Патенты с меткой «полупроводников»

Номер патента: 673943

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Латышев, Стельмах, Точицкий, Уренев

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитном, металлов, поле, полупроводников, характеристик, электрофизических

...магнитной цепи с рабочей поая цель достигается тем, что в для измерения электрофизичесристик металлов и полупроводнитном поле, содержащем криощенными в нем электромагнитом роводом и перемычку магнитной топровод электромагнита выползной формы и закреплен в крпором относительно перемычки маг , при этом перемычка магнитной ена в виде двух башмаков.673943 Формула изобретения Со ставитель Ф. Тернов ехред О. Луговая ираж 1089 дарственного коми изобретений и отЖ - 35, Раушскаянт, г, Ужгород, у льскаяКорректор Г.Подписноеета СССРкрытийнаб., д. 4/5л. Проектная, 4 Редактор Н. КоЗаказ 406541 ИИПИ Госу по делам5, Москва, ППП Пате 113 илиалНа чертеже изображено устройство, в продольном разрезе.Устройство состоит из соединяемого с вакуумной...

Номер патента: 693209

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Булах, Гаджиев, Климчук, Копбаев, Лехт, Лигай, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/02

Метки: диэлектриков, жидких, механического, полупроводников, старения, твердых, теплового, электрического

...ему присущей, энергией активатпти, Количество дефектов зависит от характера электрического пола и времени нахождения материала в нем. Это позволяет для достижениа поставленной целя испольэовать метод термостимулированной деполяризации.При поляризации диэлектрических и25 полупроводниковых материалов в постоянных электрических полях при повышенных температурах происходит ориентация полярных нарушений структуры и инжектированных извне зарядов. Достаточно быстрое. ЗО охлаждение замораживает это неравно- весйое -сбстояние вещества, а последующее нагревание приводит к высвобождению запасенной энергия, и, если подсоединить вещество к амперметру, - появлению тока35 в измерительной цепи. Ток увеличиваетса с ростом температуры, дбстттгает...

Номер патента: 694774

Опубликовано: 30.10.1979

Авторы: Кораблев, Станчиц, Страковская

МПК: G01J 5/58

Метки: бесконтактный, полупроводников, температуры

...соответственно, при таком угле падения, большем главного, при котором угол Л имеет наибольший температурный коэффициент, причем этот угол падения предварительно определяют экспериментальным или расчетным путем.На фиг. 1 показаны температурные зависимости эллипсометрического угл а Л для образца йаАз/111/В для трех углов падения светового пучка на поверхность образца при длине волны 1=0,6328 мкм; экспериментальные кривые, измеренные прп углах падения 65 и 7740 соответственно; кривая, рассчитанная для этого же образца для угла падения-- 76. Расчет проводился на вычислительной машине по точ ным уравнениям Друде для следующей модели отражающей поверхности образца: поглощающая подложка (ЙаЛз) - поглоощающая пленка, толщиной =60 Л, исходя...

Номер патента: 697066

Опубликовано: 05.11.1979

Автор: Вольфганг

МПК: H05B 3/03

Метки: диффузных, полупроводников, процессов, резистивный, электронагреватель

...очень хорошийконтакт при подключении к источникуэлектрггчесгого токаДля получения надежного контактаоказалось выгодным круглое ггглифовацие кремниевой трубки перед наложением графитовых контактов, а в качЕстве электродного покрытия для графитовых эпектродов выт.одно применяьмедные электроды,При изготовлении графитовые имедные электроды разделяют на нескОлько частей, и в целом подгоняютпо диаметру кремниевой трубки. Длясоединения отдельных частей служатрезьбовые соединения. Медные электро- ЗОды, удерживающие графитовые электроды, снабжают охлаггпением,Для поддержания постоянства и достижения более высоких температур вобъеме кремниевой трубки между графитовыми электродами следует проложить изоляцию из термически стабильного вещества,...

