Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 117655

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Каргин, Ластовский, Матвеева, Широков

МПК: C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния

...солягнсй хими-секи чястой кгслоты. Гппро .3 ведут ПАОЛ Ваеччъом пои остаточном дяВ- ленин 10),г, рт. ст. пр,; нагревани Нд Водяной оане до 80 в тече 5 ие тзех дссз. При этом отгоняют Возный ря.твор сп.,пт. Пс:ле Охлагкдения полученный гель двуск,си кремния пе;:сносят из колбы В кВарцезые чаши и сушат сначала :.СД Иезф гнд Де 0 ЛаМПОй, ПО:ТЕ- пе: но узеличдза 5 Обогрев до макс,вдгьой те 1 пе 11 ятуры 1150", Полученгная дзускись кре:ани 5 содержит раймеси железа, кальция, титана В количестве до 110 00.Пример 2. Из полученного по примеру 1 геля двуокиси кремния.Предмет изобретения 11 омитег по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Е. Г, Гончар Поди. к печ. 281 Х 1-1958 г,Тираж 950. Цена 25 коп. Информационно....

Номер патента: 118493

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Борщевский, Бочкарев, Демидов, Кулакова, Мовшевич, Рабовский, Спектор, Щеголь

МПК: B01D 15/00, C01B 33/08

Метки: газов, извлечения, кремния, пары, содержащих, четыреххлористого

...извлечения четыреххлористого кремния из газов, содержагцих пары четыреххлористого кремния, путем абсорбции жидкими абсорбентами, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения четыреххлористого кремния, применяют керосины, освобожденные от непредельных углеводородов, с температурой кипения не ниже 150, насыщенные углеводороды циклического или алифатического ряда выше С 9, хлорированные высококипящие простые эфиры с температурой кипения не пике 150 и температурой замерзания не ниже - 25. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н. С. Кутафина Гр. 41, 45Информационно. издательский отдел.Объем 0,34 п. л. Зак. 2099 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва,...

Номер патента: 118812

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Карлин

МПК: C01B 31/36

Метки: карбида, кремния

...обработки, места хранения и специального устройства для транспортирования. Возвратные материалы накапливают вредные примеси, вследствие чего они идут частично на переработку, а частично в отход,С целью устранения получения возвратных материалов и чрезвычайно трудной для обслуживающего персонала операции послойной разборки полученного продукта и его сортировки, предлагается при загрузке печи укладывать вокруг керна слой реакционной шихты и крупку карбида кремния, которая выполняет роль темплоизолятора, имеющего очень хорошую газопроводность. Образующийся однородный продукт не требует дополнительной сортировки, его разгрузку можно осуществлять механизмами.Предлагаемый способ дает возможность использовать также реакционную шихту,...

Номер патента: 118813

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Губанов, Ковырзин, Лалыкин, Саврасов

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четырехиодистого

...2 загружают в рабочую трубу аппарата (установки), имеющую две ветви: горизонтальную 3 и наклонную 4, причем наклонная ветвь составляет с осьюгоризонтальной ветви угол в 10.Рабочая труба заполняется четырехиодистым кремнием так, чтобыуровень его был несколько выше середины горизонтальной ветви 8,В начале наклонной ветви 4 генератором пустот б создается пустота, с помощью которой расплавленная зона перемещается вдольнаклонной ветви и доходит до патрубка 2, при этом из ампулы 1 подается порция четырехиодистого кремния, равная количеству слитого материала при образовании пустоты.Печь б наклонной ветви отводится в первоначальное положениеи процесс повторяется снова. Расплавленная печью б наклонной ветвизона подхватывается печью 7...

Номер патента: 119176

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Кравченко, Моргулев

МПК: C01B 33/025

Метки: кремния, кристаллического

...до 1400 под вакуумом. Известно много способов получения чистого кристаллического кремния, в том числе и путем восстановительной плавки кварца или чистого кварцевого песка с углеродистым материалом в дуговой электропечи, но они обладают рядом недостатков, в частности пе обеспечивают необходимой чистоты конечного продукта и требуют высоких температур, порядка 1700Описываемый способ заключается в том, что процесс восстановления ведут при температуре до 1400 под вакуумом.Предлагаемый способ экономичнее известных, так как процесс проводят при более низкой температуре, в результате чего получают конечный продукт наиболее чистый.Способ осуществляют следующим образом. Измельченный карбид кремния смешивают с мелким чистым кварцевым песком...

