоксисилан (Si(OC2H5)4) - 57-59Пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония (Zr(NO3)4) - 21-23Концентрированная соляная кислота (HCl) - 1,2-1,4Соль металла из группы лантанидов - 3-5Вода -...

Номер патента: 1115631

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина, Куракина, Мешковский, Семчинова

МПК: H01L 21/314

Метки: защитного, кремния, поверхности, покрытия, состав

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас.%:Азотнокислый цирконий - 21-23Тетраэтоксисилан - 57-59Соляная кислота концентрированная - 1,2-1,4Вода - Остальное

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...

Номер патента: 1331140

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Вербицкая, Гринштейн, Гучетль, Еремин, Соболев, Строкан, Шек, Шлимак, Шокина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: высокоомного, кремния

Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней изменение концентрации электрически активных центров N, причем для облучения используют слитки с величинами концентрации акцепторной примеси на торцах и

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...