Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 534835

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Кулагин, Румак, Сергеев, Черных

МПК: H01L 21/465

Метки: выявления, кремния, кристаллической, нарушения, поверхности, полированной, структуры, травитель

...используют главным образомдля оценки дислокационной структуры монокристаллического кремния по фигурам травления и для химической полировки кремниевыхпластин с ориентацией 3 1 25 Недостатком травителя являются высокиескорости травления, что приводит к одновременному травлению всей поверхности кремниевых пластин и не позволяет выявлять дефекты предшествовавшей сгадийной механической обработки, а также нарушений кристаллической структуры поверхности кремниевойпластины, ориентированной параллельно плоскости (3.00 при внедрении акцепторных идонорных примесей в кремний,Целью изобретения является повышениеизбирательности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно...

Номер патента: 535215

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Марюхненко, Романец

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, дисперсной, кремния, процесса

...натрия в колонну подают осадитель, необходимое общее количество которого (в пересчете на 100% СО,) определяют с помощью датчика концентрации 10 и датчика расхода 11, функциональный блок 12 выдает сигнал, соответствующий обн,ему количеству 100%-ной углекислоты в осадителе. Сигналы функциональных блоков 6 и 12 подают в блок соотношения 13, куда также подают корректирующий сигнал от датчика 14 содержания бикарбоната натрия в су535215 ссмнзая Иусиисц Со итель Г. Жилинаехред М, Семенов едактор Т,Корректор Н. Ау 770 Тираж 630ого комитета Совета Минисизобретений и открытий, Ж.35, Раушская наб., д. 4/ аказ 2482/10ЦНИИП Изд. Ма Государствен по делам 13035, МоскаПодписноеСССР шография, пр. Сапуно спензии двуокиси кремния, выходящей из колонны,...

Номер патента: 545689

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Баймаков, Гольдштейн, Журавлев, Колпаков, Самхан, Сергеев, Тарасов

МПК: C22B 61/00

Метки: кремния, технического, шихта

...беззольного, но малоактивного нефтекокса (зольность резинококса 10%), при этом композиция получается достаточно реакционноспособной.П р и м е р. Специальными экспеоиментами определяют реакционную способностьмпозиций, состоящих из резинококса и ефтяного кокса по отношению к кремнезему. Эталонной шихтой служит смесь древесного угля с кремнеземом, Резинококс получаютЗаказ 258/4 Тираж 799 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП " Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 коксующим обжигом предварительно измельченных покрышек при 950 оС, Экспериментыпо изучению реакционной способности провадят в печи Таммана в интервале темпераВ результате...

Номер патента: 353531

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Зеликин, Щепачев

МПК: C02F 1/52, C02F 1/66

Метки: веществ, взвешенных, вод, высоким, двуокиси, кремния, содержанием, сточных, тонкодисперсных

...мг/л. Пример 2.К 1 лсточныхводдержащих 2,2 г/л взвешенных веществлая сажа), 2 г/л ЯоСО и 0,43 г/лЙа %добавляют 15 мл сточных вод хими 2+,чески осажденного мела (Са :взвесь = 1:520 Смесь каРбонизУют до пРевРащениЯ Йа 10 Зв г 1 аНО З и вводят при перемешивании5 мл раствора, содержащего 15,6 г/лГЕ(БОЕ) . Температура 35 С; рН 8,3,Через 2 час отстаивания кажущийся объем25 осадка 5%, а через сутки 1,5%, Жидкая фаза прозрачна (содержание взвешенных веществ менее 30 мг/л),Пример 3, 1 лсточныхвод, содержащих 2,5 г/л взвешенных веществ (белая сажа), 2,3 г/л НОСО и 0,3 г/л 5Й д 50 нейтрализуют 5%-ной Н 2 б О пофенолфталеину, вводят при перемешивании10 мл раствора, содержащего 55 г/лМС 1 (М Д; взвесь=1: 1 5), а затем10 мл раствора, содержащего...