Номер патента: 120510

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Андрианов, Балабин, Бялко, Голубцов, Дарашкевич, Кафыров, Солодкина, Трофимова

МПК: C01B 33/08, C01B 33/107

Метки: кремния, одновременного, трихлорсилана, четыреххлористого

...Предмет изобретения Способ одновременного получения трихлорсилана и четыреххлористого кремния путем взаимодействия кремния или его сплавов с хлористым водородом, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения производительности аппаратуры и облегчения управления процессом, последний осуществляют в кипящем слое. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Л. Г. Голандский Гр, 45Поди. к печ. 16.17-59 г.,Тираж 680 Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2413 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.При проведении процесса на сырье с высоким содержанием кремния (например, на техничек ком кремнии Кр.-1) количество...

Номер патента: 120764

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Рогаткин

МПК: B26D 1/48, B26D 1/50, B28D 5/04 ...

Метки: германия, кремния, кристаллов, разрезки, станок, частности

...повышения скорости резания, является применение в нем двух дополнительных барабанов, огибаемых указанными петлями проволоки и установленных на противоположных сторонах рамки, получающей периодические возвратно-поступательные перемещения от электродвигателя.На кинематической схеме предлагаемого станка П - натяжная пружина, К, - барабан с новой проволокой, Кз - барабан с изношенной проволокой, приводимый во вращение электродвигателем Э Р - рамка, получающая возвратно-поступательные перемещения от электродвигателя ЭР, - натяжной барабан; Рз - барабан перемотки, приводимый во вращение электродвигателем Эз, Рз и Рз - барабаны на рамке Р; Р 4 и Р, - направляющие барабаны; Ре и Ре - рабочие барабаны; Г - кристалл,120764В механизм натяжения...

Номер патента: 121119

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Алферов, Карлин

МПК: C01B 31/36

Метки: карбида, кремния, электропечах

...карбида кремния, графита и (игп угля, что устраняет перемещение примесей и одновременно препятствует сгоранию внутри камеры выделяющихся нз печи горючих газо 1 з, созданая возможность их утилизации,Способ заключается в том, что в электропечи вся загруженная шихта превращается в карбид кремния без нарушения ее состава, так как поперечные размеры подвижной электропечи рассчитаны на реакцию во всем объеме шихты при температуре на поверхности до 2000, достигаемой за счет нагревания электропечи от керна,Для этой температуры применяют огнеупоры из перекрнсталлнзованных изделий на основе карбида кремния, графита и/или угля121119 Восстановителькая среда для этих огнеупоров создается в герметической камере иэ тех же огнеупоров за счет...

Номер патента: 121963

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Чулков

МПК: G01N 31/02

Метки: кремния, полиалюмоорганосилоксановых, смолах

...такое же количество сернокислого аммония. Смолу обрабатывают несколько раз при нагревании прикапывапием по 0,5 5 гл олеума (20,(-Ного) в кварцевом тигле под крышкой до прекрагцения вспен:Вания и обесцвечивания темного раствора; во избежание потерь олеум прибавляОт в остывший раствор в игле,Расщепление связей Я 1 - С дымящейся серной кислотой и окисление алкильных радикалов заканчивают при появлении на дне тигля осадка, который указывает на образование кремниевой кислоты. Выделившаяся ДегидратирОДанная кремниевая кислота почти тепяет В этих условиях способность переходить в коллоидный раствор,Кислотную смесь с осадком кремниевой кислоты охлаждают и количественно переносят в химический стакан (200 лл) с 25 мл 2 о-ного раствора винной...

Номер патента: 124605

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Мазурин, Миляева

МПК: C03C 3/102

Метки: двуокиси, калия, кремния, окиси, основе, свинца, стекло

...из них температуростойкие изделия, например электроизоляторы.Предлагаемое настоящим изобретением стекло не имеет этого недостатка, так как помимо вышеупомянутых окислов в его состав входят; МпО, 1.120, СоО.Состав описываемого стекла следующий: 810 - 49%; РЬО - 35%; МпО - 8,5%; К,О - 6,3 - 6,8%; 1 лО - 0,7%; СоО - до 0,5%:Это стекло обеспечивает работу изготовленных из него изделий в температурном интервале от 60 до +300, при 300 имеет удельное объемное электросопротивление в 10" о,и/сл; хорошо спаивается с металлами, имеющими различный коэффициент расширения, например ферроникелем и мягким железом, и дает с этими металлами герметичные спаи. Химическая устойчивость стекла лежит в пределах первого гидролитического класса, а...

