Патенты с меткой «полупроводников»

Номер патента: 1288574

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Вигдергауз, Радюшкина, Тарасевич, Теплякова, Чантурия

МПК: G01N 27/48

Метки: вольтамперометрического, кондиционирования, минералов, полупроводников, пульпы, условий, электрохимического

...На схеме (Фиг, 1) обозначены токоотвод 1, выполненный с возможностью вращения, токоотвод 2 диско- ного электрода, изолирующая теФлон- новая оболочка 3, диск 4, например, из пирограФита, анализируемый порошок 5. Вращение дискового электрода позволяет отделить процессы, протекающие на поверхности образца, от проИзвлечение Содержание, Е цинка вконцентрат,% в исходном питании в концентрате Технология Медь Цинк Сера Медь Цинк Сера 38,94 2,34 38,07 41,07 28,8 38,94 1,78 44,89 34,55 38,9 Применение предлагаемого способа определения условий электрохимического кондиционирования пульпы при обогащении и гидрометаллургической переработке руд и продуктов обогащения позволяет сократить время и повысить точность определения потенциалов...

Номер патента: 928942

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа

...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...

Номер патента: 1308962

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Глазов, Кольцов, Курбатов

МПК: G01R 33/06

Метки: высокоомных, гальваномагнитных, полупроводников, расплавов, характеристик

...емкость со шлифами и отверстия для подвода холловских и токовых зондов, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения точности измерения, боковая поверхность рабочего канала выполнена с противолежащими симметричными выемками, расположенными на оси корпуса с отверстиями для потенциальных зондов, а торцы канала выполнены с выемками большего сечения, чем сечение рабочего канала по ширине и высоте для токовых зондов, причем длина рабочего канала относится к его ширине как 1:3. 1 13089 бИзобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта Холла и магниторезистивного эффекта.Цель изобретения - повышение точ" ности измерения гальваномагнитных...

Номер патента: 1578770

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Борисов, Дюков, Кибалов, Файфер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...квантов 1,3 эВ. Свет модулирован частотой 1 к Гц, Ге гистрируемое п ространственное разрешение сигнала 0,1 мкм, Коэффициент усиления выбирался равным 20, Далее понижали 1 ок зонда и его энергию до выхода регистрируемОго сигнала в насыщение, Для пластины КДБэто 0,1 нА и 15 кВ соотвутственно, Для пластины КДБ,1 насыщейие достигалось при токе 50 пАи энергии 2 кэВ., Далее изменяли частоту модуляции в диапазоне 0,1 - 10 Гц. Уменьшение сигнала фотоЭДС наблюдалось при частотах выше 5 кГц, При частоте 1 кГц в полосе 3 Гц снимали зависимость сигнала фотоЭДС от интенсивности освещения (кривая 11 на фиг, 2). По значению насыщения сигнала определяли поверхностные потенциальные барьеры участков поверхности, т,е. наведенной фотоЭДС. Измеренные...

Номер патента: 1459426

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Аламян, Аракелян, Барсегян, Паносян

МПК: G01N 21/59

Метки: диэлектриков, коэффициента, оптического, поглощения, полупроводников

...Кмн251-К е 1 К(К КК+1)М." - Хи -ф 26 Кми К П р и и е.р, Определялся коэффициент оптического поглощения сС монокристаллического образца рутила35(все нижеприведенные результаты былиполучены при комнатной температуре).Сначала был измерен коэффициент однократного отражения К в областипрозрачности рутила, (фиг. 1, крнвая 1) для чего, в первую очередь,была проведена грубая шлифовка тыльной поверхности образца. Отметим,чтополученное значение К удовлетворительно совпадает со значением Кассчитанным по формуле К "(и) /(и+1) , согласно известному значениюпоказателя преломления и прнведенНого в справочниках. Для рутйла и"2,9467, соответственно значение дляК получается 0,24.После этого, тыльная поверхностьрутилового образца отполировалась...

