Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 1598730

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Лазарев, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/00

Метки: кремния, основе, пленочных, резисторов, сплава, термообработки, хрома

1. Способ термообработки пленочных резисторов на основе сплава хрома и кремния, включающий многостадийную термообработку в диапазоне температур 350-450oС, каждая из которых содержит изотермическую выдержку, охлаждение до комнатной температуры, измерение величины сопротивления резисторов и расчет значений величин ТКС, причем операцию термообработки прекращают по достижении заданных значений величин ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения временной и температурной стабильности резисторов, после измерения величин сопротивления резисторов и расчета значений ТКС резисторы нагревают со скоростью 180-200oС/с до 460-500oC с последующим охлаждением и повторным измерением величин сопротивления резисторов и...

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Вискуп, Кабаков, Козлов, Красницкий, Петрович, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...

Номер патента: 1628443

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Елкин, Зельберг, Кожевников, Козинец, Кравченко, Леонов, Попов, Черняховский

МПК: C01B 33/02

Метки: выплавки, кремния

...Заказ 15 п Подписное ВНИИПИ, Рег. ЛР Мю 040720 113834, ГСП, Москва, Раушская наб., 4/5Изобретение относится к способам выплавки кремния в рудно-термических печах.Цель изобретения - повышение степени извлечения кремния.П р и м е р. Смешивают измельченный кварцит с углеродсодержащим восстановителем, шихту подают в трехэлектродную рудно-термическую печь и ведут восстановительную плавку. Периодически через каждые 1,5 - 2,0 ч ведения плавки в межэлектродное пространство печи подают с помощью загрузочной машины смесь, состоящую из древесного угля (60 кг), нефтяного кокса (25 кг), каменного угля (100 кг), древесной щепы (250 кг) и кварцита (200 кг). Массовое 1, Способ выплавки кремния включающий углетермическое восстановление измельченного...

Номер патента: 1579014

Опубликовано: 27.07.1996

Автор: Кищенко

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния

Способ получения кремния, включающий низкотемпературную карбидизацию кремнезема, последующую загрузку в электродуговую печь углеродсодержащегo восстановителя, введение в печь кремнезема и карбида кремния, выплавку продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода продукта, кремнезем и карбид кремния вводят с помощью инертного газа-носителя непосредственно в зону электрической дуги в порошкообразном виде при массовом соотношении карбида кремния и кремнезема 0,02-1,25.

Номер патента: 835063

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Седых, Шульц

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, расплава, рафинирования

Способ рафинирования расплава кремния, включающий обработку его флюсом, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки и сокращения потерь кремния, обработку ведут при продувке расплава кислородом при массовом соотношении флюс: кислород, равном 2-7:1.

Номер патента: 1814468

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Кравцов, Лесникова, Макаревич, Сарычев, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

...трудоемкость из-за необходимости изменения температуры при доращивании. При отжиге подслоя при температуре выше 650 С, давлении более 13,3 Па, времени более 1 мин при соотношении %Р -инертный газ более 1:20 происходит полное потребление 81 из зародьппа на восстановление %Р что впоследствии затрудняет процесс формирования рельефного микрорисунка в нихележащих слоях без масочным травлением и появляются отклонения от куполообразной формы зерен при доращивании, Кроме того, увеличивается трудоемкость процесса из-за необходимости изменения температуры при доращивании,П р и м е р. Осахдение пленок поликристаллического кремния осуществляли5 1814468 на установке Изотрон 4-150 с горизонтальным трубчатым реактором с горячими стенками,...

Номер патента: 1088417

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Даровский, Зурнаджян, Лозовский

МПК: C30B 19/02

Метки: кремния, основе, структур

Способ получения структур на основе кремния методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, включающий изготовление линейных углублений на поверхности подложки, заполнение их металлом-растворителем и перемещение линейных жидких зон сквозь подложку под действием градиента температуры, направленного перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик получаемых структур, через подложку пропускают переменный электрический ток, направление которого параллельно линейным зонам.