Номер патента: 124606

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Мазурин, Миляева

МПК: C03C 3/105, C03C 3/108

Метки: двуокиси, калия, кремния, лития, окиси, основе, свинца, стекло, стронция

...ем кис а юще отл электроиз (по весу в аОз - 1, 20 - 0,7% тв, е ости и еществ 5%, А 5,5%, 1. Известны стекла на вуокиси кремния, окиси свинца, окисионция, окиси калия и ития, применяемые для различных техческих целей.Недостатком этих стекол является невысокая температуростойкостьи низкие электроизоляционные свойства, что не позволяет использоватьих для изготовления температуростойких установочных электроизделий,например проходных изоляторов,Предлагаемое стекло содержит еще и окись бора, окись алюминия,окись кобальта.Химический состав предлагаемого стекла следующий:510 а - 43 а/о, В 20 з - 8,5 о/о, Л 120 з - 1,2%, РЬО - 27%,ЯгО - 12,5%, К 20 - 5,5%, 1.120 - 0,7%, СоО - 1,6%.Это стекло позволяет изготовлять из него изоляторы и другие...

Номер патента: 127025

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Иноземцева, Рязанцев

МПК: C01B 33/031

Метки: высокой, кремния, разложением, термическим, тетраиодида, частоты

...Коническим срезом ширины танталовой ленты создается искусственный перепад температуры по длине трубы ( - 200),Работа установки складывает я из следующих операций: из всей системы, проверенной предварительно на вакуумную плотность, форыкуумным насосом откачивается воздух; одновременно включается нагрев танталовой трубы и фреоновое охлаждение металлической ампулы; иодит кремния в кварцевой ампуле расплавляется прои помощи горелки, после чего под ампулу подставляется печь для поддержания температуры на уровне 135 - 140. Пары тетраиодида кремния поступают в танталовую трубку, нагретую до 880 - 1100, где происходит их термическое разложение; кремний при этом откладывается на стенках танталовой трубы, а иод конденсируется в металлической...

Номер патента: 127334

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Концевой

МПК: G01N 13/00

Метки: германия, диффузионной, длины, кремния, носителей, слитках

...силы холостого хода при поверхностной и объемной генерации пар носителей тока.Сущность описываемого способа состоит в следующем.Торец слитка освещают световым потоком, диаметр которого больше диффузионной длины носителей тока, Световой поток пропускается: при исследовании германия - через слой воды, а при исследовании кремния - через фосфатное стекло. В центре освещенной поверхности устанавливают точечный зонд и измеряют фотоэлектродвижущую силу холостого хода. Затем пропускают свет через интерференционный инфракрасный фильтр и вновь измеряют фотоэлектродвижущую силу, По результатам измерений определяют диффузионную длину носителей тока.127334 Предмет изобретения Редактор В. Н. Погоржельский Техред А. А, Камышникова Корректор Л....

Номер патента: 127408

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Кузьмин, Сафронов

МПК: C22B 61/00, C22B 9/04

Метки: других, иодидный, кремния, рафинирования, элементов

...углубление по окружности 2 для уплотнителя из тефлота. С помощью фланца корпус перекрывается крышкой 3. Сырье длярафинирования размещается в корзинках 4 - сетчатый цилиндр вцентре и две трубы по бокам., - наружные стенки которых выполненыиз листового металла, а внутренние из сетки.В кольцевом зазоре, образуемом двумя зонами сырья, располагается проволока 5, на которую наращивается кремний. Йод вводитсяв реактор через смотровую трубку б, а ток на нить накаливания подводится через два токоввода 7, один из которых крепится к крышке, а вгорой изолирован от нее,Реактор заключен в термостат 8, имеющий электроспираль для обогрева 9 и змеевик 10 для охлаждения.Корпус реактора выполняется из стали 10 или из сплава ЭИипокрывается изнутри...

Номер патента: 129640

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Богатырева, Гербурт, Григорьева

МПК: B01D 53/14

Метки: газов, контактного, кремния, обжиговых, производства, сернокислотного, четырехфтористого

...раствореннъЙ сульфат калия или натрия, с послед 1 сцим отстаиваниек 1 осадка и возвратом осветленной кислоты в цикл.В лабораторных условиях способ осуществляют следующим путем В смесь воздуха с сернистым газом, содержащую - 10" 0 добавляют газообразный ЯЕ, (концентрацией от 0,4 до 1 г.1 Гз до содержания 0,5 - 1,0 о ЯЕ 4 в газовой смеси, Смесь газов барботируют через вертикальную колонку с раствором Кзс 104 в 5 о-ной серной кислотс при 40. Концентрация раствора - 1 - 3% К 2 ЬО Объемная скорость азов равняется - 4000 час -. Из колонки газы пропускают через ко- центрированную серную кислоту и затем подают в контактную труб, загруженную массой ВЛВ в количестве 11 м.т или 6 г.При этом происходит полная очистка газа от четырехфтористо.о...