Номер патента: 1597814

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Кулак, Свиридов, Стрельцов

МПК: G01N 27/26

Метки: локальных, микронеоднородностей, поверхности, полупроводников, фотоэлектрохимического

...при 400 С, и наконец, на участки 2 и 4 с термообработкой при 200 С. Методом электронной дифракции установлено, что при прогреве данных пленок в интервале температур 200 в 4 С формируют 1597814ся амофорные пленки, при 700 С они имеют структуру анатаза, а при 600 Сструктуру анатаза с амфорными вкраплениями. Измерение фототока проводилосьс использованием стандартного электрохимического оборудования - потенциостатаи двухкоординатного самописца. Сканирование пучком УФ-излучения (источник лампаДРК - 120 с диафрагмой) осуществлялосьв направлении от участка 1 к участку5. В начале регистрировался анодный фототок (при потенциалах положительнеепотенциала плоских зон Т 402), а затем вточно такой же последовательности - катодный фототок...

Номер патента: 1618551

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Антонов, Кириндас, Ковшиков, Ленов, Нипаришвили, Шлифер

МПК: B23K 20/14

Метки: диффузионной, металлами, полупроводников, сварки

...изготовленные из них, нагревают, сдавливают и осуществляют изотермическую выдержку с последующим охлаждением. В процессе охлаждения проводят 3 - 9 ступеней изотерми- ческой виброобработки с циклическим приложением вибрации на каждой ступени, В процессе охлаждения происходит релаксация остаточных напряжений. Приложение вибрации в процессе охлаждения на каждой ступени изотермической выдержки позволяет снизить суммарное усилие сжатия и снизить температуру сварки, благодаря чему снижаются остаточные напряжения в зоне соединения, позволяет повысить его качество.При числе ступеней меньше 3 качество соединения низкое, а при числе ступеней больше 9 уменьшается производительность,П р и м е р. Сваривали деталь из полупроводника...

Номер патента: 1622141

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Жуков, Перевощиков, Скупов

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристаллических, пластины, полупроводников, резки, слитков

...торца визуально и на металлографическом микроскопе МИМ.Обнаружено, что направление с минимальной плотностью ямок травления близко к одному из кристаллографичес ких направлений (100), на этом же направлении располагается зона с наименьшей плотностью дефектов.В этой зоне плотность ямок травления усредненная (с надежностью 0,98), по 15 полям зрения микроскопа составляет 9+5 ят/см, а в остальной части слитка в среднем - (1,1+0,7) х х 10 ят/см, причем в направлениях .(110) она достигает величины (5,3+ + 0,9) 10 з ят/см .35После того, как на торце слитка получают направление и зону с минимальной дефектностью, его ориентируют для резки по плоскости (001),40 а затем с помощью мастики приклеивают по образующей на оправку. Сначала слиток...

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...

Номер патента: 1376846

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Болгов, Глушков, Малютенко, Мороженко, Морозов, Омельяновский

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводников

...составляет 2"6 мкм.Таким образом, его можно применять для контроля однородности соста-.ва полупроводников со значением Е0,2-0,6 зВ и для контроля однородности распределения примесей в полупроводниках с Е 0,2 эВ. Минимальноразличимая разность. температур тепловизора АСАсоставляет 0,2 Кпри ЗОО К. Переводя по формуле Планкатемпературную разрешающую способностьв энергетическую, устанавливают, чтоминимально различимая разность потоков теплового излучения (Ь , фиксируемая данным прибором, (ь 1) =щ 110 Вт/см.Теоретически или экспериментальноградуируют используемый прибор в единицах Е или х дЛя конкретного полупроводникового соединения, находящегося. при заданной температуре вышефоновой.Теоретически интенсивность 1 теплового излучения...