Номер патента: 558637

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Вальтер, Ганс

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, тетрахлорида, трихлорсилана

...как псОВ доожиженный слОЙ, наполняя пм кварцевыйре 2 кт 01). г 1 еподвпжный слОЙ имеет Высоту 320 мм. . станОВ п 1)едварельгО наг)сва)от до 440 С и вводят в нее 220 нл)ч хлористого водорода (что соо,ветствует скорости подачи 3,2 см/с из расчета на пустой реактор), при558637 Формула изобретения Составитель В. Кириленко Тсхрсд М. Семенов Редактор Т. Девятко Коррсктор Л, Орлова Заказ 264/16 И,д Мо 466 Тираж 668 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 5Типография, ир Сапунова, 2 чем слой расширяется до высоты 380 мм и вследств;1 е саморазогревания при протекании реакции гидрохлорирования в нем устанавливастся температура 478 С, Эту...

Номер патента: 559636

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Адриан, Джон

МПК: C01B 21/06

Метки: кремния, нитрида

...при 450 С в течение 30 мин иопри 900 С в течение еще 30 мин в атмосферекрекированного аммиака для удаления полимераиз листа и формования кремниевого бисквита,После этой стадии бисквит азотируют обычнымспособом прокаливания. Например, аэотированиеведут при нагревании кремниевого бисквита в 40течение 16 час при 1350 С и в течение 7 час прио1450 С. В результате получают готовое изделие изингрида кремния в вице механически прочноголиста. Изделие имеет модуль разрушения 2700+350 кг/см . Смесь кремния и полимера можноформовать из пасты в изделие до удаления дисперсанта из смеси.П р и м е р 4, 20 г усов из нитрида кремния и1 л воды добавляют к смеси кремния и акриловоголатекса, как и в примере 3. Образовавшуюся дисперсиюсмешивают в...

Номер патента: 561926

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Альтман, Церфас

МПК: G02F 1/00

Метки: диффузионных, кремния, слоев, толщины, эпитаксиальных

...границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.10 Способ основан на том, что под давлением:пирина запрещенной зоны кремния уменьшается. Следствием этого свойства является интенсивное поглощение кремнием света с длиной волны более .р (красная граница) в об ластях, подвергшихся давлению. Поглощениесвета приводит к генерации подвижных носителей в той же области и возникновению фото-ЭДС на р - и переходе. Если давление создавать точечным зондом, то область сдавлен ного кремния и, следовательно, область генерации подвижных носителей определится размерами зонда, снлои давления н может быть сделана значительно меньше размеров измеряемых слоев и размеров элементов интег ральных схем. В этом...

Номер патента: 510057

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Васильева, Дроздов, Репинский, Свиташев

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, получени, слоев, сособ

...слоев двуокиси кремния одинаковой толщины по всей длине изотермического кварцевого реактора.Сущность изобретения заключается в том, что процесс окисления силана ведут в избытке кислорода при мольном отношении кислорода к силану 70: 1, концентрациях силана (0,5 - 2) 10 влголь л, при скорости потока газовой смеси 19 - 20 см сек и температуре 430 - 500 С.Поскольку скорреакции окисленияцентрации кислород ость радикально-цепнои силана зависит от кона, выбираются такие условия, когда изменением этой скорости по длине реактора компенсируют наблюдаемый обычно эффект обеднения газовой смеси по силану.5Согласно предложенному способу слоидвуокиси кремния выращивают в горизонтальном изометрическом реакторе диаметром 45 лл, с зоной равномерной...

Номер патента: 561331

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белый, Гуманский, Соловьев, Ташлыков, Тишков

МПК: B01J 17/30

Метки: карбида, кремния, слоев

...- увеличениетолщины слоя карбида кремния и его од нородности.Поставленная цель достигаетсятем, что на поверхность монокристаллакремчия предварительно наносят слойуглерода толщиной 300 - 800 1, а бом бардировку ионами ведут импульсамидлительностью 1 - 20 мсек с частотойследования 15 - 20 импульсов в 1 сек.Способ поясняется чертежом,Ионы углерода, используемые для З 0 легирования, получают из графитовых561331 формула изобретения 1 О бородоваКорректор СПодписноенистров СССРийВ 4 Й Составитель ВезТехреп С,БецаТираж 947комитета Совета Иибретений и открытРаушская наб., ужгород, ул. Пр Л.Жаворонков Редакт 1/7 ИПИ Государстве по дел 113035 МоскваЗаказ ого изо Жт, г лиал ППП Пате оек электродов 1 и 2, разделенных изоляторами 3, ускоряются в...

