Способ определения политипных модификаций монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 595665
Авторы: Фомин, Шашков, Шумский, Щеголькова
Текст
.Кл. 23,207 присоединеш,ем заявки Ло ГОСз(ДаРСТВЕННОй КОМИТЕ 1Совета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий 23) Приоритс. Щеголькова осударственн тельскии и про(7 Ордена Октясрьской револвцитный институт редкометалличес научно-исследоваз промышленности ЕЯ 1 ЗИ ЕЛ 1(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛИТИПНЪХ МОДИМОНОКРИСЧ АЛ,ЛОВ тш:1 лц иной пол:тип:1 ой мол фика сал,1 а 1,:ложноезатратыЦель 1 ВЛЯО ГСЯ ба,зьип 1 с таткам:1 ь, трудо врем ци изобрет экспрес извест:ого м.толаемкость и ловольц чтооь ОНИ 1 СОСТОИТ В ТОМ, сность способа, пель достцгастся тсз швысить 11 остач злснна ение ( О гд Ре Г:1 ст 1 з ц Р 5 отр Изоозссвис Относитс 51 к Оол асти 1 зентГО- нсструктурного анализа и может быть использовано для раз 5 раковки кристаллов по политипным модификациям в проц ссс их выращивания.В настоягц с время прц производственном и лабораторном изготовлении монокристаллов, которым прису 1 цс явление полцтццизма, существенным является вопрос о получеши необходимой политипной модификации, так как современный уровень технологии нс обеспечивает полного соответствия необходимого и получаемого признака (политипно 11 молифцкацц:), Известен способ разораковки монокзнсталлов по полцтипным модиф;1 кациям, который основан на получении рентгенограмм вращения или качания при съемке на просвет с фоторегистрацией 11. 11 аиболсе олцзким к изобретению техничским решением является дифрактометрический метод определеш 1 я политипных модификаций, который основан на съемке кристалла в монохроматцческом излучении с длиной волны л и записи некоторого углового интервала между двумя (тремя) сильными структурными отражениями типа (ООО и регистрации слабых сврхструктурных отражений, подсчет количества которых дает однозначное решение вопроса о принадлежности монокриЛномер политцпной модцфцкациц, и измеряот интенсивность этого отраже 1 шя, на длине волны г. и интегральную интенсивность, 1;:апримср с помощью амплитудного д:1 фференциального дцскрцзгинатора, и по разлц- чц 1 О в измеренных иптенс:1 вцостях сулят о типе модификацци.Способ реализуют следующим образом.2 о При используемых напряжениях 30 - 40 кв,крохе отражении, вызваш 1 ых характеристическим .1 злучсцем с длиной волныпоявл 5 Отея также отражения. вызваннь 1 с Г Орой Га 1 змо и 1 ой белого излз 1 еци 51 с;1,инон вО(1 ны25;альных 1 Б) полцтцпов он налагаются и рефлексы, вызва;шые ха 1 зактер:1 стичсским и;- 30 лучеШсм, а Лля ромбоэЛрических (й) поли1 о ии(ис) ТИПО 3 - ЯЛТ ЛОПОЛ; ГС(1 ЫС ОТО 2)К(1:5,1,ристяллстяис 2 ГИВ 2 от 1 с 1",ГО Льфс БО,Г 2 :Л 51 отогиси к66 о ---- :.5 нс 11:юг и.сис.(В)ос: 0 1)сск1 и 5 л: 5,1:еи:5ИИ Л 3)." ИЛГС 5 СИ ПИКс СР 0,1" 1 с;1 Ит;ПО..", Иф 1)с кто.)1 стрс, 1,) )11 1,5,1 згусс:1;с - (:и сс )и)илромтлр 11 с)к.)П)1;)с 1 ллть Рс ГГГС;Оно ОЙ Г 1 Оки 3 и 5)синс 8 к, т(к) )3. Режи) р;1( ") (.ИСТС.1 Ь Р. СТ )31.1: Ия,)55 с ИСи( с сггис - 660 и, ОЗффиписи )сир); И 51 -- 1,)О 1( 0.) О, ( О, 2н с) и с;1 ЬсЫ Й и Л 1) Л Г,и С -ри)шяци: -- 0,4, шир ня окя10 13 иИ ИТСГР сЛИн 3) . ЩСЛИ Ия Г 01 П 10)СТ РС: 10,25 ).)1; 2 - - 0,6 ММ, 3 2,1)сУГОЛ уЛЬфя-Брзггя Ы.1 .1) с 3 л ь,1 1 ы и 3 ) и;) еи 15 и н т с 10 и Б:,) ст и и лКя Ы 13 с)10 Т, 1 Л Г 1 И ПОЛИТ.ИЛЙ )10;И(1)КЯЦн1) Г(; )с с с 51 р с:3 1. л сВ с л и ч с ни с и:т(.с: и 5 : л с т:
