Магнитный элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 167358
Автор: Нисневич
Текст
Союз Советских Социалистически Республик. свид висимое 2588/26,71,1963 (Ко Заявлено Кл. 42 т,рисоединением заявк осударственный омитет по делаю изобретений открытий СССРК б ио и Опубликовано 04.11965. Бюл ДК 681.142(088 8) ень Р 4 Дата опубликования описания 1.П.9 вторзобретения Нисневич Заявитель ЭЛЕМЕНТ ПАМ АГНИ и- 1 различавоспроизведении тствует. брете Предмет иМагнитный элемент на двух трансфлюксор памяти, выпал , содержащии нныи бмотИзвестны магнитные элементы памяти надвух трансфлюксорах, Такие элементы содержат обмотку записи, обмотку опроса, проходящую согласно через малые отверстия обоихтрансфлюксоров, и две выходные обмотки,опрашивающие соответственно малые отверстия первого и второго трансфлюксоров.Предлагаемый элемент памяти отличаетсяот известных тем, что он имеет обмотку записи О, прошивающую согласно оба трансфлюксора, обмотку записи +1, охватывающую магнитопровод вокруг большого отверстия первого трансфлюксора, обмотку записи- 1, прошивающую большое отверстиевторого трансфлюксора, и общую выходнуюобмотку, образованную встречно включенными выходными обмотками обоих трансфлюксоров.Это позволяет использовать предлагаемыиэлемент в качестве троичного. Бл агодарявстречному включению выходных обмоток,компенсируется помеха при записи логического О. При использовании элемента вдвоичном режиме возможно получить активный сигнал О,На фиг. 1 и 2 изображены различные варианты описываемого элемента.Элемент выполнен на двух трансфлюксорах 1 и 2. Обмотка 3 записи О прошиваетсогласно оба трансфлюксора; обмотка 4 заодписная группа174 писи +1 проходит через большое отверстие трапсфлкксора 1, а обмотка б записи- 1 проходит через большое отверстие трансфлюксора 2. Обмотка б опроса пронизывает согласно малые отверстия трансфлюксоров.Выходные обмотки 7 и 8 обоих трансфлюксоров включены встречно и образуют общую выходную обмотку 9 элемента.Трансфлюксоры 1 и 2 могут быть выполненына общей пластине 10 (фиг. 2) из материала с ППГ с двумя большими и двумя малыми отверстиями.При записи 0 по обмотке 3 подают сигнал, блокирующий оба трансфлюксора. Запись +1 производят подачей импульса по обмотке 4, При этом трансфлюксор 1 переходит в разблокированное состояние, Запись- 1 осуществляют подачей импульса по обмотке б, который переводит в разблокирован нсе состояние трансфлюксор 2.При воспроизведении по обмотке б опросаподают сигнал и затем снимают выходной сигнал с обмотки 9.Выходные сигналы +125 ются полярностью. При0 выходной сигнал отсу167358 иг"; Составитель А. Соколовехред А. А. Камышникова Корректор О. И. Попова лаи акто аказ 3740/12 Тираж 900 Формат бум. 60)(90/в Объем 0,13 изд. л. Цена 5 коп ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобрезений и открытий СГГР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4гпография, пр. Сапунов ки записи, общую обмотку опроса, прошивающую согласно малые отверстия обоих трансфлюксоров, и две выходные обмотки, прошивающие соответственно малые отверстия первого и второго трансфлюксоров, отличающийся тем, что, с целью получения троичного элемента, он содержит обмотку записи 0, прошивающую согласно оба трансфлюксора, обмотку записи +1, пропущенную через большое отверстие первого трансфлюксора, обмотку записи- 1, проходящую через большое отверстие второго трансфлюк сора, и общую выходную обмотку, образованную встречно включенными упомянутыми выходными обмотками.
СмотретьЗаявка
842588
Д. Г. Нисневич
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Метки: магнитный, памяти, элемент
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-167358-magnitnyjj-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Логическое устройство
Следующий патент: Компенсационный способ неразрушаемого считывания информации
Случайный патент: Способ уменьшения сил трения в подшипниках