Способ обработки монокристаллов ниобата лития

09 з 5683ным (48 ч) отжигом при высокойотемпературе1000 С), недопустимымв случае создания на поверхности кристалла или в его объеме каких-либо структур;исполЬзование инертной атмосферьц ограниченной толщиной фазовой голограммы,поскольку толщина диффузного слоя 50100 мкм. Уменьшение толщины голограммы ведет к пропорциональному уменьшению информативной емкости 13 У, ухудшению угловой и спектральной селективностиобъемной фазовой голограммы. Способ непозволяет создать реверсивную среду заданной формы внутри кристалла, обладающую симметричной эвписывающе-стираю- Ищей характеристикой,Цепь изобретения - создание реверсив=ной среды заданной формы внутри кристалла, обладаощей симметричной записываю-ще-стирающими характеристиками, ВЭто достигается облучением монокрис 1 Бталпов электронным пучком с дозой 1047 210 е/сми энергией электронов неболее 1-2 Мэв на 1 мм толщины и пе ме:нее 0,5 Иэв в обычной атм осфере прикомнатной температуре,Способ осуществляется следующим обри=зом,Иэ монокристаппов ниобата лития выре-,зают пластинки параллельно оптическойоси С кристалла, Пластинки полируют пооптическому классу чистоты.,Полученныеобразцы кристаллов далее обрабатываютпредлагаемым способом. Получают реверсивную среду заданной формы, обладающую фсимметричными эаписывающе-стирающимихарактеристиками,На фиг. 1 изображены записываюпястирающие характеристики чистого монокристалла Ь ИЬО, используемого в ка- фчестве реверсивйой среды до обработкиэлеггронным пучком.Монокристапл Ы ЙЬО з представляет собойпластинку Л-среза, обе поверхности которой оптически. отполированы,43 Записывающегостирающие характеристики исследовались следующим образом: излучение аргонового лазера, работающего на одной поперечноймоде, расщеплялосьна объектный, и опорный лучи одинаковой интенсивности, которые скрещивались вокристалле ЫИЬОз под углом 15 . Опти ческая осв кристалла БИЬО лежала в плоскости раопространения записывающих фф лучей и была перпендикулярна, их бисектору, Дифракционная эффективность фазолой голограммы, возникающей в кристал ле, измерялась с использованием излучения Не - йелаэера (633 нм).Кривая 1 изображает запись голограммы излучением аргонового лазера (дпинаволны 488 нм, плотность мощности21 Бт/см ), Кривая 2 изображает процессстирания голограммы излучением того желазераКривые, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8,9 и 10 изображают соответственно второй,третий, четвертый и пятый циклы записьстирание голограммы в одном и том жеместе кристалла.Как видно иэ фиг. 1, записывающестирающая характеристика не обладаетсимметрией. Воспроизводимость характеристики отсутствует,На фиг. 2 показана реверсивная характеристика шести последовательных цикловзапись (5 сек) - стирание (5 сек) в одном и том же месте кристалла; для исходного чистого кристалла - кривая 11 иобработанного пучком быстрых электронов-:кривая 12.Как видно по кривой 11, чистый кристалл ) г ИЬО не обладает реверсией;стирапе оказывается неполным, и .последующая запись накладывается на предыдущую. этот эффект накопления приводит к искажению всех последующих голограмм.Кривая 12 свидетельствует о хоропей реверсивной, характеристике и симметричных заппсывающе-стирающих характеристиках кристалла И ИЪО, обработанного предлагаемым способом: доза 510, е/см, энергия электронов 3,8 Мэв,16 3толщина образца 3 мм.В результате исследования реверсивной характеристики для 30 циклов в разных местах кристалла получена хорошаяповторяемость,Предлагаемый способ обработки кристалла ниобата лития позволяет обрабаты вать кристалл при комнатной температу ре и в атмосфере воздуха; использовать кристаллы, имеющие на поверхности или в объеме готовые структуры, например металлическую пленку толщиной 10 100 мкм на поверхности (это не препятствует объемной обработке кристалла электронным пучком); создавать внутри кристалла реверсивную среду для голографической записи с оптическим стиранием, имеющую любую заданную форму и обладающую симметричными записывающестирающими характеристиками.5 568309 б1 Е и яФ о р м у л а и з о б р е т е н и я тронным пучком с позой 10 -10 е/сми энергией не более 1-2 Мэв на 1 ммСпособ обработки монокристаллов нио- тощины и не менее 0,5 Мэв.бата лития цля созцания реверсивной сре- Источники информации, принятые во цы цля голографической записи с оптичес-внимание при экспертизе;ким стиранием путем созцания фотореф рЬ Ее 1 р А.О АРбсаС апа НоЕогарЬа ракционных центров облучением, о т л и - Ыоаде РгорегОеа о 1 ГайьЖоп МвМ 1 ч а ю щ и й с я тем, что, с целью соз- Зоред 1 ЙЪат п 1 оЬа 1 Е ЯС,Я.Яеч".1972, дания реверсивной срецы заданной формы ЗЗ, р. 94;внутри кристалла, обладающей симметрич- ф 2.Авод 61 .УЬМеЫбг 2,1.НоГогаными записывающе-стирающими характе- рМс ЯьсоЖп ю ,АЬ 1 оги п 1 оЬа 1 е. РС.А. ристиками, монокристаллы обпучают элек- Меч."1962, ЗЗ, И 1,р.71