Способ изготовления матрицы памяти

Номер патента: 122380

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Бурмистров

МПК: C25F 3/08

Метки: кварц, нанесенной, например, пленки, поверхности, подложку, стекло, стойкую, травления, хрома

...металла в вакууме на стекло, кварц, а также накие подложки и травится по рисункам, выгравированнымупорной основе, или по фотографическим изображениям наном слое коллоида или смолы раствором марганцовокис,ппоследующим осветлением или соляной кислоты с припудривками металла (например, цинка или алюминия), выделтравлении водород.В последнем случае травление можно прос металлической поверхностью, например, пили алюминия. хрома, получе- лговечнк очные изображения, не лочам и кислотам без аспылением другие стойна кислото- хромированого калия с анием опиляющего при изводить в контакте слоя ластиной из листа цинка едмет изобретен о с Способ травления поверхности хрома или пленки хрома, нанесенноп на стойкую подложку, например, стекло,...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 310407

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Блс, Быков

МПК: H04L 9/18

Метки: виде, матрицы, сигналов, формирователь, частотно-врел1енной

...модулятора 13, кроме того, кахкдый рабоч пи Отвод мцогоотводцой линии задержки, подклю сцный к диспергирующсму элементу 2, сослце 1 через кипп-реле 15 и гстеродиц 1-1 со вторым входом балансцого модулятора.Устройство работает следуО 1 иим образом.310407 Тираж 473 писиое Ц 1 И 1 Заказ 3511245 зд. М 10 Тип, Харьк. фис. пред. Патеит Вндеоимпульс, из которого формируется сигнал в виде частотно-временной матрицы, подают на вход многоотводной линии задержки 1, В соответствии с временным кодированием рабочие отводы располагаются на линии задержки, с которых видеоимпульс в диспергирующий элемент и растягивается во времени, в результате чего и обеспечивается увеличение значения базы элемента частотно-временной матрицы. Видеоимпульс...

Номер патента: 1578033

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Белов, Дябин, Иванов, Стрельцов, Шапиро

МПК: B65B 9/10

Метки: надевания, пакет, пленки, рукава, термоусадочной, транспортный

...14 сжи"мается а штанги 12 поворачиваются,раскрывая рукав. После перемещенияштанги 12 иа величину зазора а онасоприкасается с прижимным элементом5. Далее они перемещаются ссвместно,а находящаяся между ними пленка зажимается с усилием, равным мас е груза прижимного элемента 15.Устройство работает следующим образ омаРулон с рукавной пленкой устанавливается в рулонодержатель 2. Рукавная пленка проводится через направля - юшие и приводные ролики 3 и ч и опускается ниже механизмов б и 7, Б исходном положении штанги 12 в сомкчутом состоянии находятся выше механизма 6 отрезания рукава, а кромки складок пленки находятся в зазоре д между штангой 12 и прижимным элементом 15. Бнижней части на механизм 9 подачи установлен транспортный пакет....

Номер патента: 1766210

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц

МПК: H01L 21/268

Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...