Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 1365436

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Водолазов, Команецкий, Литвиненко, Мукминов, Филимонов, Черняев

МПК: B01J 49/00

Метки: анионитов, десорбции, кремния, соединений

1. Способ десорбции соединений кремния с анионитов, включающий их обработку раствором щелочи в присутствии защитной солевой добавки при pH среды 12,7 - 12,9 с последующим выводом десорбата, отличающийся тем, что, с целью снижения затрат на осуществление способа за счет возможности повторного использования десорбата и дополнительного извлечения молибдена из десорбата, десорбат обрабатывают 2 - 3-кратным избытком по отношению к кремнию гидроокиси кальция при избыточной щелочности 10 - 20 г/л по гидроокиси натрия и времени контакта 1,5 - 2,5 ч с последующим отделением осадка кремния и возвратом растворов после доукрепления щелочью и солью на десорбцию соединений кремния, причем после...

Номер патента: 1328986

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Водолазов, Команецкий, Ласкорин, Литвиненко, Мукминов, Фастова

МПК: B01J 49/00, C01B 33/02

Метки: анионитов, десорбции, кремния, соединений

1. Способ десорбции соединений кремния с анионитов, включающий обработку анионита раствором минеральной соли и введение в суспензию гидроксида натрия при перемешивании, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода гидроксида натрия, более полной десорбции кремния и повышения механической прочности регенерированного анионита, гидроксид натрия вводят в суспензию до pH среды 12,8 - 13,0, перемешивание ведут до концентрации кремния в суспензии (в расчете на диоксид кремния) 10 - 15 г/л и мольного отношения натрия, введенного со свободной щелочью, к кремнию 1,3 - 1,6, после чего уменьшают количество вводимого гидроксида натрия до pH среды 11,0 - 12,4, а перемешивание ведут до концентрации...

Номер патента: 1334613

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Команецкий, Соломин, Спирин, Филимонов

МПК: B01J 49/00, C01B 33/02

Метки: анионитов, десорбции, кремния

1. Способ десорбции кремния с анионитом путем обработки их кислым раствором, содержащим фтор-ион, отличающийся тем, что, с целью повышения степени десорбции, снижения потери обменной емкости и механической прочности анионита, десорбцию ведут раствором плавиковой кислоты или ее солей в присутствии азотной и/или серной кислоты.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют раствор, содержащий 2,5 - 3 г экв/л фтор-иона и 10 - 15% азотной и/или серной кислоты.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что десорбцию ведут в статическом режиме при времени контакта 2 - 3 ч.

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 1031367

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вершинина, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: кремний-двуокись, кремния, структур

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 эл см-2.

Номер патента: 871685

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кислородом, кремния, легированного, поликристаллического, травитель

Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%:Плавиковая кислота - 0,75 - 10Дифторид ксенона - 0,05 - 1,0Вода - 89,0 - 99,2

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Ободников, Юрков

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, поликристаллического, слоя

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Номер патента: 1227048

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Дроздов, Носков, Сухих, Цейтлин

МПК: H01L 21/26

Метки: двуокиси, диэлектрических, кремния, низкотемпературных, пленок

Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния, полученных осаждением из газовой фазы, включающий отжиг при температуре роста пленки, не допуская контакта пленок с парами воды от начала отжига, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при одновременном повышении качества, пленки облучают ионами дозой 5 - 1014 - 1016 cv-2 на глубину от 100 до h/2, где h - толщина пленки, не допуская контакта пленок с парами воды до конца ионного облучения.

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1507132

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Елисеев

МПК: H01L 21/306

Метки: атмосферы, загрязнений, защиты, компонентами, кремния, поверхности, углеродсодержащими

Способ защиты поверхности кремния от загрязнений углеродсодержащими компонентами атмосферы, включающий снятие окисла во фтористоводородной кислоте и формирования защитного окисла в растворе, содержащем соляную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении 3 : 1 : 1, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня углеродных загрязнений в защитном окисле, после снятия окисла во втористоводородной кислоте образец кремния обрабатывают электрохимически в водном растворе соляной кислоты в соотношении 1 : 3 в течение 45 - 60 мин, причем образец кремния используют в качестве катода, при плотности тока на образце 50 - 100 мА/см2, после электрохимической обработки в раствор добавляют...

Номер патента: 1225431

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, осаждения, пленок

Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют, подавая пары тетрахлорида кремния в возвратно-циркулирующий поток аммиака, причем общее давление в зоне осаждения поддерживают постоянным подачей в нее аммиака.

Номер патента: 1294220

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Жигалова, Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, слоев

Способ получения слоев нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев до рабочей температуры, формирование и подачу в зону осаждения потока парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении с поддержанием общего давления в реакторе подачей на вход реактора аммиака, удаление остаточных продуктов реакции через выход реактора, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости процесса по длине зоны осаждения и упрощения технологической аппаратуры, поток парогазовой смеси в зоне осаждения создают подачей аммиака на вход реактора при температуре от 623 К до рабочей температуры в зоне осаждения и раздельной подачей паров тетрахлорида кремния...

