H01J 31/40 — с сетчатым записывающим изображение экраном, через который проходит электронный луч, воспринимающий влияние этого экрана на участке до попадания на выходной электрод, т.е. по принципу действия аналогичные триоду

Номер патента: 45648

Опубликовано: 31.01.1936

Авторы: Тимофеев, Шмаков

МПК: H01J 31/40

Метки: дальновидения, передачи

...5,. Одновременно на диэлектрик или мозаику пластинки К пускается электронный луч Р от электронно. лучевого прожектора, который обегает поверхность К. по определенному закону развертки изображений, Скорость электронов луча Р меньше скорости Уа потому они построчно будут компенсировать положительный заряд конденсатора К 2 - Аф. Это изменение заряда создаст в цепи Р, К А, Й переменный ток в сопротивления Й будут поступать сигналы изображения в усилитель У и далее на модулятор. Потом процесс повторится. Время зарядки каждой точки антикатода К, от вторичной эмиссии электронного изображения равняется продолжительности передачи всего кадра изображения, т. е. - сек., где К - число кадров в сек а время компенсации лучом Р...

Номер патента: 104426

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Федорова

МПК: H01J 31/40

Метки: передающая, трубка, электронно-лучевая

...градационного клина, например способэ растровой печати, практически нс дают возможности сделать клин с числом ступеней большим десяти. Кроме того, в готовых моноскопах нет возможности корректировать закон нарастания ступенчатого сигнала, не говоря ужс оо изменении этого закона.Описываемая передающая испытательная телевизионная трубка позволяет получать импульсы ступенчатой формы с чис:1 ом ступеней больше . десяти и дает возможность корректировать и изменять по желанию закон нарастания ступеней импульса.На фиг. 1 представлено схематическое изображение испытательной передающей трубки; на фиг. 2 изобраБРЕТЕНИРабота трубки происходит следующим образом. Одна часть вторичных электронов 14, выбиваемых электронным пучком из полосок 11...

Номер патента: 123263

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Брауде

МПК: H01J 31/40

Метки: запоминающая, трубка, электронно-лучевая

...Возника 1 ОИГес ИЯ экране световое п 5 тнс 1,1 освечиваст одновременно противолежанГне элемс 1 ты полупрозрачно о фотокяОда ) и фотоэлектрическо 1 мозян 1, 4. Фотоэлскт 1)1 ческ;)С 1 мозаика Ооляда 1 сг большой емкостью От 1001 тсльно сигнальной пластины 5.Фотоэлсктро:ы, эмитируемые из элементов фотокатод; ), зар- ж 21 от противо.1 ежащс элементы;1 озаикп 4 отрнцател По, я фотоэлсктроны, эмити 1)м".ые эл."ентями мозаик 1, зяр 5 жяот и положительно. В розун,тате тоо лОбоЙ из эле:5 снтов фотоэлектричсскйГ )ОЗЯИ 1 н 7 51 мсе 1 потенциал, одноименный с потенциалом полупрозрачного фотокяГод; ) в момент скан)1;)Овяния эого элсмен;я.1 азрешакпцая способность предлагаемой запомн)2 Опей трубкп:ЯВИнт ТОЛЬКО ОТ РЯСТ 05)НИ)1 )КД 11031 ИКО)1 И...

Номер патента: 125318

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Брауде

МПК: H01J 31/40

Метки: памяти, трубка, электронно-лучевая

...диэлектрическую сетку, которая своей толщиной фиксирует расстояние между фотокатодом и мозаикой.На чертеже изображена барьерная сетка и мишень трубки памяти в разрезе. Здесь: 1 - сигнальная пластинка; 2 - диэлектрическая пластинка; 8 - фотоэлектрическая мозаика; 4 - мелкоструктурная сетка; б - фотокатод; б - прозрачная пластинка; 7 - катодолюмннисцирующий экран; 8 - слой алюминия, прозрачный для электронного луча большой энергии.Первоначально, при очувствлении поверхностей полупрозрачного катода и фотоэлектрической мозаики нссущис их диэлектрическая пластинка и прозрачная пластинка располагаются на достаточно большом расстоянии. Это необходимо для беспрепятственного поступления паров цезия к очувствляемым поверхностям, После очувствления...

Номер патента: 150942

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Игнатьев

МПК: H01J 31/40

Метки: коллектор-сетку, модуляцией, потенциалоскоп

...4 и сигнальная пластина 5 с нанесенным на ее поверхность слоем диэлектрика б. На фокусирующую систему подается положительный потенциал от источника питания 7. К коллектору-сетке подключен источник 8 модулирующего напряжения. Коллектор-сетка 4 имеет ячейкообразную структуру (фиг. 2).Электронный луч 9, попадая на .одну из ячеек коллектора-сетки, выбивает вторичные электроны из диэлектрика б. При достаточной глубине ячеек вторичные электроны, выбитые из участка поверхности диэлектрика б, ограниченной стенками данной ячейки, будут частично попадать на коллектор-сетку, а частично возвращаться на поверхность диэлектрика внутри той же ячейки. Вследствие ячейкообразной структуры коллектора-сетки вторичные электроны, выбитые из участка...