Номер патента: 473425

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Делягина, Дяткин, Каган, Кнунянц, Федосеева, Южелевский

МПК: C08G 77/06

Метки: атома, группами, кремния, полисилоксанов, фторалкильными

...например зтилацетате, ацетоне, н присутствии акцоптоил соляной кислоты, напри -О (гмер триэтиламина Г 1 ри О 3 С.1 р и м е р 1. В колбу, снабженнук 1 мешалкой, двумя капсльными воронками и термометром, загружают 50 млсухого этилацетата и )О г триэтиламина. При интенсивном перемешивании прибавляют из первой капельной воронки64 г 4,4-бис в трифторметил)-5,5,5-трифторамил) -метиллихлорсилана в360 мл сухого зтилацетата и из второйворонки 28,4 г тетраметилдисилоксана, 2834 г триэтиламина в 360 мл сухогоэтилацетата. Реакцию проводят приО-З С. По окончании подачи реагентовв реакционную зону продукты конденсации перемешивают 1-2 ч при комнатной 80температуре, после чего отделяют солянокислый триэтиламин от реакционноймассы и отгоняют...

Номер патента: 327780

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Авдеев, Аливойводич, Артеменко, Варюшенков, Вольпин, Ильинков, Исаева, Киселев, Кучеренко, Рагулина, Рапопорт, Тарасов, Тимофеев, Хренникова

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, шихта

...и .повыше- нию теплового КПД электропечи. При этом мелкозернистый нефтяной кокс в несколько раз дешевле сажи.Применение комбинированного .вос- . становителя нефтяного кокса и сажи возможно двояким способом.1. Нефтяной кокс и сажу сэеаивают с кварцевым песком и окусковывают в виде брикетов или гранул. Окускованную шихту загружают в электропечь2. Нефтяной кокс и сажу смешивают и окусковывают. Окускованная смесь загружается в электропечь совместно с кварцевым песком.В качестве связующего при окусковании шихты предлагается применять: а) концентраты сульфитно-спиртовой барды на основе катионов натрия, магния или аммония (не вносящих вредных примесей) в количестве до 10 от весухой шихты; б) каменноугольныйи нефтяной пек в количестве до 20веса...

Номер патента: 582200

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Варюшенков, Исаева, Киселев, Тарасов

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, кристаллического, плавки, шихта

...уголь 10Нефтяной кокс 1 - 10Торфяной кокс 10 - 20Торфяной кокс, используемый в составе5 предлагаемой ш 11 хть, получен термическойобработкой природного торфа и имеет следующие свойства; пористость 69%, кажущуюсяплотность 0,46 г/смз и удельное сопротивление)110 ом см.10 Предлагаемый состав шихты обеспечиваетповышение производительности процессаплавки на 0,4 кг/час и снижение расходаэлектроэнергии более чем на 8% по сравне,нию с выплавкой кремния из шихты извест 15 ного состава.П р и м е р 1. Смешивают 66,7 кг кварцита,16,3 кг древесного угля, 2 кг нефтяного коксаи 15 кг торфяного кокса. Полученную шихтузагружают в дуговую печь н осуществляют20 плав 1 кремни 11 г 1 ри мощност 11 псч 11 120 ВА.В тсчение каждого часа получают до 4,4...

Номер патента: 593646

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Вольфганг, Конрад

МПК: B01J 17/32

Метки: карбида, кремния, труб

...ета Совета Мииистровй и открьггидушскаи иаб., д, 4/5 го комит изобретеи ЖЗЬ, Р Государствеипо делам 35, Москва ППППа тъ,г.У род, уя. или ет токовые контакты, снабженные патрубками для ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремния. Кожух может быть снабжен средствами ввода и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во время нагревания.На чертеже изображено предлагаемое устройство. Оно содержит трубчатое полое тело из графита 1 с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используется в качестве .носителя для внутреннего осаждения полупроводникового материала, Для этой цели графитовая трубка 1 снабжена затворами для впуска 4 и выпуска 5 газа для реакции. Для защиты тлеющего графитового тела 1 во...

