Магнитный элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 169874
Автор: Перекатов
Текст
Союз Советских Социалистицеских Республикства М висимое от авт. сви Кл, 4 влепо 29.111,1963 ( 828422126-24 с присоединением заявки6 д 1 П Государственны и комитет ло дела изобретений и открытий ССС,1965 бликования описани ат Автор гзобретения кат Заявитель АГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ П И 2 Предлагаемый магнитныйпозволяет сочетать форсировбыстрым считыванием инфразрушения.На фиг. 1 даны внешнийрасположение обмоток; на фная диаграмма следованияжиме записи; на фиг. 3, а, б,ние векторов индукции в перного элемента памяти при воляющих токов.Элемент представну с пятью отверстгтолщине. Известны магнитные элементы памяти с форсировкой режима записи. Каждый такой элемент выполнен в виде пластины из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, имеющей трп отверстия, расположенных на одной осевой линии, Ширина перемычек, образованных в пластине этими отверстиями, равна 5 вдоль осевой линии и 25 вдоль прямых, проходящих через центры отверстий и перпендикулярных осевой линии. Через первое отверстие пропущен провод запрета, через второе - провод записи, через третье - выходной провод,Известен также магнитный элемент памяти с тремя отверстиями, позволяющий осуществлять быстрое считывание информации без ее разрушения,Предлагаемый магнитный элемент памяти отличается от известных тем, что он имеет, кроме трех отверстий, четвертое и пятое отверстия, через которые пропущен провод считывания. Центры четвертого и пятого отверстий расположены на проходящей через центр третьего отверстия прямой, перпендикулярной прямой, соединяющей центры первого, второго и третьего отверстий (осевой линии). Ширина перемычек в пластине вдоль прямой, проходящей через центры третьего, четверто 5го и пятого отверстий, равнагэлемент пам анную запись ормацпи без вид элемента и иг. 2 - временимпульсов в рев, г - направлеемычках магнитздействпп управляет феррптовую пластигями 1 - 5, одинаковую по Отверстия образупер ем ы чки 6 - 15,равна 5, ширина пОперемычек 12 - 15 -ют в ферритовои пластине Ширина перемычек 6 - 9 еремычек 10 - 11 - 25, а 5 гпроходит провод 16 г 0,через отверстг 1 для записи пнф 3 - выходной пров я напряжениепровод 19 тока 1, с Через отверстие 1 1, запрета для запис провод 17 тока 1, и цип, через отверстие с которого снпмаетс отверстия 4 и 5 -вания. В режиме записи подают ток 11 поло затем ток 1. отрпцазаписи О одновременно с током У по проводу 16 подают ток УНаправление векторов индукции в перемычках магнитного элемента памяти после подачи тока Ус изображено на фпг. З,а. При записи 1 устанавливается состояние, изображенное на фиг. З,б. Прп записи О направление вектора индукции в перемычке 6, установившейся после действия тока Уь пе изменяется, а изменяется только направление индукции в перемычках 7 и 8 (см. фиг, З,в).В запоминающем устройстве возможен случай, когда на магнитный элемент памяти, в котором хранится , действует ток У при этом перемагнпчиваются перемычки 6 и 8 (см. фпг. З,г).Из фигур, соответствующих состоянию 1 (см. фиг. З,б) и О (см, фиг. З,в), следует, что направления векторов индукции перемычек 12 - 16 в этих случаях противоположны, Подача тока У по проводу 19 создает в этих перемычках поле, действие. которого приводит к обратимому изменению потока в перемычке 9, охватываемой выходной обмоткой 18 и, следовательно, к появлению в последней сигналов, отличающихся полярностью в случае считывания 1 и О. Предмет изобретения Магнитный элемент памяти, выполненный ввиде пластины из материала с прямоуголь 5 ной петлей гистерезиса, с тремя отверстиями,центры которых расположены на одной прямой так, гго перемычки, образованные в пластине этими отверстиями, имеют одинаковуюширину 5 вдоль упомянутой прямой и шири 10 ну 25 вдоль проходящих через центры отверстий прямых, перпендикулярных прямой, соединяющей эти центры, причем через первоеотверстие пропущен провод запрета, черезвторое отверстие - провод записи, а выход 15 ной провод проходит через третье отверстие,отлссчаюсссссйся тем, что, с целью сочетанияфорсированной записи и быстрого считывания информации без ее разрушения, магнитный элемент памяти имеет четвертое и пятое20 отверстия, через которые пропущен проводсчитывания, а центры четвертого и пятого отверстий расположены на проходящей черезцентр третьего отверстия прямой, перпендикулярной прямой, соединяющей центры пср 25 пото, второго и третьего отверстий, причемширина перемычек в пластине вдоль прямой,проходящей через центры третьего, четвсртоЬго и пятого отверстий, равна - ,2Составитель А. А. Соколоведактор Н. А. Джарагетти Техред Т. П. Курилко Коррекгор Л .В. Тюнлеаз 113015 Тираж 975 Формат бум. 60)(90lе Объем 0,27 изд. л. Цена 5 кЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4ипография, пр, Сапунова,
СмотретьЗаявка
828422
В. И. Перекатов
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Метки: магнитный, памяти, элемент
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-169874-magnitnyjj-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Способ определения удельной поверхности дисперсных тел
Следующий патент: Спусковое устройство
Случайный патент: Инвертор