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дударчик, Кабаков, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...

Номер патента: 1568803

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Коляденко

МПК: H01L 21/268

Метки: изоляторе, кремния, монокристаллических, островков

Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе, включающий формирование на монокристаллической подложке разделительного диэлектрика, осаждение слоя поликремния, формирование островков поликремния, осаждение капсулирующего диэлектрического слоя и рекристаллизационный отжиг импульсным нагревом в режиме плавления поликремния, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона используемых разделительных диэлектриков и упрощения технологии, островки поликремния располагают на расстоянии 5 50 мкм друг от друга, а рекристаллизационный отжиг проводят при длительности импульса 1 30 мс и плотности энергии излучения 24 100 Дж/см2.

Номер патента: 1450363

Опубликовано: 27.04.1999

Авторы: Воробьев, Зельберг, Леонов, Ознобихин, Черных

МПК: C10B 33/02, C10B 55/00

Метки: выплавки, кремния, углеродсодержащего

Способ получения углеродсодержащего материала для выплавки кремния, включающий замедленное коксование нефтяного сырья, отличающийся тем, что, с целью извлечения кремния, в нефтяное сырье перед коксованием вводят кварцит в количестве 40 - 45 мас.%.

Номер патента: 1512110

Опубликовано: 27.04.1999

Авторы: Воробьев, Зельберг, Кожевников, Леонов, Ознобихин, Сметанин, Черняховский

МПК: C10B 55/00

Метки: восстановителя, кремния, производства, углеродистого

Способ получения углеродистого восстановителя для производства кремния, включающий смешение нефтяного сырья с углеродистым материалом, нагрева смеси до температуры коксования и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения кремния за счет увеличения реакционной способности углеродистого восстановителя, в качестве углеродистого материала используют гидролизный лигнин в количестве 0,5 - 10 мас.%, считая на сырье.

Номер патента: 1455562

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Воробьев, Елкин, Зельберг, Кожевников, Леонов, Ознобихин, Рудмин, Черняховский

МПК: C01B 33/02

Метки: восстановитель, выплавки, кремния, сплавов, углеродистый

1. Углеродистый восстановитель для выплавки кремния и его сплавов, включающий нефтяной кокс, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени извлечения кремния за счет повышения реакционной способности восстановителя, он дополнительно содержит смесь фторидов легких металлов в количестве 0,05 - 5 мас.% нефтяного кокса.2. Восстановитель по п.1, отличающийся тем, что в качестве фторидов легких металлов он содержит смесь NaF, AlF3, CaF2, MgF2, LiF и KF при соотношении NaF к сумме других фторидов AlF3+CaF2+MgF2+LiF+KF, равном 2,3 : 1 - 2,9 : 1.

Номер патента: 1040835

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Глушков, Емяшев, Костиков, Новгородов, Панов, Секридова

МПК: B22F 3/24, C23C 16/34

Метки: инструменте, кремния, нитрида, покрытия, спеченных, сплавов, твердых

1. Способ получения покрытия из нитрида кремния на инструменте из спеченных твердых сплавов, включающий загрузку в печь, вакуумирование, нагрев до 1000 - 1100oС, подачу в печь азота и галоидного соединения, выдержку в присутствии кремнийсодержащего вещества и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, подачу азота осуществляют до давления 2,67 - 3,99 кПа, в качестве галоидного соединения применяют четыреххлористый углерод, а выдержку осуществляют в присутствии кристаллического кремния.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллический кремний загружают в печь перед ее вакуумированием.