Номер патента: 129657

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Соколов, Юткина

МПК: B01J 23/72, C07F 7/12

Метки: контактной, кремния, массы, меди, основе, сплава

...способамиеза. дмет изобретени Способ полученмеди для прямого стем, что, с цельюкремния и меди обр я контактнои массы на основе сплава кремния интеза фенилсилантрихлорида, о т л и ч а ю щ и й с величения выхода фенилсилантрихлорида, спла батывают серной кислотой при 20 - 90,Известные способы получения контактной массы на основе сплава кремния и меди для прямого синтеза фенилсилантрихлорида обеспечивают малый выход фенилсилантрихлорида.Предложенный способ лишен указанного недостатка.Сущность изобретения заключается в том, что сплав кремния и меди подвергается обработке серной кислотой при температуре 20 - 90Контактная масса на основе сплава кремния и меди, согласно пред ложенному способу, получается следующим...

Номер патента: 132628

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Грошев, Рабовский, Фурман, Щеголь

МПК: C01B 33/08, C01F 7/60

Метки: алюминия, кремния, одновременного, хлоридов

...восстановителя.Отвал шахтных печей содержит значительные количества непгировавших окислов алюминия и кремния и характеризуется вьстепенью чистоты: он содержит до 99,8% полезных веществ.Установлено, что отвал, взвешенный в мелкодиспев среде расплавленных хлоридов щелочных металлов встановителя, в качестве которого применялся нефтянойся с достаточнои скоростью.П р и м е р,9 г измельченного до дисперсности 80 леш отваловнефтяного кокса той же дисперсности загружались в кварцевую прку диаметром 20 лл, содержащую расплав эквимолекулярнойКС 1, аС с добавкой 10% А 1 С 1 з. Через расплав со скоростью 3пропускался хлор. Опыт длился в течение часа. Результаты привв таблице. о ве. отвал овых рореа- сокой рсном состоянии присутствии воскокс,...

Номер патента: 133057

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Барам, Вассерман, Прянишников

МПК: B01D 59/40, C01B 33/12

Метки: двуокиси, кремния

...способ обеспечивает получе необходимой степени чистоты, малой удельной плотности, пригодной для производства кварцев ла, люминофоров и других целей. Способ осуществляется следующим образо Жидкое стекло разбавляют водой до плот стаивают в течение 15 - 20 лшн, фильтруют и тролиз. В анодной камере поддерживают щелочную рИ в интервале 9 - 12, при напряжении 4 - 5 тока 0,6 - 0,05 а/слР и температуре 20 - 60, Лно тиновая фольга. В качестве катода используютности 1,1 - 1,3 г/сл 1, от направляют па элек со значениемй плотност т тонкая планикель. рсакци в, анод ом служ ртуть илПредмет изобр етеиия Способ получения двуокиси кремния электролизом водного раствора силиката натрия в электролизере, снабженном катионо-обменной диафрагмой,...

Номер патента: 134030

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Балдин, Башенко, Добровольская, Копейкин, Недзвецкий, Ратников, Щербаков

МПК: C30B 13/20

Метки: бестигельной, вертикальной, зонной, индукционной, кремния, плавки

...для эффективного использования возможностей индукционного нагрева,Установка состоит из плавильного ламно вого генератора, подпорного машинного генератора, печи и пульта управления, выполненных в виде отдельных блоков.На фиг. 1 изображена схема лампового генератора; на фиг, 2 - схема рабочей камеры 15 и вакуумной системы печи установки.Ламповый генератор собран по,простой одноконтурной схеме на мощном генераторном триоде типа ГЦбез выходного согласующего трансформатора, Частота генератора 5 Мги, 20 мощность - до 15 квт. Ламповый генераторсостоит из генераторной лампы Л, колебательного контура С, И, разделительного конденсатора С, петли связи индикатора мощности П, кондейсатора обратной связи Сс, сопротив ления гридлика Й, фильтров:...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 136329