Номер патента: 737819

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/02

Метки: активации, дефектов, диэлектриков, колебаний, количества, кристаллической, полупроводников, реализации, решетки, типа, частоты, энергии

...и С - скорости нагревания,1Определив энергию активации дефекта, можно найти и частоту его релакса 35где а - постоянная решетки исследуемого вещества;Ч - скорость звука в нем;4 - собственная частота колебанийдеФекта,Способ осуществляется в устройстве, обеспечивающем автоматическое последовательное измерение тока ТСД иотличающемся от известного тем, что 45между измерителем температуры и нагревателем включены программное и регулирующее устройства, охваченныеобратной связью, а нагреватели," выполненные в виде нагревательных 50стержней, укреплены в цанговых зажимах.На фиг. 1 дана схема предлагаемого устройства; на Фиг. 2 - график,иллюстрирующий осуществление предлагаемого способа для кристалла ИаС 1 .Исследуемый образец 1...

Номер патента: 737822

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Булах, Миронов, Тонконогов

МПК: G01N 27/24

Метки: активации, активационных, вида, времени, дефектов, диэлектриков, количества, кристаллической, объектов, полупроводников, реализации, релаксации, решетки, энергии

....к изменению 0тока ТСД; позволяя тем самым опреде- .лить параметры дефектов.Цель изобретения достигается двухкратным, измерением тока ТСД. Первоеизмерение тока ТСД проводят в поля-. 65риэованном до насыщения, свободном от напряжений веществе, нагреваемом с постоянной скоростью. При этом ток увеличивается, достигает максимума и спадает, причем каждый вид дефектон характеризуется своей температурой максимума. Повторное измерение тока проводят, подвергнув исследуемый материал механическому сжатию, что выэынает сдвиг максимума тока в сторону более высоких температур, В отличйе от грототипа параметры дефектов определяют ло напряжению сжатия -О температурам максимумов Т и Т тока ТСД соответстненно ненапряжеиного и сжатого материала...

Номер патента: 790040

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бывалый, Волков, Гольдберг, Дмитриев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, фотоэлетрический

...спад фоточувствительности в коротковолновой части спектра0 Формула изобретения 3 7900фХ)может быть аппроксимирована (Рфункцией принюх1 ч Ефпри всех ф5остальных ,чгде Х -координата в направленииградиента ширины запретнойзоны варизонного полупроводника;ф, - постоянная величина;Гу - максимальное значение ширинызапрещенной зоны.Подставляя в общее выражение для фототока лупроводника п - да А А=О,З 7,Варизонные слои изготавливаютсяметодом жидкофаэной эпитаксии на подложках п-баР,На этих слоях вначале создаетсяомический контакт вплавлением Юов подложку, а затем барьерный- химическим осаждением Аи на узкозоннуюповерхность полупроводника.Для освещения полупроводника используется монохроматор ДМРс.лампой СИО -300.Энергия фотонов выбирается...

Номер патента: 819857

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Бажин, Малиненко

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводников

...достигается тем, чтоповерхность нагревают до 100 в 2 С и обрабатывают потоком атомарного водородас парциальным давлением 10 2 - 104 торр.На чертеже изображено устройство дляреализации способа,Устройство содержит вакуумную камеру1, трубку Вуда 2, генератор высокой частоты 3,Атомные пучки водорода предварительнополучают с помощью, например, высокочас81 тотного разряда. Очистка поверхности полупроводника при помощи атомного пучка идет двумя путями. При взаимодействии атомов водорода с поверхностью происходят их адсорбция и рекомбинация в молекулы. При этом выделяется энергия, достаточная для удаления примесей с большой энергией связи, например ОН, тогда как с помощью моЛекулярных пучков водорода удаление ОН не достигается.Пример. Образец...

Номер патента: 836215

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Воронцов, Забровская, Спичкин, Шаталов

МПК: C23F 5/00

Метки: изображенияна, металлов, многоцветного, поверхности, полупроводников

...с различной скоростью, в результате чегона них возникают разные цвета побежалости. Так, найример, при температуре оксидирования 275 С забО сек на ненаводороженном участкеобразуется оксидная пленка желтогоцвета, а на наводороженном - фиолетоваяП р и м е р 4. Ба поверхностьжелезных и никелевых пластин раз 20 мером 20 х 20 х 1 мм в вакууме 10 ммрт.ст. напыляют пленки меди и никеля толщиной 2000 Х в виде различных геометрических Фигур. Полученные образцы окисляют на воздухе притемпературе 500 С в течение 1-5 мин,В результате различия скоростей окис"ления и цветов окислов сопрягаемыхметаллов получают многоцветные изображения,Описываемый способ получения многоцветных изображений основан на ис"пользовании дифференциального...

