Патенты с меткой «полупроводников»

Номер патента: 1545866

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: некомпенсированных, параметров, полупроводников, примесных, фотоэлектрических

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, заключающийся в освещении образца опорным и сигнальным модулированным по фазе пучками света, формирующими интерференционную картину на образце, регистрации зависимости амплитуды тока I g на частоте модуляции от пространственной частоты К, отличающийся тем, что, с целью одновременного определения средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок L1D, L2D и отношения

Номер патента: 1493022

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: высокоомных, полупроводников, фотопроводимости

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение исследуемого образца интерферирующими опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света, регистрацию выходного электрического сигнала, по которому рассчитывают величину фотоприводимости исследуемого образца, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, осуществляют дополнительную фазовую модуляцию сигнального пучка света с частотой F1, выбираемой из соотношениягде время диэлектрической релаксации исследуемого освещенного образца;

Номер патента: 1484202

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: диффузионного, диэлектриками, полупроводников, соединения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИЭЛЕКТРИКАМИ, содержащее основание с стойками, верхнюю плиту, прижимные элементы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно дополнительно снабжено нижней кассетой, выполненной в виде плиты с отверстиями для фиксации диэлектрических заготовок, и верхней кассетой с отверстиями для прижимных элементов и заготовок, обе кассеты зафиксированы на стойках, при этом отверстия обеих кассет расположены соосно, а прижимные элементы выполнены в виде грузов.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности электростатического соединения полупроводников с диэлектриками, прижимные элементы и основание выполнены электропроводящими, а стойки...

Номер патента: 822705

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Федосов

МПК: H01L 21/70

Метки: параметров, полупроводников, реализации, электрофизических

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем,...

Номер патента: 1597032

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/302

Метки: лазерно-стимулированного, полупроводников, травления

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью вниз.

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 991878

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: варианты, диэлектрик, его, полупроводников, структур, —полупроводник

1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 786720

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/368

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабатываемую поверхность.

Номер патента: 1816116

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Небрат, Овсюк, Попов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых...

Номер патента: 1028202

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/477

Метки: ионно-легированных, отжига, полупроводников

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2

Номер патента: 1797409

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/304

Метки: диэлектриков, полирования, полупроводников, состав, химико-механического

Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Наполнитель - 15 - 30Загуститель - 5 - 10Ортофосфорная кислота - 0,06 - 12Комплексообразователь - 0,003 - 6,4Вода - Остальное

Номер патента: 221176

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Покровская

МПК: H01L 21/314

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 774293

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Литвин, Марончук

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, кассета, полупроводников, эпитаксии

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников, выполненная в виде этажерки с установленными горизонтально и параллельно друг другу подложками, разделенными прокладками, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения условий заливки и удаления раствора-расплава из зазора между подложками, кассета выполнена в виде каркаса с горизонтальным сечением в форме правильного шестиугольника, в центре и в вершинах которого установлены вертикальные стержни, и вписанного в окружность радиусом, равным диаметру подложки плюс радиус центрального стержня, а в качестве прокладок использованы шайбы, размещенные на стержнях.

Номер патента: 525380

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при контакте с источником.

Номер патента: 1396644

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Волков, Липатов, Рязанов

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, полупроводников, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: вырожденных, параметров, полупроводников, приповерхностных, слоях, электронов

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра

Номер патента: 1840202

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: iiiвv, анодного, окисления, полупроводников, типа, электролит

1. Электролит для анодного окисления полупроводников типа АIIIВV, содержащий органический растворитель, кислородосодержащую и электропроводную составляющую, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров границы раздела полупроводник - анодный окисел, электролит дополнительно содержит четыреххлористый углерод в количестве 5-15 вес.%.2. Электролит по п.1, содержащий органический растворитель, пирофосфорную кислоту, отличающийся тем, что электролит дополнительно содержит четыреххлористый углерод при следующем соотношении компонентов, вес.%:Пирофосфорная кислота 0,3-3,0Четырехлористый углерод 5-15Растворитель остальное

Номер патента: 1840206

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiii, анодного, окисления, полупроводников, типа

1. Способ анодного окисления полупроводников типа АIII ВV путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров границы раздела полупроводник-анодный окисел, полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин из электролита,2. Способ анодного окисления по п.1, отличающийся тем, что полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 0,75-3,0 мА/см2 в течение 10-30 минут, затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при том же токе.3. Способ...