Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников

Номер патента: 551722

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Розанов, Штыров

МПК: H01J 25/34

Метки: параметров, потока, шумовых, электронного

...плотность интенсивности шумовых флуктуаций; П - вещественная компонента взаимной спектральной плотности интенсивности флуктуаций тока и кинетического потенциала; Ф - спектральная плотность интенсивности флуктуаций кинетическогопотенциала;Ф - спектральная плотность интенсивности флуктуаций конвекционного тока; заимнои спек- мнимая компонент, тральной плотности флуктуаций тока итенсив ностиинетиче ского потенциала;теристические параметры: параметр усиления;корни характеристического (дисперсионного) уравнения ЛБВ, определенные для тех же величин параметра рассинхронизма, что и коэффициент шума Е о,- вещественная и мнимая частисоответствующего корня дисперсионного уравнения.иант ос ествления способа за. харак С, -1 8 г 3=Ве1...

Номер патента: 1635120

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Берман, Глушко, Гришечкин

МПК: G01N 29/00, G01N 29/18

Метки: акустических, волн, образце, параметров, среды, твердой

...конгдктвозбуждает в образце 6 импульс продольн: х и цоцереньх акустических волн. Распространяясь н образце 6 эти волныдокодя г до точки приема, в которой устдновпсы твердотельньц 2 и жидкостный 4 волноводы с соответствуюцими приемниками3 и 5 (например, ныоленные н виде пьеэогреобрдзондтеле 1) В точке приема акуГичеГк 1 с лппеб)энч передаоС 5 иволноводы 2 и 4, причем в нолно цдс 2 распространяются и продольные,и поцсречыеволны, а н вол новодс 4 - только пр дол ьньевГ)нь. Таким образом, нд вьходе гриемника 3 возникает сигнал Оэ, представляющийсумму сигндлон О и ОБ от воздействия продольной и поцеречой волн соответственно, а на выходе приемника 5 возникаетсц нал О 5, предстанляоций собой сигнал Оь от воздействия продольной волы. Сигнал О...

Номер патента: 685967

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Чащин

МПК: G01N 27/00

Метки: значений, металлических, монокристаллов, параметров, плазмы, сдвигов, электронной

...для регистрации квантовыхосцилляций поверхностного импеданса, остаются меньше толщины подвергнутого воздействию поверхностногослоя,Ограничение исключает вклад внутненней части образца, не подвергавшейся воздействию, в образованиесигнала осцилляций поверхностногоимпеданса.На чертеже изображена копия за 25 писи,одновременно зарегистрированных квантовых оспилляций поверхностного импеданса , и квантовыхосцилляций магнитной восприимчивости всего объема образца впридх/ийИ 2двух температурах: Т = 2,05 ОК иТ = 1,7 К, Интенсивность сигнала Аизображена в относительных единицах,а зависимость от магнитного поля Нв едИницах обратного магнитного поля Н КЭ . Направление магнитногополя Н совпадало с направлениемкристаллографической оси1010 1-Н //...

Номер патента: 767672

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Беркман, Зеленцова, Ицкович, Рахлин, Тарасов, Швецкий

МПК: G01R 31/25

Метки: параметров, приборов, электронно-лучевых

...на вход узла компараторов 13и к АЦП б; выход узла компараторов 13связан с блоком 14 логической части системыавтоматического выбора пределов измеренияи размерности, Выходы блока 14 подключены к электронному коммутатору 4, к цепи 9 обратной связи и к фазовому демодулятору 10,Выходы задающего генератора 11 возбуждения подключены к магнитомодуляционным преобразователям 3 и к фазовому демодулятору 10.Рассмотрим работу устройства при измере. нии одного из электрических параметров цепи катода-напряжения.На объект 1 исследования подаются напряжения от блока 2 внешнего воздействия. Измеряемый электрический сигнал - напряжение катода ЭЛП воздействует на входную обмотку ма гнитомодуляционного первичного измерительного преобразователя 3, создавая в...

Номер патента: 943623

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Инкин, Мозелев, Саранцев

МПК: G01T 1/29

Метки: колец, параметров, электронно-ионных

...аналиЭ зирующей аппаратуры, испольэоватьАЦП с малым "мертвым" временем налинии с мини-ЭВИ, что позволяет производить измерение параметров в каждом цикле ускорителя.10 Аналогичные расчеты для других тяжелых и средних элементов, ускоряев мых на коллективном ускорителе тяжелых ионов, показывают пригодностьданного способа.15 Способ диагностики электронноионных колец по обратному комптоновскому рассеянию отличается от способа, основанного на регистрации характеристического рентгеновского из2 В лучения. где Ч - объем электронного кольца,Измеряя интенсивность рассеянного излучения по формуле (4), легкоопределить и, Ч - полное число ионо4в электронном кольце, зная остальные параметры, входящие в формулу,в настоящее время они .с...