Патенты с меткой «aiii»

Номер патента: 309944

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Виноградов, Ливанов, Миткалева, Мыс

МПК: C10M 173/00

Метки: aiii, биб, всесоюзная, отека, ш1шш4ь"-nuit

...масловодасмесь полиэтиленгликолевыхэфиров олеатов ангидроксилитов (ксилитали)стеарат алюминияполиэтиленгликолевые эфирыстеариновой кислотыполиэтиленгликолевые эфирывысших жирных спиртов минеральное масло (деароматизированная дизельная фракция) вода умягченная или дистилли- рованная 0,39 0,173,340,3820,3до 100 Композиция, состоящая из смеси полиэтиленгликолевых эфиров стеариновой кислоты с добавкой 10% препарата, представляющего собой смесь полиэтиленгликолевых эфиров высших жирных спиртов, имеет следующую формулу основного вещества:СтНзз - СОО - (СНСН 20) Н,где и в среднем равно 9.Препарат, входящий в состав композиции: в количестве 10% и представляющий собой , .смесь полиэтиленгликолевых эфиров высших , жирных спиртов, имеет...

Номер патента: 389173

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андрюшечкин, Афонькина, Кидин

МПК: C23C 10/30

Метки: 2fai, aiii, fiifsbj, viwfvfr, всесоюзная, ы

...гидрнда титана замешивают на растворе нитроцеллюлозы в изоамилацетате до сметапообразной консистенции, Приготовленную пасту наносят на поверхнлсть металлического изделия слоем 100- в 2 мкм в зависимости от нужной толщины покрытия. Нанесенную на поверхность изделия ласту подсушивают на воздухе в течение 20 мин, затем помещают в камеру и нагревают со скоростью 50 С/сек в атмосфере аргопа до температуры 950 в 12 С. При нагревании до 1100 С и выдержке 1 - 4 мин на поверхности 5 изделий получают сплошной слой со 100%ным содержанием титана толщиной 100 - 200 мкм (в зависимости от толщины слоя нанесенной исходной смеси), за ним следует двухфазный слой общей толщиной 50 - О 100 мкм. При нагревании до 1200 С и выдержке 1 - 4 мин на...

Номер патента: 1840206

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiii, анодного, окисления, полупроводников, типа

1. Способ анодного окисления полупроводников типа АIII ВV путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров границы раздела полупроводник-анодный окисел, полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин из электролита,2. Способ анодного окисления по п.1, отличающийся тем, что полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 0,75-3,0 мА/см2 в течение 10-30 минут, затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при том же токе.3. Способ...