Номер патента: 1306404

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Антоненко, Байрамов, Веденеев, Ждан, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...примеси Исстепени ее компенсации К и энергииактивации ЕНа фиг, 1 приведена рассчитаннаятемпературная производная уровня Ферми Р в полупроводнике; на фиг.2зависимость вспомогательной функцииИ от температуры Т.Измерения проводят в гелиевом кри"остате с электронным терморегуляторомв диапазоне температур 20-300 К,В режиме стабилизации емкости сигнал с измерителя добротности ВМ 560после интегрирования смещает МДП-структуру в направлении, компенсирующем возмущение ее ВЧ-емкости. Ста"билизация ВЧ-емкости осуществляетсяна уровне 10 , чувствительность кизменению емкости1 фФ на частоте1 МГц при амплитудном значении тестового ВЧ-сигнала 5 мВ.Определяют параметры легированиякремния в МДП-структуре АЕ-Б 1г2площадью 5 10 м " и толщиной...

Номер патента: 1712987

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Веденеев, Дмитриев, Ждан, Рыльков, Шагимуратов, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: методом, параметров, полупроводников, холла, эффекта

...образец 1, токовые контакты 2 и 3, потенциальные зонды 4,5 и 6, дополнительный зонд 7, размещенныйна нижней поверхности образца, источник 8напряжения, измеритель 9 силы тока, измеритель 10 ЭДС Холла Чн, измеритель 11 па 45 дения напряжения между потенциальнымизондами Чизмеритель 12 разности потенциалов между дополнительным зондом и токовым контактом (стрелками указанынаправления ориентацйи магнитных полейВ и В, волнистые стрелки указывают на правление падающего на образец излучения).Способ реализуется следующим образом.Снабжают образец 1 двумя токовымиконтактами 2 и 3 и тремя потенциальнымизондами 4, 5 и 6, расположенными на противоположных токовых и боковых гранях образца, перпендикулярных его поверхности,соответственно. Снабжают...

Номер патента: 1250106

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Воробьев, Кузнецов, Погребняк, Ракитин

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектриков, механической, полупроводников, прочности

...регистрации электромагнитного излучения (ЭМИ), усилитель 2 сигнала, лавер.измеритель 4 энергии лазерного излучения, фокусирующую линзу 5,заноминающий осциллограф 6, образец7 (исследуемый материал); генератор8 задержанных импульсов. При измерениях прочности материалов использовали рубиновый лазер, работающий в.режиме модулированной добротности,В этом режиме излучался импульс длительности=30 нс. Лазерное излучение фокусировали на поверхностьисследуемых материалов фокусирующейлинзой 5 с фокусным расстоянием.Р - 1 О ом. В процессе облучения измеряли энергию каждого импульса изме-рйтелем 4 лазерной энергии ИКТН,Все измерения проводили на воздухепри комнатной температуре. Канал регистрации электромагнитных импульсовсостоял иэ емкостного...

Номер патента: 1733986

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Вертий, Гудым, Иванченко, Попенко, Пустыльник, Тарапов, Шестопалов

МПК: G01N 22/00

Метки: параметров, полупроводников

...При этом существен. ным образом расширится диапазон магнитн ых полей.Предлагаемое устройство может бытьприменено не только для исследования маг нитооптических поверхностных поляритонов в геометриях Фарадея и Фойгта, но и для изучения поверхностных поляритонов других типов. Более того, измерительная ячейка в виде элемента ПВО с устройствами 30 ввода и вывода может стать основным элементом электродинамической системы новых полупроводниковых приборов, в которых будут использованы свойства возбуждаемых поверхностных поляритонов. 35 Сущность изобретения состоит в том, что в устройство для измерения параметров полупроводников, содержащем СВЧ-генератор, выход которого соединен с элементом ввода, связанным с одной боковой 40 гранью ПВО, другая...