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Попова, Фурман

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четыреххлористого

...хлорида железа и щеталла, добавляя по ходу процесса вместе с ферросплици1 целочных металлов в количестве, эквивалентном ооразующном желез и удаляя из реактора соответствующее колиилава.Предложенный способ облегч 11 т удаление побочногохлорного железа из сферы реакиин.П р и м с р. К 100 г плана, содержащего в весовыхКС 1 - 30,5, 1 ааС - 24, ГеС 1, - 43, ГСС 1 - 1,5, нерастворика - 1, добавляют 30 г ферросилиция, содержащего 69,5,онагревают до 700 и пропускают хлор со скоростью 300 сяпие 132 лин. Получают 111,4 г чегыреххлорпстого кремния,ляст 88,2%, считая на изр 11 сходова:П 1 ь 1 й хлор. ремния от 600 - 700 в ПОЧНОГО МЕ- ем хлориды емуся хлорчество рас. од кта процентах:1 ого осад - Я 1. Смесь 11 ан, в течечто составедм ет нзо...

Номер патента: 136564

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C23C 16/30

Метки: графитовый, карбида, кремния, монокристаллов, тигель

...5 за 196 г.Осуществление способа получения монокристаллов карбидов кремния кристаллизацией из расплава кремния затрудняется отсутствием подходящего матернала тигля для расплавления кремния, Кварцевые тигли при перегреве, необходимом для выращивания монокристаллоз карбида кремния, размягчаются, что вызывает выбросы кремния; тигли даже из графита высокой плотности пропускают кремний,Описываемый способ подготовки графитового тигля позволяет использовать последний для выращивания монокристаллов карбида кремния. Сущность способа заключается в том, что графитовый ти;ель подвергают нагреву до 1000 - 1200 в атмосфере предельных углеводородов, например в атмосфере гептана, в результате чего поверхность тигля и внутри и снаружи покрывается...

Номер патента: 137893

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Дубровский, Мельник, Одинец

МПК: C30B 7/12, H01L 21/316

Метки: защиты, кремния, кристаллов

...окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимуо чистоту и достаточнуо толщину оксидного покрытия,Практическое осуществление способа заключается в следуощем. Надне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 - 10лл в специальной ячейке закрепляют кремниевый анод, подлежащийпокрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 - 1,5 лгол. сл,После того как электрохимическая ячейка собрна электроды подаот ток напряжением 20 - 30 в. В137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в...

Номер патента: 137918

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Корнблит, Мартынов, Смирнова, Сыркина, Сытник

МПК: B01D 15/08, G01N 21/62

Метки: анализа, других, жидких, имеющих, концентрации, кремнесодержащих, кремния, незначительные, примесей, соединений, четыреххлористого

...и исходный продукт,Так как в ряде случаев затруднительно знать заранее примерную концентрацию определяехсой примеси и сорбционная емкость силикагеля может оказаться исчерпанной до конца фильтрации, то фильтрацию можМ 137918 1ЖоОоо со,о Силикагель - 9,6 г. 8 гс 14 - 419 г Ж о фо Ъ м Ток а Яовф о,ооо о а. о о О ж о,Ос; До Цох 65д 1 ооао о оойдо о г,д а о ооо оо Элемент 0,085 0,184 0,003 0,030 0,0014 0,036 0,003 0,5 0,5 0,5 0,5 0,05 0,1 1,0 0,05 7,632,88 43,20 80,00 1,20 11,50 0,577 17,30 1,1535,52 77,10 1,20 11,50 0,577 15,40 1,15 А Ге Мп Мд Св РЬ Са гч 0,2000,0030,0020,03 79,60 1,26 0,84 12.,60 83,801,26 084 . 12604,20 1,90 Из таблицы следует, что для всех перечисленных примесей разница между определением по сорбенту и непосредственно...

Номер патента: 138238

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Вуколов, Гасик, Кравченко, Моргулев, Нетовский, Рагулина

МПК: C01B 31/36

Метки: карбида, кремния

...что обеспечивает уменьшение вредных примесей.Ведение процесса под вакуумом позволяет попутно улавливать и использовать отсасываемые горючие газы, выделяемые в процессе нагревания и образования карбида кремния.При осуществлении способа могут быть использованы электропечи сопротивления с горизонтальным расположенным рабочим сопротивлением (керном).Конструкция печи и способ загрузки ее шихтовыми материалами остаются за небольшим изменением отдельных деталей прежними. Загруженную шихтовыми материалами печь одним из известных способов вдвигают в вакуумную камеру. Вакуумная камера выполняется из металла и снабжается двумя герметически закрывающимися крышками (дверями) с герметически вмонтированными в них токопроводами. Камера внутри...

