Способ выращивания монокристаллов кремния

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Номер патента: 1411357

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Битюцкая, Бормонтов, Минасянц, Сыноров

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентирования

...методом направленной кристаллиза ии из расплава, диаметром 1 см и длинойсм раскалывают на несколько частей по лоскостям спайности. Каждый из полученых образцов имеет от одной до трех непааллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых часях монокристаллов сошлифовывают и отолировывают медве площадки, перпендикуярные рискам на сколе. Окончательную поировку шлифов осуществляют пастой АМ ,5/О, Размеры шлифов Зх 5 мм. Затем осуествляют травление шлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кисоты и 50 мл 45%-ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на иг. 1) и травителем, содержащим 40 мл 9,8%-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной тористоводородной кислоты (картина трав- ения...

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Номер патента: 1663060

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Рыбкин

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, кристаллов

...ЯС не фиксирована и зависит от температуры кристаллизации. Однако в любом случае зона активного испарения шихты или эона 10 сублимации в данном методе в несколько раз меньше по высоте, чем высота всей загрузки порошка ЯС,в контейнере, Это составляет одно иэ преимуществ предлагаемого метода, поскольку позволяет увеличить объем загрузки шихты ЯС иувеличить время кристаллизации. Последнее в свою очередь позволяет увеличить размеры выращивеамых кристаллов, используя перемещение кристалла и контейнера с шихтой в противоположныхнаправлениях10 В исходном положении (фиг.2) послеподьема со скоростью 250 - 300 С ч до2100 С температуры в зоне роста и создания ваккума(1 - 5) 10 ммрт.ст,впечидлякристаллизации ЯС создается осевое рас 5 пределение...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...