Номер патента: 1744736

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Дроздов, Рогулин, Федонин, Финк

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, полупроводников, сопротивления, удельного, электрического

...через полупроводник после расположения на нем накладных электродов, подключенных к источнику переменного напряжения Ч. Вычисляют сопООтивления 1, У 2 и Ез по формулам Для определения параметров даннойцепи необходимо предварительно осуществить измерения С 1 и С 2, Для этого электродыЭ 1 и Э 2 помещают на металлическую пластину и измеряют емкость С 2 между электродами, затем, подключив к металлическойпластине общую шину измерителя емкостиили экран измерительной цепи), измеряютемкость С 1 (также между электродами), ОпОпределяют промежуточные параметределяют близкие к оптимальным для данры Я, Т, С по следующим формулам: ной эквивалентной схемы частоты 11, 12, 1 з(Кь "г)КгКз-гЕз+(КгКгЕ -г+(" Кз) КзЕ 2 г ф5= С = 2 л 11211+(2 л 11 Т) )/(1...

Номер патента: 1570476

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Сизов

МПК: G01N 25/18

Метки: металлов, полупроводников, температуропроводности

...образцаосуществляют вне нагреваемого участка, т,е, аг , где а - радиусгауссового распределения интенсив- ЗОности греющего луча, Расстояше ггыбирают иэ условия аг5 а. Внутрп этого интервала расстояний болеепредпочтительными являются значенияк о (1,5-3,0)а, посколькУ пРи мень 35ших значениях то начинает сказыватьсяконечная длительность импульса и конечный размер зондирующего пятна (ведет к потере точности определенияМ),а при больших расстояниях г значительно уменьшается максимум Фототермического смещения поверхности,образца, что приводит к уменьшению вы-ходного сигнала. В результате поглощения части импульсного излучения в 115нагреваемой области образца 13 происходит импульсное Фототермическоесмещение. поверхности с частотой повторения...

Номер патента: 1755173

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Глазов, Ким, Мамбетерзина

МПК: G01N 29/04

Метки: металлов, полупроводников, расплавов, ультразвуковой

...следующим образом, 55 держит волновод 1, закрепленный на одном из его торцов ультразвуковой чувствительный элемент 2, нанесенную на другой торец волйоводэ прокладку 3 из борного ангидрида и паз 4. Паз на торце волновода пропиливают алмазным диском или сапфировой пластиной в случае использования кварцевого волновода или надфилем, если волновод изготовлен из металла, далее наносят слой После нагрева расплава (не обозначен) выше 450 С(температура плавления борного ангидрида) ультразвуковой преобразователь погружают в контролируемую жидкость рабочим концом с пазом и слоем борного ангидрида, смыкают с отражателеми притирают возвратно-вращательнымидвижениями,При каждом вращательном движенииребро между торцом волновода и боковойгранью паза...

Номер патента: 1805512

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ильичев, Масалов, Подшивалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрофизических

...потока через соленоид.Способ реализуется следующим образом, Контролируемая полупроводниковаяпластина 10 помещается около торца соленоида 1. Светодиод 5 через световод 4 освещает небольшую часть площади пластины10, находящуюся в рабочей области соленоида 1, прерывистым излучением, Частота прерываний определяется генератором 6. Под действием излучения периодически изменяется эффективная магнитная проницаемость освещаемой части полупроводника. Это приводит к периодическому изменению магнитного потока через соленоид и появлению на его выводах напряжения, которое регистрируется регистрирующим прибором 2, Переменная емкость 9 используется для подстройки резонансной частоты контура на частоту генератора 6, Параметры выходного сигнала...

Номер патента: 1822972

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Антюшин, Румянцева, Шалыгин, Штурбин

МПК: G01N 27/62

Метки: локального, полупроводников, сопротивления, удельного

...расположен в отверстии плоского конденсатора, при этом расстояние от острия электрода до рабочей поверхности базового электрода, на которую кладут исследуемый образец 7, составляет величину порядка 0,1 мм. Конденсатор б, показанный на рис. 1 пунктиром, представляет собой межэлектродную емкость резистора 4, которая, как будет видно из дальнейшего, играет важную роль в работе устройства.Работает устройство следующим образом,Конденсатор 2 выступает в роли накопительного конденсатора; при включении источника напряжения 1 он начинает заряжаться, высокое внутреннее сопротивление источника напряжения обеспечивает относительную медленность этого процесса. Одновременно растет и потенциал зондирующего электрода 5 по отношению к образцу 7,...

