Засимчук
Способ контроля усталостной повреждаемости элементов конструкции
Номер патента: 1580218
Опубликовано: 23.07.1990
Авторы: Засимчук, Карускевич, Лебедев, Радченко, Тарасевич
МПК: G01N 3/32
Метки: конструкции, повреждаемости, усталостной, элементов
...КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Киевский игражданской ави(57) Изобретени азца-свидетеля из монокририентации которого в направормации элемента конструкетствует минимальной устарочности монокристалла. Обдетель выполняют в виде пластоянной толщины, которую клея прикрепляют к элемен1580218 струкции,2 тором Ымида Б в пределах 2-2,2, который определяют по Формуле1 сЬ = , В5 где Б, - Факторы Шмида возможных систем скольжения типа (110 )и 11111.Монокристалл алюминия получают из технически чистого алюминия способом критической деформации и последующего отжига. Образец-свидетель прикрепляют с помощью клея к исследуемому элементу конструкции из сплава Д 16 АТВ так, что направление наибольшей чувствительности образца к...
Способ изготовления спеченных изделий из вольфрама
Номер патента: 1068229
Опубликовано: 23.01.1984
Авторы: Бабак, Виторский, Гнучев, Графов, Засимчук, Моисеев, Ольшанский, Рабинович, Трощенко, Усков, Шеина
...извлекают из зажимного приспособления, разбирают и извлекаютпрессованный штапик, который затемспекают.Спекание проводят в печи для спекания вольфрамовых штапиков при2200 С, после чего спеченный материал охлаждают до 1700 ф С и подаютна прокатный стан,Прокатку производят на двухвалковых станах. Валки точно отшлифовывают так, чтобы зазор между ними повсей рабочей длине оставался постоянным. Температура нагрева валков.не превышает 300-350 О С.Температура нагрева материала кначалу процесса составляет 16501680 С, по окончании процесса снижается до 1400-1450 С.После прокатки пластины охлаждаютна воздухе до комнатной температуры,Охлажденные пластины помещают впечь для отжига, где они нагреваютсядо 1200 о С, выдерживаются в течениеодного часа...
Устройство для химической резки кристаллов
Номер патента: 889439
Опубликовано: 15.12.1981
Авторы: Балан, Евпрев, Засимчук, Козицын, Коробка, Овсиенко, Фомин
МПК: B28D 5/06
Метки: кристаллов, резки, химической
...струны 13, стола4 и кристаллодержателя 2 обеспечивается воэможностью поворота стола 4в подшипниковых узлах 16 и 17, установленных на станине 1.Возможны также н другие вариантыосуществления корректировки взаимного положения струны 13 и кристаллодержателя 2. В частности тот же эффект можно получить, если Узел 17с вертикальной осью закрепить накрнсталлодержателе 2,Таким образом, при условии высокой чистоты поверхности контактнойвертикальной плиты, поверхности направляющих гребенок, точности устаковки зазора в гребенках и правильности заполнения ванн травильнымраствором, достигается повышениечистоты поверхности реза, так какпреддагаемое устройство значительноуменьшает относительные смецениямонокристалла и струны в...
Устройство для химической резки кристаллов
Номер патента: 878753
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Балан, Евпрев, Засимчук, Козицын, Коробка, Овсиенко, Фомин
МПК: C04B 41/00
Метки: кристаллов, резки, химической
...роликами 24, имеющими на внешних цилиндрических поверхностях кольцевые капиллярпые канавки 25, прорезанные под углом к осп ролика 24.Валики 23 установлены в закрепленных на наружных поверхностях ванн 22 под. шипниках 26 под углом к горизонтальной плоскости, причем верхний торец подшип. никового узла расположен выше уровня травящего раствора в ваннах 22. На валиках 22 закреплены шкивы 27, сопряженные с прикрепленными к каретке 3 гибким тяговым элементом 28. Режущая струна 13 заводится в направляющие гребенки 20 и канавки 25 роликов 24, где она проходит на расстоянии 1 - 2 мм от наружной поверхности роликов 24, не касаясь стенок канавки 25.С помощью груза 15 задается усилие контакта режущей струны 13 и монокристалла. При этом сигнал от...
Способ получения слитков с направленной структурой
Номер патента: 632483
Опубликовано: 15.11.1978
Авторы: Алфинцев, Засимчук, Маслов, Овсиенко
МПК: B22D 27/04
Метки: направленной, слитков, структурой
...в 480 С - это предельное пере- охлаждение, достигаемое при охлаждении металлических расплавов.П р и м е р. Выплавляют цилиндри ческие образцы сплава РЬ -5% Я диаметром 10 мм и длиной 50-100 мм, Плавку проводят в тиглях из окиси алюминия под стеклянным флюсом в индукционной печи. Температуру измеряют термопарой ПР - . ЗЭ 30/6,Расплав перегревают перед охлаждеоцием до 1700 С.При достижении расплав ом в ходе охлаждения температуры на 210 С ниже температуры ликвидус производят резкое охлаждение нижней части тигля путем З соприкосновения ее с массивным холодным стальным стержнем и тем самым вызывают кристаллизацию расплава, Охлажденный до комнатной температуры слиток травят в структурно-чувствитель 39 ном реактиве (5%-иый раствор йода...
Устройство для химической резки монокристаллов
Номер патента: 605721
Опубликовано: 05.05.1978
Авторы: Завилинский, Засимчук, Поляченко
МПК: B28D 5/06
Метки: монокристаллов, резки, химической
...включает станицу, лтеханиэм подачп крттстапподержатепя 1 со следящимэлектроприбором, состоящий иэ стопа 2,штока 3, редуктора 4 и электродвигателяподачи 5. На станине расположены каретка6, иесутцая коромыспо 7 весовой системы т 5ц эпектродвигатепь 8, осуществляющий возвратно-поотупатепьцое перемещецие каретки,кривошипнс-шатунного механизма 9 и реечного дифференциала 10, На одцолл плече коромысла эакреппена режущая струна 11, а 20другое его плечо связано с датчиком перемещений 12, На коромысле имеется противовес 13, служащий дпя балансировки весовой системы, и груз 14 задания усилия нажатий режущей струны на моцокристалл. Нарежуцтие струны надеты втулки 15, соединенные эластичными трубками 16 с резервуарол. 17 рабочего...