СмотретьЗаявка
2382953, 12.07.1976
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНЫЙ ИНСТИТУТ РЕДКОМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
ФОМИН ВЛАДИМИР ГЕОРГИЕВИЧ, ШУМСКИЙ МАРК ГРИГОРЬЕВИЧ, ШАШКОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ЩЕГОЛЬКОВА ЛЮДВИГА АНДРЕВЕВНА
МПК / Метки
МПК: G01N 23/207
Метки: модификаций, монокристаллов, политипных
Опубликовано: 28.02.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-595665-sposob-opredeleniya-politipnykh-modifikacijj-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения политипных модификаций монокристаллов</a>
О. б б.и. осипов, и. x. пахтер, а.и. реполовский и г. д. центральный научно-исследовательский автомобил и автомоторный институт, ж. д знеертмзини§ п т б цейттгг
Номер патента: 277567
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Баранов, Давыдов, Дмитриев
МПК: B62D 53/08
Метки: а.и, автомобиль, автомоторный, б.и, знеертмзини§, институт, научно-исследовательский, осипов, пахтер, реполовский, цейттгг, центральный
...также выполнен в виде закрепленного на выдвижной части стойки упора 15 н установленной на раме полуприцепа на осп 15 шарнирной серьги 17. нижняя часть 4 подкоса жестко соединена с осью 18, установленной в кронштейне стойки и связанной посредством шпонки 19 с кулачком 20, имеющим выступы 21 и 22 Е 1 а нижнем конце выдвижной части стойки выполнены выступ 23 и впадина 24.При вращении рукоятки 2 происходит выдвижение телескопической стойки с помощью механизма привода известной конструкции. Одновременно с этим наклонная поверхность 11 кронштейна 10 отходит от наклонного выступа 12 кронштейна 13 рамы, и телескопические стойки опускаются под собственным весом и в результате контакта впадины 21 выдвижной части 8 стойки с выступом 22 кулачка 20....
Л. м. постное, г.и. бесценный, яф. шабашов, л. н. сергеев и а.и. суворов
Номер патента: 248224
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Гутов
МПК: C22B 15/14, C22B 9/04
Метки: а.и, бесценный, г.и, постное, сергеев, суворов, шабашов, яф
...водорода в по указанному спо (2 - 3)10 - %, кислород сумма остальных приме 510 - з%. Скорость проце увеличивается в 3 - 5 раз. ает воз. парного в верти- процесс вленной ставляет О - %, а евышает рованпя редмет изобретен и 15 Способ ри выдержко что, с цель нагревают 10-1 лм рт 20 давлении 10 меди расплавлением отличающийся тем,ции процесса, медь 0 С при давлении выдерживают при-3 лм рт. Ст. Известен способ рафинирования меди в вакууме, предусматривающий перегрев жидкого металла выше 1400 С при давлении 0,3 - 5 лм рт. ст.Отличие предложенного способа заключается в том, что медь нагревают до 1400 - 1450 С при давлении 10 1 мм рт. ст а затем выдерживают при давлении 10- мл рт. ст,Это позволяет интенсифицировать процесс.Сущность способа...