Номер патента: 594131

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Бандурина, Курлова, Южелевский

МПК: C08G 77/08

Метки: ароматическими, атома, диолов, заместителями, кремния, низкомолекулярных, полидиорганосилоксан

...Ш-диолы выделяют известными приема) 50ми, например отгоняют растворители. П р и м е р 1, Смесьсодержащую 1,03 (О; 0036 мопь) пентаметипфенилцикпотрисипоксана, 0,2345 г (0,0017 моль) трехЯ хлористого фосфора и 1,0 мл четыреххпористого углерода перемешивают и выдерживают при комнатной температуре в течение 74 час, затем в нее вводят 5,42 г 10%-ого водного раствора карбоната натрия и отмывают60 1 водой до нейтральной реакции. После отгоцки 4растворите пя и сушки при 50-60 фС/1 мм рт. ств течение 7 час получают 102 г (98,5%)попидиметилметип(фенин)сипоксан - Фщ-диопов, содержащих 2,78 вес,% ОН-групп (определено по методу Чугаева - Церевитинова), что соответствует пописипоксандиопу, содержащему 1 2 сипоксановых звеньев.Содержание...

Номер патента: 606812

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Байков, Иванов, Мищенко, Рябенко, Шалумов, Шимичев

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния, сушки

...повеохностных гидроксильяых групп, а также происходит окончательная деструк ция зтоксигрупп, чему способствует вы606812 формула изобретения Составитель Л.РоманцеваРедактор Т.Девятко Техред С,Беца Корректор С.Гарасиняк Заказ 2520/14 Тираж 655 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП ефПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 держка в атмосфере сухого воздуха в течение 1,5 ч.На третьей стадии происходит удаление внутриглобульных гидроксильных групп. Если скорость нагрева превыситс0,9 С/мин, возможно оплавление частиц благодаря повышению концентрации гидроксильных групп в поверхностном слое и образованию расплава двуокиси...

Номер патента: 612610

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Гленн, Джон, Николас

МПК: B01J 17/32

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...

Номер патента: 622870

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Дзиковский, Сембай, Сероштан, Сошко, Цыгельный, Шестопалов

МПК: C23C 9/10

Метки: карбитов, кремния, нанесения, поверхность, расплава, состав, стальных

...(17-38), карбид кремния (1624), эвтектическую смесь фтористыхсолей натрия и калия (38-67) 2(,, Процесс силицирования в даномрасплаве проводят при 850-1200 С,овремя насыщения 2-6 час, глубина слосоставляет 28-280 мкм. Наиболееявляется сосганической жнометил, димланы (31.Недостатками таких составов явля+ ется низкая скорость формирования силицированного слоя, высокая токсичность и нетермостабильность используемых алкилхлорсиланов, разлагающихся с выделением хлористого водорода, оказывающего коррозионное действие на металл. Пары алкилхлорсиланов оказывают раздражающее действие на слизистые оболочки глаз и верхних дыхательных путей. С целью интенсифпредлагается состав ф нийорганической жидполиметилфенилсилоктриэтаноламин и олипри следующем...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Номер патента: 632672

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Богомол, Богомолов, Запорожец, Науменко, Плющ, Скачилов

МПК: C04B 35/565, C22C 29/06

Метки: карбида, кремния, основе, шихта, электронагревателей

...является уменьщние удельного электросопротивлени я иповышение стойкости к окислению привысоких температурах материала на осве карбида кремния,Электронагреватели из шихты предложенного состава получают методы порошковой металлургии. Исходные компоненты шихты перемешивают в шаровой мельнице в среде этилового спирта, Полученную щихту замешивают на 6%-ном растворе каучука в бензине, подсушивают, перетирают через сито М 0056 и прессуют заготовки при давлении 5000- 7000 кгс/см, Полученные заготовкиосушат при 170-200 С в течение 6- 8 ч и подвергают реакционному спекаонию при 1800-1850 С в среде инертт ного газа в парах кремния в течение 1-1,5 ч.Привес приокисленииопри 1300 С Теплопроводность при1300 оС,ккал/м.ч град в течение 50 ч, г/см ных...