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 885942

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Лабус, Лукашевич, Стельмах

МПК: G01R 33/12

Метки: гальваномагнитных, параметров, полупроводников

...разрядного ключа 4. Выход генератора 8 соединен с сигнальными входами компаратора 11 и блока 12 Фазового управления через ключ 10. Выход ждущего генератора развертки 9 соединен с опорным входом компаратора 11; выход которого подключен к управляющему входу ключа 10.Устройство работает следующим Образом.Тактовый генератор 7, генерирующий на два выхода прямоугольные импульсы с частотой следования Е=0,1- 1 Гц, запускает с одного выхода два ждущих генератора с одинаковой амплитудой импульсов, а именно, пилообразного напряжения 8 с длительностьк нарастания 0,8 с и напряжения развертки с изменяемой длительностью от 0,5 до 3 мин, Время заряда батареи 3 конденсаторов до максимального напряжения равно 0,8 с, поэтому длительность импульса...

Номер патента: 504435

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Зарипов, Хайбуллин, Штырков

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования, полупроводников

...20Экспериментально было установлено, что процесс электрической активации и устранения радиальных нарушений при гветовом облучении происходит практически мгновенно. Поэтому, при использовании 25 коротких импульсов светового излучения 1 например, длительностью й 15 нс) не должно происходить диффузионного перераспределения внедренной примеси, Таким образом, предлагаемый способ элек- щ трической активации внедренной примеси и устранения рациационных нарушений в ионно легироранном слое позволяет реализовать такой режим, при котором профиль распределения внедренных атомов35 примеси практически сохраняется неиз-. менным.Предлагаемыйспособ позволяет путем соответствующего выбора значений интенсивности и длины волны светового излучения...

Номер патента: 993332

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Глебов, Живодеров, Орешкин, Петров, Роцель

МПК: G11C 11/40, G11C 7/08

Метки: основе, переключения, полупроводников, приборов, стелообразных

...из-за высокого сопротивления контакта металл - СП перегревается и затем выгорает, что снижает надежность переключения приборов на СП.Цель изобретения - повышение падеж- ности переключения приборов на стекло образных поцупроводниках Указанная пель достигается тем, что согласно способу переключения приборов на основе стеклообразных полупроводников, заюпочающемуся в подаче нащмтжения на электроды прибора, перед подачей напряжения на электроды прибора производит облучение стеклообразного пац- проводника в месте его соединения с электродами например. видимым световым излучением.3 9933Освещение приводит к генерации носителей в стеклообразном полупроводнике,что позволяет понизить потенциальныебарьеры на границе металлического электрода с...

Номер патента: 995029

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Стельмах, Янченко

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полупроводников

...параметров полупроводниковсодержащем генератор, циркулятор идетектор СВЧ, блок обработки сигнала детектора, измерительный преобразователь в виде отрезка прямоугольно 35го волновода с запредельным отверстием для возбуждения неравновесной проводимости и держатель исследуемой полупроводниковой пластины, в. измерительном преобразователе короткозамкнутом на одном конце, выполнено гантелеобразное отверстие, расположенноена широкой стенке перпендикулярно про"дольной оси волновода на расстоянии,равном половине длины волны генерато 45ра СВЧ от замкнутого конца, запредель-ное отверстие расположено на другойширокой стенке волновода, напротивгантелеобразного отверстия, и в туже стенку введен настроечный штырь.На фиг, 1 показана функциональная50схема...

Номер патента: 1045310

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Ахманаев, Данилов, Детинко, Медведев, Петров

МПК: H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...20свободным торцом штыря и широкойстенкой волнонода. Основным достоинством этих датчиков является высокое пространственное разрешение,которое определяется диаметром свобод, ного торца штыря 1 ),Недостатками известных датчиковявляются необходимость приготовления полулроводниковых пластин определенной толщины, трудоемкая операция размещения исследуемого образца внутри волновода под свободнымторцом штыря и узкий диапазон измерения удельного сопротивления(= 10 - 10 Ом см) .Наиболее близким по техническойсущности и достигаемым результатамк предлагаемому является датчик,содержащий СВЧ-резонатор кваэистатического типа с первым и вторым элементами сняаи и измерительным отверстием связи в торцовой стенке,в котороЕ введен индуктивный...