Номер патента: 1280999

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Жарковский, Плотников, Сахаров

МПК: G01N 21/77, G01N 31/22

Метки: кислорода, кремния, пленках

1. Способ определения кислорода в пленках кремния, включающий нанесение пленки кремния, определение количества материала пленки и последующую количественную регистрацию, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, параллельно наносят контрольную пленку на подложку, не реагирующую со щелочами, весовым методом регистрируют количество нанесенной пленки, обрабатывают раствором щелочи, определяют в ней кремний спектрофотометрическим методом и по разности веса пленки и количества кремния судят о количестве кислорода.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний переводят в молибденокремниевый комплекс с последующим его восстановлением.

Номер патента: 745069

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Гранков, Захаров-Черенков, Котин

МПК: B01J 15/00, C01B 33/02

Метки: кремния, непрерывного

1. Устройство для непрерывного получения кремния осаждением его из газовой фазы на исходную основу, включающее реакционную камеру, снабженную нагревателями, штуцерами для подачи и отвода газов и механизмом перемещения получаемого кремния, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты процесса, нагреватели выполнены в виде экранов из теплопроводящего материала, установлены внутри реакционной камеры, закреплены в ее боковых стенках и снабжены приводами горизонтального перемещения и управления, размещенными вне реакционной камеры, и над ней установлены шлюзовая и промежуточная камеры для подачи и ввода в реакционную камеру исходной основы, выполненной в виде стержня из кремния.2....

Номер патента: 930851

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Волков, Котин, Кравцов, Поселянин, Семенов, Сивец, Трусов, Фролова

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, поликристаллического

1. Устройство для получения поликристаллического кремния осаждением его из газовой фазы на нагретые электрическим током П-образные кремниевые стержни, включающее охлаждаемый металлический кожух с электроизолятором внутри него, установленный на опорной плите, снабженной штуцерами для подачи и отвода реакционного газа и имеющей отверстия, в которых установлены электроизолированные токоподводы для крепления концов кремниевых стержней, отличающееся тем, что, с целью сокращения подготовительно-заключительных операций, электроизолятор выполнен в форме защитного пояса, закрепленного на внутренней стенке в верхней части кожуха.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электроизолятор...

Номер патента: 1092806

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Захаров-Черенков, Иванов, Котин, Петрик, Силаков

МПК: B21D 7/04, C01B 33/02

Метки: изгибания, кремния, стержня

1. Устройство для изгибания стержня кремния, включающее нагреватель, размещенный вдоль оси стержня, ролик, расположенный над стержнем, гибочный диск, установленный на валу, и средство крепления стержня, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, оно снабжено сухарями, выполненными с направляющими отверстиями и свободно установленными на валу скобой, их соединяющей, зубчатыми колесами, закрепленными на валу, взаимодействующими с ними зубчатыми рейками, размещенными в направляющих отверстиях сухарей параллельно стержню, и неподвижно установленным фиксатором, выполненным с направляющими отверстиями, соосными с направляющими отверстиями сухарей, одни концы реек...

Номер патента: 1153493

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Аркадьев, Воробьев, Данов, Еременко, Кох, Лозовацкий, Малороссиянов, Назаров, Старобина, Ходяков, Чапыгин, Юшко

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, трихлорсилана, четыреххлористого

1. Способ получения трихлорсилана и четыреххлористого кремния из кремнийсодержащего сырья, включающий стадии хлорирования, абсорбционной конденсации и очистки сконденсированных продуктов ректификацией, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты по борту, в качестве абсорбента используют смесь четыреххлористого кремния и гексахлоридисилоксана или смесь четыреххлористого кремния, трихлорсилана и гексахлордисилоксана.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь хлорсиланов содержание гексахлоридисилоксана в абсорбенте поддерживают в пределах 1 - 80 мас.%.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что содержание трихлорсилана в абсорбенте поддерживают...

Номер патента: 1007320

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Данов, Кравцов, Малороссиянов, Назаров, Старобина, Ходяков, Чапыгин, Швец, Юшко

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, четыреххлористого

Способ получения четыреххлористого кремния из отходов производства кремния, содержащих полисиланхлориды, включающий хлорирование отходов газообразным хлором при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью снижения энергоемкости процесса и его упрощения, хлорирование проводят в две стадии, на первой стадии при 20 - 25oC, а на второй при 250 - 500oC.