Номер патента: 638543

Опубликовано: 25.12.1978

Автор: Маргус

МПК: C01B 31/30

Метки: выплавки, карбида, кремния, однофазная, электротермическая

...ую среду, и снабжен подъемно-опускным механизмом.На чертеже приведена принципиальная схема установки.Установка для выплавки кремния содержит передвижную печь 1, платформу 2, боковые щиты 3, служащие для удержания шихты 4, графитированный токопроводящий керн 5, графитированные блоки 6, стальные емкости 7, в которые помещена пастообразная токопроводящаи среда 8, разъемные токопроводящие элементы 9, подъемно-опускной механизм 10. Установка подключена к электросети 11.Работа установки осуществляется следующим образом,Загруженная пихтой печь 1 в специальном отделении цеха перемещается к месту подключения к сети 11. В соответствующем месте разъемные токопроводящие элемен.638548 ты 9 с помощью подъемно-опускного механизма О,...

Номер патента: 642143

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Лабес, Лавров, Мартынов, Полонский, Степаненко, Федорова

МПК: B24D 3/00

Метки: зерна, карбида, кремния, повышения, прочности, шлифовального

...отклика получена в декартовых642143 12 О Подписное 1 ИИПИ Заказ 7651/4 Тираж О 1 Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Пдектнаа, 4 осях коорданат ОХОУОЕ, где по оси .ОХ отложено количество термоударов, Ча, по оси ОУ - температура нагрева под закалку, С, по оси ОЕ - средняя прочность единичного зерна на раэдавливание, гр,Наблодаемые изменения прочности при тем. пературе под закалку ЬТ = 1000 - 1200 С связаны, по видимому, с взаимодействием двух следую. ших механизмов: уплотняюшего, - это механизм диффузионного эалечивания, происходящий при высоких температурах и многократ. ных термоударах, и разрушаюшего, - механизм растрескивания зерна под действием термоуда ров, связанный с образованием микротрещин. В зависимости от...

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Номер патента: 643175

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Аширов, Садыков, Шляпинтох

МПК: B01D 53/16

Метки: газов, кремния, четырехфтористого

...вшо в абсорбенте ионов фтора в указан ных количествах не происходит образова йие шлама кремниевой кислоты и улучша ются условия абсорбции.При содержании Р 0 в экстракционной фосфорной кислоте менее 16% и более 35% степень очистки газов падает до 80%. При проведении абсорбции в интер вале температур 36-50 С наблюдаетсяосамач высокая движущая сила процесса, Уменьшение отношения ионов фтора и РО менее ОООЗ м увеличение более 0,1 ведет к образованию шлама кремние Вой,кислоты, Оптимальным является весо вое отношение ионов фтора и Ря 0 равное 0,04.П р и м е р 1. Очищаемый газ, содержеший 22 ГУм 51 Г,4, н экстракнионная3фосфорная кислота с содержанием 16 вес.ЪО РОа и весовым отношением ионов фтора Абсорбепт-зкст пиоепия фссфор 1 кислота с...

Номер патента: 644729

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Бурыкина, Латина, Марсин, Позднеев

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четыреххлористого

...температуре 1100 - 1250 С и хлор подают в аппарат хлорирования четырьмя равными потоками по высоте аппарата, разделяющими объем аппарата на четыре равные реакционные зоны, при поддержании весового соотношения количества подаваемого хлора в каждом потоке и количе644729 желтбьатаяййдкбсть.1,49 Плотность при 20 С, г/смзТемпературные пределы йе 10 регонки при давлений760 мм рт стОстаток после перегонки, ,Содержание железа, ф,57 Не более 2,5 Не более 0,0008 Не более 0,2Формула изобретения Составитель Э. Жуков Техред С, Антийейко Корректор Е, Хмелева Редактор Т. Пилипенко Заказ 2630/11 Изд. Мо 130 Тираж 590 Подписное ЙПО Поиск Госудирс 1 йенного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раугйсйия йаб., д....

Номер патента: 651687

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Ханс, Ян

МПК: C04B 35/584, C04B 35/593

Метки: кремния, нитрида

...6 О, ИО О,20 СООТолщина слоев должна составлять008-1 мм. Слои покрытия наносят либо погружением заготовок в суспензия,либо разбрызгиванием в пламени илидругим термическим распылением, Пред"почтительный размер частиц составляет0,1-100 мк.После вакуумнрования начинают поднимать температуру и при непрерывномоткачнвавии доводят ее, до спеканиявнешнего слоя.Величина давления в процессеноостатического прессования .зависит от ввепения к нитриду кремния таких добавок,как ЮДОн составляет 100-300 Мйа беэдобавок и не менее 20 МПа при введении добавок. П р и м е р . Порошок нитрида кремния с размером частиц менее 7 мк, са держащий примерно 0,1 вес.% окиси магнйя, помешают в капсулу определенной формы из резины или поливинилхпорида, герметизируют ее...