Номер патента: 1057887

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Панасюк, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрофизических

...повышения разрешения начального участка зависимости тока генерации от времени измеряют зависимость емкости С от длительности воздействия основного импульса 1, т;е. от длительности протекания генерационных токов. Поскольку длительность основного импульсаР, не ограничена снизу длительностью измерения емкостиТщ, то она может быть уменьшена. Новое ограничение снизу на длительность основного импульса 1 связано с конкретными условиями измерения и определяется временем образования неравновесной области пространственного заряда То которое, в частности, может быть наличием последовательного сопротивления тела полупроводника МДП-структуры Ч и неидеальностью используемого источника напряжения, т,е.Тъ"- ь = Ск ц+ ИЦлибо экспериментально...

Номер патента: 1068554

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Семенов, Соколов, Фоминов

МПК: C30B 33/00

Метки: полупроводников, термообработки

...ионизированной среды последние оказываются в особых, экстремальных условиях. У нагреваемой по-.верхности образца образуется двойной электрический слой, в составкоторого входят ионы калия или натрия, являющиеся металлами со свойствами сильно действующих поверхностно-активных веществ, которые могутзначительно понизить свободную по;верхностную Энергию, Эффект понижения поверхностной энергии приводит 40к изменению физических свойств вовсем объеме обрабатываемого образца.1Кроме того, у нагреваемой в плазме ионизированной среды образца 45 образуется электрическое поле весьма высокой напряженности. Если электрическое поле вблизи поверхности металла при электролизных процессах имеет напряженность 106 -10 В/см, то при нагреве в электролите...

Номер патента: 1089549

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Баженов, Барабаш, Гринько, Заболотный, Кувшинский, Находкин, Соколов, Теологов, Чуприн

МПК: G03H 1/18

Метки: голографический, исследования, основе, полимерных, полупроводников, свойств, фототермопластических, фотоэлектретных

...модуляции интенсивности света, экспонирующего фототермопласти"ческий материал, при З 0 перемещении вдоль поверхности пленки; к - пространственная час- тота плоского волнового фронта, экспони" Руюшего голограммуЕо = 885 10 кф/м, . по которым судят о фотоэлектретных свойствах фототермопластических материалов.При осуществлении способа снача ла проводят зарядку поверхности пленки с помощью зарядного. устройства, экспонируют интерфференционной картиной, образованной опорным и предметными пучками. :, 45После разрядки поэерхности пленки .до потенциала подложки на поверхности остается заряд, экранируюший объемный, величина которого .:.определяется величиной и характером распределения объемного заряда по толщине пленки полимерного...

Номер патента: 1099255

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Александров, Алесковский, Сомсиков, Толстой

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированных, диэлектриков, исследования, пластин, поверхности, полупроводников, сверхтонких, слоев, спектроскопического

...направляют на пластину со слоем под угломас 1 ф о э,где нэ - показатель преломления пластины без слоя, и регистрируют многократно прошедшее через пластину со слоем излучение.Заказ 4365/37 Тираж 823 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патентф; г. Ужгород, ул. Проектная,4 соответствующую органическим загрязнениям. Промывают пластину СС 6, Я 0и вновь регистрируют спектр в выбранной области (полосы поглощения в области 2940 см"отсутствуют). Наоснове данных результатов удаетсясделать вывод об эффективности отсевки. П р и м е р 2. Пластину кремния диаметром 60 мм и толщиной 350 мкм помещают в держателе на плато приставки к спектрофотометру...

Номер патента: 1146591

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Глазов, Ким, Тимошенко

МПК: G01N 29/00

Метки: металлов, полупроводников, расплавов, ультразвуковой

...втечение 10 мин, затем охлаждают спроизвольной скоростью до 750 К, затем - до комнатной температуры соскоростью не меньше 5 град./мин,Поскольку борный ангидрид гигро- И скопичен, то для предотвращения на" сыщения влагой при длительном хранении поверхность борного ангидрида 591 2покрывается парафином (на чертежене обозначен).Устройство работает следующимобразом.Перед началом измерений с торцаволновода 1 удаляют парафин сухиминструментом и чистым тампоном. После нагрева расплава (на чертеже необозначен) волновод торцовым концомпомещают в расплав. Возбуждают ультразвуковой чувствительный элемент 2и принимают прошедший через расплави отраженный от отражателя, расположенного на фиксированном расстоянииот торца волновода,...

