Способ выращивания монокристаллов кремния, ориентированных в направлении 111
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 331608
Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов
Текст
1 ч 1 7 1 т" ЛфыФЩ9 тенй ЬЬ ОПИСАИ 8ИЗОБР ТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сеюз Сеаетсиик Сециапистичееиия Рес убпии(45) Дата опубликования описания 2308.78(5) М. Кл. В 01 ) 17/18 Государственный комитетСовета Министров СССРио делам изобретенийи открытий(54) СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОРИЕНТИРОВАННЫХ В НАПРАВЛЕНИИ 111 Формула изобретения Изобретение относится к металлургии полупроводников.Известны способы выращивания ориентированных в направлении (111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани затравок совпадают с кристаллографическнми плоскостями 1121 . Выход монокрнсталлов составляет 100. Способ выращивания монокристаллов кремнияориентированных в направлении 1111 из расплава на затравке в виде правильной призмы,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью исключения образования в начальный период выращивания двойников, используют затравку,имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями(112).
СмотретьЗаявка
1480460, 09.10.1970
БЛЕЦКАН Н. И, БЕРЕЗЕНКО Л. Е, ВЕСЕЛКОВА А. А, ВЕСЕЛИН Ю. Н, ДАНКОВСКИЙ Ю. В, ДОБРОХОТОВ Г. А
МПК / Метки
МПК: B01J 17/18
Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных
Опубликовано: 15.10.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-331608-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-kremniya-orientirovannykh-v-napravlenii-111.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов кремния, ориентированных в направлении 111</a>
Предыдущий патент: Способ выращивания монокристаллов кремния
Следующий патент: Устройство для регулирования толщины полосы при прокатке
Случайный патент: Секция присечной крепи