Способ анодного окисления полупроводников типа аiii вv

Номер патента: 1840206

Авторы: Алехин, Емельянов

ZIP архив

Описание

1. Способ анодного окисления полупроводников типа АIII ВV путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров границы раздела полупроводник-анодный окисел, полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин из электролита,

2. Способ анодного окисления по п.1, отличающийся тем, что полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 0,75-3,0 мА/см2 в течение 10-30 минут, затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при том же токе.

3. Способ анодного окисления по п.1, отличающийся тем, что полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 2-5 мА/см2 в течение 5-10 мин, затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при токе 1-3 мА/см2 в течение 3-5 минут.

Заявка

2264777/28, 01.10.1979

Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина

Алехин Анатолий Павлович, Емельянов Аркадий Владимирович

МПК / Метки

МПК: H01L 21/316

Метки: aiii, анодного, окисления, полупроводников, типа

Опубликовано: 20.08.2006

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-1840206-sposob-anodnogo-okisleniya-poluprovodnikov-tipa-aiii-vv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ анодного окисления полупроводников типа аiii вv</a>

Похожие патенты