Номер патента: 658427

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Градскова, Жинкин, Трохаченкова

МПК: G01N 1/00

Метки: количественного, кремния, металлов, микропримесей, органоалкоксисиланах, органохлор, хлоридах

...элемента в граммах на электрод.) .Расчет проводят методом найменьших квадратов. Процентное содержание металлических примесей в анализируемых объектах рассчитынают по ФормулеЭЮ 0ч дгде ш - количество элемента, найденное по градуировочному графику,г/эл;д - удельный вес анализируемогопродукта, г/мл;у - объем анализируемой пробы.В табл. 2 приведены результатыанализа Я 1 С 14 предлагаемым и известнымспособами определения. В большинствеслучаен результаты анализа хорошосогласуются с учетом ошибок методов,н то время как продолжительность проведения анализа снижается в 4-5 разпри использовании предлагаемого способа,Таким образом, основными преимущестнами предлагаемого способа являются снижение продолжительности анализа в 3-5 раэ по сравнению с...

Номер патента: 659524

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Анисимова, Кузнецова, Нирша

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния

...технологической схемы получения двуокиси кремния, включающей операции синтеза тетраацетата кремния, очистки последнего от хлорангидрида уксусной кислоты, испарения его после очистки и пиролиза в паровой фазе.Кроме того, невысока чистота получаемой по этому способу двуокиси кремния, которая содержит в виде примеси до нескольких процентов продуктов деструкции органических соединений. Цель изобретения - повышение чистоть целевого продукта и упрощение процесса его получения.3шивают с безводной муравьиной кислотой и нагревание ведут при 30-60 С.При этом тетрахлорид кремния и муравьиную кислоту смешивают в мольном соотношении 1:4,0 - 4,25.Технологическая схема по предложенному способу упрощается, поскольку из нее исключаются операции очистки...

Номер патента: 670536

Опубликовано: 30.06.1979

Авторы: Деринг, Заика, Зайцев, Левина, Половенко, Сысоев, Сытник, Трутнев, Утешев, Якимцев

МПК: C01B 33/18

Метки: высокодисперсной, двуокиси, кремния

...в виде суспензии двуокиси кремния, взятой в количестве 0,1 - 1,0 по отношению к единице объема силиката натрия,Затем реакционную смесь в следующем реакторе обрабатывают минеральной кислотой при рН 3 - 6 с образованием осадка двуокиси кремния.В третьем реакторе избыточной минеральной кислотой доосаждают двуокись кремния из исходного раствора силиката натрия, доводя рН суспензии раствором жидкого стекла до 6,0 - 8,0.Полученную суспензию двуокиси кремния многократно фильтруют и отмывают от минеральных солей, отделяют осадок двуокиси кремния и сушат в расцылительной сушилке или гранулируют последующей сушкой в псевдоожиженном слое.П р и м е р 1, В реакторе, снабженном мешалкой со скоростью вращения 60 об/мин, подвергают непрерывному...

Номер патента: 670597

Опубликовано: 30.06.1979

Авторы: Васильев, Гордеева, Малкин

МПК: C09C 3/08

Метки: двуокиси, кремния, модификации, поверхности

...ацетилена и аммиака продукт промывают водой до нейтраль ной реакции и получают 102 г спликагсляс ацетиленовыми группами, привитыми на поверхности. В ИК-спектрах наблюдаются полосы поглощения при 2400 и 2930 - 3010 см -(полосы поглощения ацетилено вой грппы) и отсутствуют полосы поглощения оксигрупп при 3400 в 32 ем в . Содержание углерода при элементном анализе 2,1%. Эти данные указывают на полноту замещения гидроксильных групп на аце тиленовые.При пропускании водного раствора сернокислого серебра через колонку, заполненную силикагелем, обработанным таким образом, с последующей промывкоп его 30 дистиллированной водой получается фильт670597 Составитель В. Темниковский Редактор Г, Прусова Техред А. Камышникова Корректор В. Дод Заказ...