G11C 11/35 — с накоплением заряда в обедненном слое, например устройства с зарядовой связью

Номер патента: 148277

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Толутис

МПК: G11C 11/35

Метки: запоминающий, элемент-ионотрон

...поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров и запирающем слое или увеличивается илиуменьшается.При данной ьеличице внешнего напряженияна ионотроне через определенный промежу 5 ток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение прцмесцых центров в запирающем слое,т. е. возникает определенное стабильное состояние цонотрона. Подачей ца иоцотрон им 0 пульсов напряжения различной полярностидопустимо большой величины можно получитьдва различных устойчивых состояния иоцотрона, которые могут быть обозначены 1 и ОВеличина зависит от величины...

Номер патента: 187409

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Виноградов

МПК: G11C 11/35

Метки: памяти, элемент

...мяти сои огранбийся теования,м исполрвый упрключен кление -емент пистораотличатооборудосхемноости, пера подопротив устойрытом.мпультат Элементы памяти, состоящие из бинистора, транзистора и ограничивающих сопротивлений, известны.Предложенный элемент отличается тем, что первый управляющий электрод бинистора подключен к базе транзистора и через сопротивление - к плюсу источника питания.Это позволяет сократить оборудовполнить элемент в твердосхемном иси повысить надежность.На чертеже показан предложенный элемент памяти.Он состоит из бинистора 1, ключевого транзистора 2 и ограничивающих сопротивлений 3, 4, б.Питание схемы постоянным напряжением осуществляется от источника С, минус которого подключен к клемме б, а плюс заземлен и от...

Номер патента: 292193

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис

МПК: G11C 11/35

Метки: 292193

...и выпрямляющегоконтакта 4,15 Эффект, получаемый за счет создания вионотроне дополнительного слоя селена, в котором отсутствует примесь серебра, заключается в следующем. Электропроводность поликристаллических слоев селена, легирован 20 ного серебром, более в чем в 5 10 раз меньше электропроводности слоев нелегированного селена. Благодаря тому, что в ионотронесоздан дополнительный слой нелегированногоселена, имеется возможность уменьшить в25 нем толщину слоя селена, легированного серебром, и, следовательно, уменьшить балластое сопротивление прибора. Так как областьлоя полупроводника у выпрямляющего конакта в предлагаемом ионотроне имеет пониенную проводимость, электрическое поле3формирования сосредоточивается в этой области в случае...

Номер патента: 386445

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Толутис

МПК: G11C 11/35

Метки: запоминающий, элемент

...металл - селвн выполнен в виде релаксирующего контакта, например кадмий - селен, с электрическими характеристиками, близкими к характеристикам основного релаксирующего .контакта,Такое выполнение запоминающего элемента позволяет повысить стабильность его работы и увеличить срок службы.На чертеже дана схема описываемого запоминающего элемента.Запоминающий элемент состоит из слояпелена, легированного серебром, основного ре. лаксирующего контакта 2 между селеном и слоем 3 металла, например кадмия, тылового релаксирующего контакта 4 между кадмием и селеном и токовых электродов 5.5 При переводе одного из релаксирующихконтактов запоминающего элемента в крайнее состояние, в котором он обладает, например, наибольшим сопротивлением, другой...

Номер патента: 368646

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Алексеюнас, Толутис, Чеснис

МПК: G11C 11/35

Метки: §сооюзндgt

...в селеннд серебра, изменяя темсамым форму вольтамперцой характеристики цоцотроца, Под воздействием отрицательного (минус - ца э,гсктроде, имеющем контакт с селецом) формирующего напряжения ионо трон переходит в крайнее состояние, в котором оц имеет наибольшее сопротивление и наибольшую асимметрию проводимости (А.ца фцг. 2). Под воздействием импульса положительггого напряжения (на вышеуказанном 25 электроде подан плгос), имеющего определенные (критические) амплитуду и длительность, цоцотрон из состояния с наибольшим сопротивлением переходит в другое крайнее состояние, где оц игпсет вгецьшее сопротивление и 30 меньшую асимметрию проводимости (Б, наТехред Т. Миронова Редактор Л. Утехина Заказ 610 г 7 Изд.169 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ...