Номер патента: 911859

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Бочкарев, Данилевский, Данов, Елютин, Кох, Малороссиянов, Назаров, Огурцов, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, отходов, переработки, полисиланхлориды, содержащих

Способ переработки отходов, содержащих полисиланхлориды кремния, на тетрахлорид кремния, включающий ввод и испарение кубового остатка при нагревании в реакционной зоне с одновременным вводом хлора и последующую конденсацию продуктов, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса и повышения степени использования отходов, ввод кубового остатка осуществляют со скоростью 15 - 40 м/с и временем контакта полисиланхлоридов с хлором 0,05 - 1,0 с при парциальном объеме хлора в парогазовой фазе 25 - 95%.

Номер патента: 1070844

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Данов, Еременко, Косарев, Малороссиянов, Назаров, Семенов, Силаков, Старобина, Ходяков, Чапыгин

МПК: C01B 33/08

Метки: кремния, отходов, полисиланхлориды, полисилоксанхлориды, содержащих, трихлорсилана, четыреххлористого

1. Способ получения трихлорсилана и четыреххлористого кремния из отходов, содержащих полисиланхлориды и полисилоксанхлориды, включающий концентрирование отходов, их испарение и хлорирование в реакционной зоне с последующей конденсацией полученных продуктов, отличающийся тем, что, с целью снижения пожаровзрывоопасности процесса, повышения производительности процесса и снижения энергозатрат, хлорирование ведут газообразным хлором в смеси с водородом при их соотношении 1 : (0,3 - 1,2).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью комплексного использования сырья, в качестве водорода используют абгазный водород после синтеза трихлорсилана и/или процесса водородного восстановления.

Номер патента: 942381

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Бочкарев, Елютин, Иванов, Кох, Назаров, Огурцов, Старобина, Чапыгин

МПК: C01B 33/107

Метки: кремния, четыреххлористого

Способ получения четыреххлористого кремния путем обработки полихлорида кремния хлорсодержащим реагентом при нагревании с последующей конденсацией целевого продукта при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода четыреххлористого кремния, охраны окружающей среды и удешевления процесса, полихлорид кремния используют в виде отходов производства кремния, которые подвергают испарению при температуре 370 - 1000oC с одновременной обработкой их газообразным хлором при отношении последнего к отходам 0,3 - 1,5 : 1.

Номер патента: 1005511

Опубликовано: 10.05.2000

Автор: Забродский

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: кремния, легированного

Способ получения легированного кремния путем выращивания его, облучения медленными нейтронами и отжига, отличающийся тем, что, с целью получения материала n- или p-типа проводимости с заданной степенью компенсации, в кремний в процессе выращивания вводят германий, атомарную долю которого x определяют из соотношениягде К - заданная степень компенсации полученного материала;КGe - степень компенсации нейтронно легированного германия;m = -1 или +1 соответственно в материале n- или p-типа проводимости; - содержание изотопов...

Номер патента: 635789

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гершинский, Фомин, Черепов

МПК: G01N 27/48

Метки: алюминия, количества, кремния, пленках

Способ определения количества кремния в пленках алюминия путем электрохимического анодного растворения контролируемой пленки с последующим определением количества электричества, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности при определении до 0,1 вес.% количества кремния в пленке алюминия, контролируемую пленку предварительно наносят на подложку - свидетель из кремния n-типа, затем производят нагрев системы до температуры 500-550oC с последующим охлаждением со скоростью 10-15 град/мин.

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 1630570

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Номер патента: 1403907

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Коркман, Ненашева, Нестерова

МПК: H01L 21/316

Метки: диоксида, кремния, слоев

Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH4 кислородом O2 в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения качества слоев путем уменьшения их пористости, процесс ведут в присутствии добавок газообразного аммиака NH3 при соотношении NH3/SiH4 = 0,05 - 1, давлении в реакторе 0,3 - 3 мм рт.ст. в температурном диапазоне 70 - 300oC и...

Номер патента: 1473612

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Алиев, Бакланов

МПК: H01L 21/265

Метки: анизотропного, кремния, травления

1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном травлении.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10...

Номер патента: 623298

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин, Симонов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/02

Метки: кремния

Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.

Номер патента: 1616419

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: кремния, легирования, мышьяком, пленкообразующий, раствор

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком, содержащий тетраэтоксисилан, этиловый спирт, ортомышьяковую кислоту и катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности поверхностного сопротивления и снижения разброса по глубине диффузионных слоев толщиной до 8 мкм, раствор дополнительно содержит воду, а в качестве катализатора используют азотную или соляную кислоты при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Тетраэтоксисилан - 16,0 - 26,0Этиловый спирт - 61,3 - 73,9Ортомышьяковая кислота - 3,1 - 6,8Азотная (соляная) кислота - 0,5 - 1,4Вода - 4,5 - 6,5

Номер патента: 1459542

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Исмайлова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, пористого, слоев, формирования

Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования ND 1014 см-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности токов от 30 до 150 мА/см2 в течение времени от 20 до 60 мин при освещенности рабочей поверхности кремния, которую устанавливают согласно соотношениюG = i/1,5 + 30,где G - освещенность,...