Номер патента: 1137860

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Волынский, Гуржий, Дюнов, Елункина, Зотов, Иванов, Казакевич, Красовицкий, Лобов, Резниченко, Синчук, Татаринов

МПК: F25J 3/08, G05D 27/00

Метки: водорода, водородного, восстановления, кремния, непрерывной, отходящей, парогазовой, печей, полупроводникового, производстве, процессом, регенерации, смеси

Способ управления процессом непрерывной регенерации водорода из парогазовой смеси, отходящей от печей водородного восстановления в производстве полупроводникового кремния, заключающийся в ступенчатом низкотемпературном охлаждении парогазовой смеси и регулировании расхода исходного хладагента, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода регенерированного водорода, увеличения извлечения трихлорсилана в основной конденсируемый продукт и уменьшения энергозатрат, испаренный азот, выходящий из теплообменника-вымораживателя и направляемый последовательно по теплообменникам процесса регенерации навстречу парогазовой смеси, перед вводом его в очередной теплообменник распределяют в зависимости...

Номер патента: 1496194

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Баботин, Вакар, Либман, Маргеев, Ойгенблик, Пахомов, Петров, Ряднов, Спиридонова, Федецов

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, трихлорсилана, четыреххлористого

Способ получения четыреххлористого кремния и трихлорсилана, включающий взаимодействие порошкообразного кремния с хлористым водородом в кипящем слое, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности, используют порошкообразный кремний, содержащий 11 - 40 мас.% пылевидной фракции диаметром частиц менее 0,072 мм.

Номер патента: 955659

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Бочкарев, Булаев, Гашенко, Данилевский, Данов, Елютин, Кох, Назаров, Рогаткин, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния

1. Способ получения кремния, включающий выщелачивание кремнийсодержащих отходов раствором соляной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода целевого продукта и упрощения процесса, в качестве кремнийсодержащих отходов используют твердые отходы производства трихлорсилана, перед выщелачиванием отходы обрабатывают азотом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку отходов азотом ведут при температуре 70 - 250oС, а соляную кислоту используют с концентрацией 0,1 - 0,4 г/л.

Номер патента: 942380

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бабенко, Баботин, Баранников, Башкирова, Ламбрев, Муромцева, Ойгенблик, Статкевич, Тартаковская, Хананова

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четыреххлористого

1. Способ получения четыреххлористого кремния хлорированием трихлорсилана, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода целевого продукта, хлорирование проводят в газовой фазе при температурах 32 - 380oC.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что трихлорсилан используют в виде отходов производства четыреххлористого кремния или кремнийорганических производств.

Номер патента: 894998

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Баботин, Башкирова, Ойгенблик, Тартаковская, Хананова

МПК: C01B 33/03

Метки: кремния, трехлорсилана, четыреххлористого

Способ получения четыреххлористого кремния и трихлорсилана путем взаимодействия кремния или его соединений с хлористым водородом в кипящем слое при повышенной температуре в присутствии хлорсиланов, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса за счет увеличения степени использования кремния, хлорсиланы берет в жидком состоянии и вводят в виде взвеси с твердыми частицами кремния в нижнюю часть кипящего слоя на расстоянии не более 1,5 диаметров аппарата от основания.

Номер патента: 1400464

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Иванов, Омельяновский

МПК: H05H 1/00

Метки: аморфного, гидрогенизированного, кремния, нанесения, пленок

1. Устройство для нанесения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащее магнитную систему, вакуумную систему, подложкодержатель, источник высокочастотной энергии и резонатор с отрезками запредельных волноводов, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения пленок при уменьшении энергозатрат на поддержание магнитного поля и повышения коэффициента использования исходного материала путем создания в резонаторе плазмы с плотностью выше критической и поддержания ее в условиях верхнегибридного резонатора, устройство дополнительно содержит диэлектрическую вакуумную трубу, охватываемую резонатором, расположенную соосно с последним, и коаксиальные относительно вакуумной...