Номер патента: 1827695

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Абдинов, Агаев, Алиева, Ахундова, Тагиев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, электропроводности

...друг ат друга с помощью тонкого электраизоляционнога слоя с теплапроводнастью, близкой к теплопрооаднасти полупроводника.Ниже приводятся экспериментальныеданные полученные на образцах и- и р-типа проводимости кристаллов твердых раство 30 35 40 45 другу, Вследствие этого и направления градиента температуры на первой и второй частях образца будут направлены друг против друга, т, е, например, конец первой части образца, в котором выделяется теплота 50 Пельтье, будет располагаться на конце второй части образца, на которой поглощается теплота Пельтье, и наоборот. Поэтому с момента прохождения тока 55 через образец. поглощаемая и выделяемаятеплота Пельтье на первой части образца будут полностью компенсироваться теплотой, выделяемой и...

Номер патента: 2000630

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Агеева, Броневой, Гуляев, Калафати, Кумеков, Миронов, Перель

МПК: H01L 21/268

Метки: изменения, оптической, полупроводников, прозрачности, прямозонных

...энергиях Юе"возбуждающего импульса, Максимальнаяэнергия Юе возбуждающего импульса,проходящая через область зондирования"0 ифотона возбуждающего света равняется 1,437 эВ ( Л=863 нм) и иа 11 мэВ превышает величину Ер (ширина запрещеннойзоны). то=о в положении, где находитсямаксимум кросс-корреляционной функцииО (тд ) возбуждающего и зондирующего импульсов.Кривая просветления (фиг.1) при наименьшем 9/в в согласии с тривиальнымипредставлениями демонстрирует возрастание просветления в течение возбуждающего импульса, а затем медленный спад спостоянной времени 500 пс - тр - времениспонтанной рекомбинации.Подобный обратимый характер просветления наблюдается в широком диапазоне длин волн зондирующего излучения,При этом спектр остаточного...

Номер патента: 728593

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионного, неразрушающего, отжига, полупроводников, процесса

...нанесенными на поверхность 25 исследуемого. образца. В этом способе ток проходит по образцу перпендикулярно диффузионному потоку, По скорости изменения во времени тока определяют коэффициент диффузии, по которому судят о процессе 30 диффузии во время диффузионного отжига.Недостатком эого способа является его недостоверность из-за отсутствия возможности контролировать глубину диффу+ зионного фронта и его непригодность для 35 контроля процесса диффузии в образцах, имеющих большую толщину в направлении диффузии.Целью изобретения является повышение достоверности контроля диффузии ак цепторной примеси в полупроводники п-типа проводимости путем определения положения диффузионного фронта. 45параллельном диффузионному потоку примеси,в качестве...

Номер патента: 2005103

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Байдаков, Блинов, Громова, Каратаев, Оркина, Прокофьев

МПК: C03C 3/32

Метки: основе, пленок, полупроводников, стеклообразных, халькогенидных

...в газовую фазу, Металлы остаются в исходном материале, не расходуясь,В таблице приведены конкретные составы исходных сплавов и свойства полученных пленок,Равномерное распределение атомов металла, находящегося в исходном стекло- образном материале на уровне размеров молекулярных форм газовой фазы, более надежно и эффективно регулирует состав компонентов паровой фазы. чем порошки серебра и меди в известном способе получения пленок, Наличие в исходном материале химически чистого металла позволяет получить пленку высокой стенки чистоты и однородности, не содержащую оксидных и оксихалькогенидных соединений, от которых ухудшаются свойства пленок, получен ных по известному техническому решению.,Материалы выполняют роль своеобразного...