Номер патента: 1148006

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Катанухин, Медведев, Петров, Скрыльников

МПК: G01N 22/00, H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...носителей заряда.Целью изобретения является измерение подвижности свободных носителей заряда.Поставленная цель достигается тем, что в датчик электрофизических параметров полупроводников, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор,на одной.из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного штыря, а также элементы связи цилиндрического СВЧ- резонатора, с СВЧ-генератором и индикатором, введен соленоид, который охватывает ципиндрический СВЧ-резонатор в области измерительного отверстия и установлен соосно с индуктивным штырем.Торец соленоида расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием.Торцовая...

Номер патента: 1045785

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Грибковский, Зубрицкий, Яблонский

МПК: G01N 27/62, H01L 21/66

Метки: кристаллографической, поверхностей, полупроводников, полярности

...поскольку используе -мые жидкости - серный эФир., этилоВый эФир уксусной кислота. и ацетонимели диэлектрическую проницаемость4, 2, 6 и 20 соответственно,Поверхностные стримерные разрядывозникают либо на основе 1, атомовметалла при отрицательной полярностилибо на стороне 8 атомов металлоицапри положительной полярности импульсов подаваемого напряжения т,е, поместочоложению наблюдаемой визуально картины поверхностных стримерньгх,разрядов судят о кристаллограФической полярности полупроводников.Реальная поверхность получаетсяв результате обработки кристалла1045в химически полирующем травителеили химико-механическим способом, В качестве диэлектрической жидкостииспользуют этиловый эфир уксусной кислоты.П р и м е р,...

Номер патента: 623439

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Антоненко, Двуреченский, Смирнов

МПК: H01L 21/324

Метки: дефектов, имплантированных, отжига, полупроводников, слоях

...50р-и-перехода при таком способе отжига достаточно велик, а пробивноенапряжение невелико, поскольку наибольшая часть энергии выделяется наповерхности.554. Невозможность проведения отжига ионно-внедренных областей посленанесения на поверхность слоев металла и некоторых диэлектриков (многослойные структуры).Целью изобретения является исключение эрозии планарной поверхностипластины, возможность проведенияотжига в многослойных структурах иупрощение технологии.Поставленная цель достигаетсятем, что световой импульс направляютна поверхность полупроводника, противоположную планарной.С целью локализации выделенияэнергии длину волны света выбираютравной или большей (не более чемв 3 раза) длины волны, соответствующей краю основного...

Номер патента: 1187059

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Жвания, Инглизян, Иорга, Чхенкели

МПК: G01N 27/46

Метки: ионного, коэффициента, полупроводников, смешанных, термо-э

...состоящие из медных 15пластин 2 и электронных фильтров 3,испытуемый образец 4. С помощьютермопар 5 и 6 измеряют температурыи ЭДС на электрохимической ячейкес образцом и без него (Е, Е ЬТ 20ЬТ) и средние температуры на ячейках. К электрохимической ячейкеприжатз малая электропечь 7. Электропечь и электрохимическая ячейкаокружены системой тепловых экранов, 25состоящей из секционного кольцевогоэкрана 8, по высоте равного высотеэлектрохимической ячейки, и колпака 9, Отдельные секции кольцевогоэкрана и колпак имеют электронагреватели 10, которые позволяют регулировать температуру колпака и распределение температуры вдоль секционного экрана. Грузы 11 и 12 прижимаютэлектрохимическую ячейку и системуэкранов к фланцу. Пространство...

Номер патента: 695484

Опубликовано: 15.12.1985

Автор: Ковальский

МПК: H05H 5/00

Метки: атомных, быстрых, имплантации, легирования, полупроводников, путем, частиц, электровакуумное

...и электромагнитной сепарации; на фиг.3 - узел очистки при использовании устройства для радиационного воздействия на материалы; нафиг.4 - размещение блока сканированияв узле очистки; на фиг.5 - вариантрасположения электропривода к узлам,под высоким напряжением, на Фиг.6 основные виды взаимодействия пучкас атомами пара в камере нейтрализации ионов,Устройство содержит ионный источник, корпус 1 которого установленна металлической опоре 2, системуФормирования пучка 3, ускорительнуютрубку 4 Вкорпусе 5 узла очисткипучка помещается камера нейтрализации ионов 6 с веществом, химическиидентичным имплантируемому веществу 7, трубчатый нагреватель 8, охлаждаемые камеры конденсации паров 9.Узел очистки опирается на высоковольтный...

