Способ изготовления элементов памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
205884 ОЛ ИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республикф Чаа а.ц Кл. 21 ат, 37/О явлено ОЗ,Х.1966 ( 1105016/26-24) с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 05,1 Х,1968. БюДата опубликования описани ЧПК Н ОЗ Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров СССР.Х 1,196 Авторыизобретения Беккер и И. В. Б вител ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ЕМ ЕНТОВ ПАМЯТ ский слой 3 в виде полого цилиндра, имеющий достаточно высокую электропроводность, т, е. путем одной технологической операции создаются одновременно отверстие и электропроводящий слой (провод), При этом образование проводящего слоя непосредственно в пластине обеспечивает высокую механическую прочность слоя 3,В зависимости от энергии излучения лазера и длительности импульса можно изменять толщину проводящего слоя 3.Пропусканием переменного этока через проводящий слой 3перемагничивание фер рита в ожающей проводящий слой. чектрическогоосуществляют бласти, окрутения редмет изо амяти на гания отрным лу, отличия способа памяти в ут в востов п выжи , лазе о слоя ощени нтов й вед Спо ерр ерст чом, с витий и уве стано Зависимое от авт. свидетельс Известен способ изготовления элементов памяти на ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя,Описываемый способ отличается тем, что 5 выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде, что позволяет упростить способ и увеличить плотность элементов памяти в пластине.На чертеже изображена многоотверстная 10 ферритовая пластина с элементами памяти, полученными описываемым способом.Ферритовая пластина 1 помещается в восстановительную газовую среду (водород, окись углерода), и затем узким лучом лазера (в за висимости от желаемого диаметра отверстия) в пластине выжигают сквозное отверстие 2. При этом в зоне действия луча лазера температура феррита превосходит его температуру плавления, вследствие чего происходит распад 20 твердого раствора феррита, например, Мр,. Мп, ЕевОк распадается на окислы; МрО, МпО, РевОз, МпвОз, Рев 04 и частично восстанавливается до металлов: Мд, Мп, Ге.Таким образом, соосно с отверстием обра зуется частично восстановленный металличесоб изготовления элементовой пластине путемий в пластине, напримернанесением проводящеся тем, чтос целью упрчичения плотности элемне, выжигание отверствительной газовой сред205884 г з Составитель А, А. СоколовРедактор А, М. Сомова Техред Р, М. Новикова Корректор Н, С. Босняцкая ипография, пр, Сапунова, 2 Заказ 3324/5 Тира ЦН 1 ЛИП 1 Л Комитета по делам изобретени 1 Москва, Центр, ж 550 и открытий ппр, Серова, д,Подписное Совете Министров СССР
СмотретьЗаявка
1105016
Я. М. Беккер, И. В. Берг
МПК / Метки
МПК: G11C 11/06
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-205884-sposob-izgotovleniya-ehlementov-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления элементов памяти</a>
Предыдущий патент: Бесконтактное переключающее устройство
Следующий патент: Способ выборки информации
Случайный патент: Блок штампов