Номер патента: 139175

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ерусалимчик, Ефимов, Пономарева, Прилепина

МПК: C25D 3/50, C25D 7/12

Метки: карбида, кремния, палладирования

...от работыпри повышенных температурах.Описываемый способ палладпроьанпя может быть использован в производстве полупроводниковых приборов и прп измерениях пара метров образцов карбида кремния. Спосоо палладирования л.-типа, например, для пол ющих контактов к этому ванны, содержащей: Рт 1 С 2 2 Н. 16 г/л МН 4 С 30 г/л МН 40 Н до кислотности при комнатной температур 0,25 - 1 а/дмз в течение 3 -карбида кремния ения невыпрямляолупроводнику из раствора 9 - 10 рН,и плотности тока 10 лтин.Изобретение относится к технологии получения невыпрямляющих (омических) контактов на полупроводниковых материалах. Известные способы получения таких контактов требовали последующей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого...

Номер патента: 139440

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Бамунер, Васильев, Данилков, Дудин, Кочергин, Малинин, Моргун, Пекерис, Петров, Слухоцкий

МПК: C30B 13/28, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...1 предназначен для одновременного воздействия на зону расплава токов двух частот: высокой (5 Мгц) и низкой, регулируемой в пределах от 8 до 25 Кгц. Это обеспечивает проведение плаво". слитков различных диаметров, каждому из которых соответствует своя частота тока, создающего необходимый электромагнитный подпор и поддерживающие усилия.Низкочастотный генератор собранра, в котором используются импульсыугольной форме, которую имеет и на по схеме электронного инверто анодного тока, близкие к прямопряжение на аноде генераторнойМ 139440лампы За счет постоянного напряжения на аноде лампы в период ее проводимости и прямоугольной формы анодного тока резко до 90% возрастает к.п.д. лампы и мощность. отдаваемая ею,Плавильная печь (фиг 2)...

Номер патента: 139657

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ботвинкин, Запорожский

МПК: C01B 33/113

Метки: кремния, моноокиси

...темпера Способ полу ца углеродсо ися тем, что, роцесс ведут ром, располо кв то Известные способы получения окиси кремния (монокса) состоят в улавливании продуктов реакции кремнезема с углеродом в вакуумных сборниках без доступа воздуха, Получающийся при этом продукт представляет собой мелкодисперсный порошок, применяемый в качестве пигментов для красок и как полирующий материал.Предложенный способ получения моноокиси кремния обеспечивает получение продукта с полупроводниковыми свойствами, устойчивого к агрессивным средам, выдерживающего без разрушения тепловой удар в 1200 - 1500,Проведение процесса по предложенному способу осуществляют в проточной графитовой реторте, снабженной графитовым конденсатором, помещенным в зоне температур...

Номер патента: 145106

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Горин, Иванова, Плетюшкин, Славина

МПК: C23C 10/06

Метки: карбида, кремния, нанесения, покрытий

...технический водород. Подачу кремнеорганического соединения в систему с постоянчой скоростью производят путем его испарения из испарителя б с постоянным уровнем. Водород, проходя над поверхностью вещества, уносит его пары в реакционную камеру, В качестве реакционной камеры используют водоохлакдаемую кварцевую трубу (колпак) или какой-либо другой герметический сосуд, Нагрев обрабатываемой детали 7, находящейся в реакционной камере 3, производят или с помощью токов высокой частоты печей сопротивления или непосредственным пропусканием электрического тока через детали простейшей формы, Получающисся при реакции газообразные продукты удаляют через гидрозатвор в вытяжную систему,Нанесение покрытий карбида кремния производят следующим...

Номер патента: 145224

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бодров, Гурович, Калинбет, Малороссиянов, Покровский, Тузовский, Хребтищев

МПК: C01B 33/035

Метки: восстановления, кремния

...в реакторе, схема которого показана на чертеже. Реактор состоит из следующих основных частей:водоохлаждаемой металлической крышки 1 с встроенной в нее то коподводами 2, к которым крепятся стержни 3 из полупроводниково145224го кремния; водоохлаждаемого металлического корпуса 4, водоохлаждаемого металлического поддона 5 с встроенными в него токоподводами б для питания графитового нагревателя 7 с графитовой насадкой ч; системы графитовых и кварцевых экранов 9 и 10; снизу реактор имеет крышку 11. При пуске реактора через графитовую насадку 8 начинается подача технологического газа, например водорода (могут быть использованы спектрально чистый гелий, аргон и др.), после чего включается графитовый нагреватель 7 и подается низкое (рабочее)...