Номер патента: 376806

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Толутис, Чеснис

МПК: G11C 11/35

Метки: ионотрон

...изобретения ставитель ЕТехред Т,ваневв рилко Утехи ректор А Степанов едак Заказ 1553/14 Изд.410 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 пография, пр. Сапунова, 2 Ионотрон, содержащий невыпрямляющий контакт, выпрямляющий контакт и р аспол оженные между ними слой селена, нелегированного серебром, и слой легированного селена, отгичающийся тем, что, с целью повышения стабильности его работы и увеличения срока службы, невыпрямляющий контакт через дополнительно введенные слой кадмия и слой селена, легированного серебром, соединен со слоем,нелегированного селена, а слой селена, 5 легированного серебром, через дополнительновведенный слой кадмия соединен с...

Номер патента: 469991

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Бугрименко, Шагурин

МПК: G11C 11/35, G11C 11/403

Метки: зарядовой, накопителей, приборах, регенератор, связью

...5 инжектора, управляющим электродом 6, входным электродом 8 и соединен с шиной источника питания 10. Второй дополнительный электрод 14 соединен с третьей тактовой шиной 15 и зарядно связан с затвором 2 и электродом 6. Первый электрод служит для промежуточного хранения регенерированного заряда 16, второй - для экстракции этого заряда.Работа схемы иллюстрируется на фиг. 2, Сечение вертикальной плоскостью параллельной линии распространения заряда 17 поясняет координаты х на эпюрах поверхностного потенциала р. С приходом импульса по тактовой шине 11 из области 4 через электрод 5 под электрод промежуточного хранения 13 инжектируется регенерированный заряд 16. Одновременно в исток МДП-транзистора 1 поступает информация из предыдущего разряда...

Номер патента: 640371

Опубликовано: 30.12.1978

Автор: Хотянов

МПК: G11C 11/35

Метки: запоминающее, зарядовой, регистрах, связью

...приборах все напряжения - отрицательные), Применение разделительных затворов позволяет при обеспечении непрерывного режима работы СР (без остановок высокочастотных тактовых генераторов Фф, Ф,) использовать для управления внутренней матрицей стандартные трехфазные тактовые импульсы низкой частоты Фрф, Фэ смдлиной плоской части р 1 и пологими37фронтами, слабо синхронизированные с высокочастотными тактовьми импульсами Ф Ф Ф, (жесткая синхронизация требуется лишь для разделительных импульсов Ф,р, Фр). За счет этого существенно уменьшаются потери заряда при передаче во внутренней матрице и ослабляются требования к быстродействию генераторов низкочастотньх импульсов Фм, ф 2 м фзм, нагруженных на значительно большие емкости по сравнению с...

Номер патента: 649041

Опубликовано: 25.02.1979

Автор: Ракитин

МПК: G11C 11/35

Метки: запоминающего, зарядовой, накопитель, связью, устройства

...образованных шинами 4 хранения информации, областями 3 диэлектрика с захватом заряда и полупроводниковойподложкой 1. Выше и перпендикулярношинам 4 сформированы тактовые элект- рроды 5, отделенные от шин 4 вторымизолирующим слоем 6. Электроды 5 переноса "вместе со слоями 2, 6 и подложкой 1 образуют систему связанныхМДП-конденсаторов - регистроз ПЗС,отделенных друг от друга шинами 4.В целом накопитель представляет собойсовокупность ПЗС - регистров, к каждомуэлектроду 5 переноса которого примыкает запоминающий конденсатор, образующий вместе с шиной 4 изолирующую 30область между ПЗС-регистрами.Накопитель работает следующимобразом.Предварительно стирается ранеезаписанная информация, Для этого на 35шины 4 подается отрицательный...

Номер патента: 1243038

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Каперко, Караханьян

МПК: G11C 11/35, G11C 16/04, G11C 7/00 ...

Метки: записи, зарядовой, информации, прибор, связью

...при изменении поверхностного потенциала под ним. На входной диффузионной области ПЗС Формируется низкий уровень напряжения Ц 4 ы, которое меньше, чем на 0,1 В опорного напряжения Усп, подаваемого с генератора опорного напряжения на входной затвор ПЗС, При -том обеспечивается инжекция заряда из входной диффузионной области под плавающий затвор. Количество заряда, попавшего в потенциальную яму под плавающим затвором, изменяет величину поверхностного потенциала (фиг.2) от величины напряжения питания Бли до Уп , Изменяемое напряжение с плавающего затвора ПЗС подается на второй вход схемы сравнения, а напряжение входного сигнала подается на первый вход схемы сравнения и в случае равенства этих напряжений 10 5 20 25 30 35 ч 0 45 50 на выходе...