Номер патента: 963213

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Баботин, Кудрявцев, Латина, Московцев, Статкевич

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четыреххлористого

1. Способ получения четыреххлористого кремния путем хлорирования пиролизованной рисовой лузги в противотоке при 950 - 1200oC, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода продукта и производительности способа, пиролизованную лузгу используют с размером частиц 0,01 - 2 мм и подают хлор со скоростью 10 - 60 см/мин.2 Способ по п.1, отличающийся тем, что при 950 - 1000oC хлор подают со скоростью 10 - 16 см/мин.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при 1000 - 1200oC хлор подают со скоростью 16 - 60 см/мин.

Номер патента: 1369182

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Аркадьев, Кох, Лозовацкий, Назаров, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, кубовых, остатков, переработки, поликристаллического, производства, тетрахлорид, трихлорсилана

Способ переработки кубовых остатков производства трихлорсилана и поликристаллического кремния на тетрахлорид кремния, включающий испарение кубовых остатков, содержащих полисиланхлориды, при нагревании с одновременным хлорированием и последующую конденсацию полученных продуктов, отличающийся тем, что, с целью одновременного получения гексахлордисилоксана, хлорирование ведут при массовом соотношении хлора и полисиланхлоридов 0,05 - 0,2:1 и времени контакта компонентов 2 - 5 с.

Номер патента: 1568449

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Данов, Епихин, Копытов, Назаров, Огурцов, Томашов, Халиков, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, кубовых, остатков, переработки, поликристаллического, производства

Способ переработки кубовых остатков производства поликристаллического кремния, включающий двустадийное хлорирование кубовых остатков в жидкой фазе с получением тетрахлорида кремния, отличающийся тем, что, с целью снижения взрывоопасности процесса и повышения чистоты получаемого тетрахлорида кремния, используют кубовые остатки с массовым соотношением содержания тетрахлорида кремния и сумма полисилан- и полисилоксанхлоридов, равном 1: 0,05 - 0,11, первую стадию хлорирования осуществляют при массовом соотношении хлора и суммы водородсодержащих полисилан- и полисилоксанхлоридов, равном 0,5 - 0,75:1, затем отгоняют тетрахлорид кремния до массового соотношения содержания тетрахлорида кремния и...

Номер патента: 1287464

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Аркадьев, Кох, Назаров, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четыреххлористого

Способ получения четыреххлористого кремния, включающий испарение и хлорирование кубовых остатков производства трихлорсилана при повышенной температуре с последующей конденсацией парогазовой смеси, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты целевого продукта, хлорирование кубовых остатков проводят в присутствии кислорода или гексахлорсилоксана, взятых в количестве, обеспечивающем отношение хлора к кислороду 100:1 - 10:1.

Номер патента: 1239983

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Аркадьев, Данов, Еременко, Кох, Крикавцов, Малороссиянов, Назаров, Старобина, Тищенко, Ходяков, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, трихлорсилана, четыреххлористого

Способ получения трихлорсилана и четыреххлористого кремния путем гидрохлорирования кремния в кипящем слое, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса и повышения степени конверсии хлористого водорода, процесс ведут при линейной скорости 0,18 - 0,28 м/с, высоте кипящего слоя 3,5 - 4,5 м и среднем эквивалентном диаметре частиц кремния 400 - 800 мкм.

Номер патента: 1422571

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Аркадьев, Аронов, Кох, Лозовацкий, Миттельштейн, Назаров, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/107

Метки: кремния, кубовых, остатков, переработки, поликристаллического, производств, трихлорсилана

Способ переработки кубовых остатков производств трихлорсилана и поликристаллического кремния, включающий их концентрирование, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полноты переработки пожаровзрывоопасных веществ, повышения безопасности процесса, а также его упрощения, кубовые остатки после концентрирования до содержания полисилан- и полисилоксанхлоридов 10 - 40 мас. % подвергают взаимодействию с водным раствором карбоната натрия при массовом соотношении кубовых остатков в пересчете на хлор и карбоната натрия, равном 1 : 1,6-3,3.

Номер патента: 1387798

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6