Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2658268/25, 14.08.1978
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Золотухин В. Е, Марончук Ю. Е, Марончук И. Е, Сушко Б. И, Якушева Н. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/20
Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-762636-sposob-izgotovleniya-priborov-na-osnove-poluprovodnikov-tipa-iiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv</a>
Предыдущий патент: Твердый электролит для химического источника тока
Следующий патент: Способ изготовления диодов шоттки
Случайный патент: Линия производства древесных плит