Номер патента: 1221582

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Глазов, Ким

МПК: G01N 29/02

Метки: исследования, металлов, полупроводников, расплавов, ультразвуковой

...исследуемый расплав, выдерживают его при заданной температуре в течение времени, необходимого для установления термодинамического равновесия, Через нижний неподвижньй звукопровод 1 с помощью пьезоэлемента 3 в расплаве металла или полупроводника возбуждают ультразвуковые колебания, Через подвижный звукопровод 2 с помощью пьезоэлемента 4 принимают ультразвуковые колебания, которые проходят через исследуемый расплав, Рассчитывают скорость распространения ультразвуковых волн. Затеи проводят аналогичные измерения при других расстояниях между точками возбуждения и приема. Причем расстояние между этими точками измеряют дискретно с увеличением на заданньй шаг (ьи = п % , где и - целое число; Я длина ультразвуковой волны), Строят...

Номер патента: 1221619

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Алиев, Исаев, Мурзаев, Рашидханов

МПК: G01R 31/00

Метки: жидком, полупроводников, силы, состояниях, твердом, термоэлектродвижущей, электропроводности

...Температурное поле по высо"те регулируют при помощи верхней (а)и нижней (с) секций. Электропроводность определяют двухзондовым методом по компенсационной схеме на постоянном токе при двух его направлениях посредством зондов 19 и термопар 18. Электропроводность и термо-ЭДС измеряют при температурах до1200 С в вакууме или в атмосфереинертного газа. 1 ил,2термопарные 18 и токовые 19 зонды. Размеры измерительной ячейки 6, необходимые при расчете электропроводнос" ти исследуемого образца 7, определяются предварительно.Устройство работает следующим образом.Рабочий объем корпуса 1 после вакуумироваиия заполняют аргоном под давлением 5-6 атм. Откачку и заполнение инертным газом рабочего объема производят через штуцер 4. Исследуемый образец...

Номер патента: 1131398

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, уровней, энергетических

...бегущей от источника (конденсатора) и отраженной от края полупроводника волн возникает стоячая волна кристаллической решетки. В узлах стоячей волны процессы генерации и рекомбинации определяются тепловыми явлениями, а в остальных областях стоячей волны процессы рекомбинации происходят интенсивнее за счет встречных колебаний ионов кристаллической решетки и свободных носителей заряда. Это приводит к уменьшению концентрации свободных носителей заряда в пучностях по сравнению с областями узлов стоячей волны. Таким образом, вдоль полупроводника будет наведено распределение концентрации свободных носителей за 25 30 35 40 45 50 551131ряда с закономерностью, обратной распределению колебаний в стоячей волне. Между двумя металлическими. зондами...

Номер патента: 1085390

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, проводимости, типа

...потенциалов между зондами от удельного сопротивления исследованных полупроводников КЭФ и КДБ,Устройство для определения типа проводимости (фиг. 1) состоит из двух обкладок 1 конденсатора, между которыми помещена исследуемая пластина 2 полупроводника, изолированная от них диэлектрическими пленками 3. Свободная поверхность пластины полупроводника длиною Ь находится вне обкладок конденсатора. На ней установлены два металлических зонда 4, подсоединенные к вольтметру 5 постоянного напряжения, а конденсатор подключен к высокочастотному генератору 6.Переменное электрическое поле наводится конденсатором в локальной обЛасти полупроводника. Оно вызывает колебательное движение свободных носителей заряда и ионов примеси, Так как последние...

Номер патента: 1195856

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Имамов, Колчанова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...центра Е вслучае полупроводника р-тип..3 лупроводника и-типаи акцепторной - в случае полупроводникар-типа; 40 П тгс ГИИПИ Заказ 7828/2 Тираж 721 Подписи Произв.-полигр, пр-тие, г. Ужгород ул. Проектная,Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения энергиисвязи носителя заряда на мелком нейтральном центре в полупроводниках,елью изобретения является расширение функциональных возможностейспособа путем обеспечения определения энергии связи носителя зарядана мелком нейтральном центре,10Изобретение поясняется чертежом,где приведены зависимости поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена от температуры для двух образцов из СаЛя п-типа проводимости сразличным содержанием примеси,П р и...