М.и. закгейм и л1.и. нейштадт6-ь;:
Номер патента: 285977
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G11C 19/28
Метки: закгейм, л1.и, м.и, нейштадт6-ь
...1 и,при сдвиге, так ц блокировка воздействий переключающихся триггеров на базовые депи транзистаров.5 (Рормврование сигнала сд 1 зита осуществляется с помощью ключевых схесч 1 на чергеже не показаны), форм 1 ирующпх отрицательный фронт и подключенных ко входам 33, Л.Передача сигнала сдвига про 11 сход 11 т в р О зультатс того, что потенциальные входы каждой из вОсьми их 1 пульсно 1 потенциалыных схем совпадения подсоединяются к соответству 1 ощчтм выходам предыдущего триггсра. С цель 1 о ооеспечения исправной работы схемы при ко ротком замыкании Одного из закрытьх транзисторов триггера, информация с которого должна псредаваться, потен 1 виальн 1)1 с,вход 11 11 мпульсно-потенциальных схем соединены такич Образом, чтобы...
Э.и. евко. а. п. захаров, р.и. наздзгдвд-и 3. г. ленделеева институт физической химии ан ссср
Номер патента: 289147
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Голованов, Кириллов, Луки, Петров, Чужко
МПК: C23C 16/08
Метки: евко, захаров, институт, ленделеева, наздзгдвд-и, р.и, ссср, физической, химии, э.и
...предварительно очи. щают от окислов путем их восстдиовлсиия в потоке чистого водорода, скорость которого 15 с,цсек, при температуре 800 в 12 С 1 течение 30 дган. Лля полсипя моиокристдллически.( покрытий исобходимо предотвратить гомогенное протекдиис реакции. Это достигается поддержанием определенного соотиошеиия между водородом и гсксдфторидом водьфрама, а имсгшо 3 - 6. 11 ачдльиос парцидльиос давлсиие гсксафторида вольфрама поддери(ивдкг 1 0,03 ат,ц, д водорода 0,09, Сииж 1 ют парилы 10 с Д 2 влсиис либО разбаВлеиием редкциоииой смеси инертным газом - аргоиом, гелием, либо разрежением. Скорость потока компонентов от 15 до 100 с,ц,.сек, время пребывдиия в реакционной камере 0,1 - -1 сск. Гсксдфторид вольфрама предвари.тельно...
Логический элемент или-иили-не-и
Номер патента: 813785
Опубликовано: 15.03.1981
Автор: Кушнер
МПК: H03K 19/00
Метки: или-иили-не-и, логический, элемент
...137 ВЬ Формула изобретения аказ 83 б/80 Тираж 988 Подписное илиал ППП "Патент",г,ужгород,ул.Проектная,.4 Б исходном состоянии на входыэлемента подаются сигналы "О" ,нысокий уро,вень напряжения), В этомслучае все эмиттерно-базовые переходы МЭТ 1 открыты, и сигнал "О",уменьшенный вследствие потерь наМЭТ, передается на вход переключателя тока, транзистор 2,которого открыт, а транзистор 3 закрыт, Сигнал"1" с коллектора транзистора 2 передается на выход через МЗТ 9. Приэтом на резисторе 12 от тока, протекающего от общей шины через резистор 11, создается падение напряжения,соответствуюцее потерям сигнала наМЗТ 1 входного логического элемента ИЛИ и на МЭТ 9 выходного эмиттерного повторителя, пои этом на эмиттерах МЭТ 9 формируется...
Предыдущий патент: Способ идентификации оси наибольшей скорости при измерении параметров двулучепреломления
Следующий патент: Устройство для исследования фазового равновесия
Случайный патент: Сырьевая смесь для получения сульфоалюмоферритного клинкера