Номер патента: 1783933

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Козловский, Марков, Насибов, Федоров

МПК: G01N 21/55, H01L 21/66

Метки: однородности, оптического, основе, полупроводников, раствора, состава, твердого

СПОСОБ ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СОСТАВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение электромагнитным излучением химически полированных поверхностей исследуемого образца или его ествественных сколов в различных точках, регистрацию энергетических спектров, их сравнение и контроль однородности материала на основе этого сравнения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности контроля, осуществляют облучение кристаллографически эквивалентных поверхностей исследуемого образца с энергией квантов, не меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, регистрируют спектры экситонного отражения или люминесценции, выделяют на спектрах характеристическую линию экситонного...

Номер патента: 1771164

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Белов, Комкова, Рогов

МПК: B24B 37/04

Метки: двусторонней, пластин, полупроводников

СПОСОБ ДВУСТОРОННЕЙ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ , пpи котоpом pазмещают в отвеpстиях сепаpатоpа обpабатываемые пластины и вкладыши из пластичного матеpиала, толщина котоpых больше высоты пластин, пpижимают веpхним пpитиpом вкладыши и пластины к нижнему и сообщают им относительное пеpемещение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и точности обpаботки, усилие пpижима выбиpают из условия обеспечения съема матеpиала вкладыша до касания веpхним пpитиpом обpабатываемых пластин - 0,15 - 1,5 мкм/с, а после касания - 0,1 - 1,5 мкм/с, но не более скоpости съема матеpиала вкладыша.

Номер патента: 1783930

Опубликовано: 30.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/26

Метки: легирования, полупроводников

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводника источника примеси, размещение полупроводника на одном электроде, нагревание полупроводника, приложение между электродами напряжения постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводников за счет снижения дефектности их кристаллической решетки, обеспечения возможности введения примеси на любую глубину и взрывобезопасности способа, полупроводник размещают на плоском электроде, нагревание осуществляют до 300 - 800oС, напряжение прикладывают в течение времени, необходимого для получения требуемой глубины легирования, а величину напряжения выбирают из условия обеспечения зажигания коронного заряда.

Номер патента: 1433333

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Борзунов, Лапатин, Медведев, Монич, Петров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводников, фотоэдс

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ФОТОЭДС ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержащее импульсный источник света, конденсаторную ячейку с полупрозрачным электродом, импульсный усилитель, соединенный с индикатором, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения величины и определения знака поверхностной фотоЭДС, в него дополнительно введены последовательно соединенные генератор тестовых импульсов, первый управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения, первый управляемый электронный ключ, резистор, второй управляемый электронный ключ, второй управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения и схема сравнения с блоком опорного сигнала; компаратор, генератор синхронизации с тремя выходами и третий управляемый...

Номер патента: 713018

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Белов, Потапов

МПК: C30B 25/12

Метки: газовой, диэлектриков, полупроводников, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, включающее горизонтальный реактор, подложкодержатель для подложки, установленный на пьедестале внутри реактора, и внешний нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения градиента температуры по поверхности подложек и стабилизации температуры, пьедестал выполнен в виде полого контейнера, а подложкодержатель в виде гранулированного материала, размещенного внутри контейнера слоем, толщина которого превышает величину стрелы прогиба подложки.

Номер патента: 1494376

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Браун, Косогоров, Рассказов, Фролов, Шлифер

МПК: B23K 20/14

Метки: диффузионной, металлов, полупроводников, сварки, стеклами, щелочными

СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИЛИ МЕТАЛЛОВ С ЩЕЛОЧНЫМИ СТЕКЛАМИ, при котором детали сдавливают, к полупроводнику или металлу прикладывают положительный электропотенциал, а к стеклу отрицательный и осуществляют изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения путем исключения избытка химических соединений щелочных металлов на свариваемой поверхности стекла при изготовлении многослойных изделий, со свободной поверхности стекла удаляют слой, перенасыщенный щелочными элементами.

Номер патента: 1454166

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Клюев, Кузнецов, Липсон, Ревина, Саков, Топоров

МПК: H01L 21/66

Метки: гетерогенности, диэлектриков, поверхности, полупроводников, электрической

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об...