Способ выращивания монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 528837
Авторы: Киргинцев, Маловицкий, Соловьев
Текст
О И Е ИЗОБРЕТЕ Ы ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51 Кл. 1 а 17/О нием заявкирисо Го С дарственныи комитет,а Министров СССРелам,нзооретенийи открытий Приоритет(45) Дата опубликования описания 0 О 978. Н. Киргинцев, Б. А, Соловьев и Ю. Н. Маловицки нститут неорганической химии Сибирского отделения АН С и Новосибирский оловянный комбинат) СПОСОБ ВЫРА НИЯ МОНОКРИСТАЛ к способахможет бь лупроводци тра рос чет вр 00 об/м ращеци ана посо а, ил моно конце трсо шлифа атого квар2, располож Изобретение относится 1 выращивания монокристалловть использовано в технологии по ковых материалов.Известен способ выращивания монокристаллов, например полупроводников, направленной кристаллизацией расплава в трубчатом контейнере, установленном под углом к горизонту, с частичным заполнением полости контейнера расплавом исходного материала и вращением контейнера вокруг продольной оси со скоростью 300 в 4 об/минМ Однако вследствие слабого перемешивания вращающегося относительно контейнера и завки расплава в известном способе скоть кристаллизации низка.Цель изобретения - увеличение скорос-ти кристаллизации.,Осуществляется это за с ашения расплава со скоростью 100 - 2 ин противоположно направлению в я контейнера.На чертеже д схема устройств люстрируюшая с б выращивания кристаллов.В одном убч ц о контейнера 1 ми го под углом к горизонту в зазоре статорцых полюсов 3 с примыкающим к цим нагревателем 4 и надетыми обмоткамц 5, укрепляют затравку 6, имеющую диаметр, близкий к диаметру контейнера. В другом конце ук репляют стержневую загрузку 7 исходногоматериала. Через канал 8 в пустотелом керце 9 прц открьтом вакуумном кране 10 в контейнер подают аргон. На стыке затравки и загрузки включением трубчатого нагревателя сопротивления образуют зону расо плава с температурой 1000 в 1200 С.После подачи воды в обмотки статора,выполненные из восьми витков медной трубки диаметром 6 мм, цх включают через понижающий трансформатор в электрическую сеть и устанавливают ток 300 А. Расплав начинает вращаться относительно контейнера со скоростью 200 об/мин в определенную сторону. Затем сообщают контейнеру вращение в противоположную сторону со скоростью 400 об/мин и перемещение со скоростью о 10 - 20 см/ч, Так как внутренняя поверхностьконтейнера подвергается предварительной пескоструйной обработке или покрывается несмачиваемым расплавом материалом, то монокристаллы растут вне контакта со стен, ,528837 Формула изобретения Составитель Ю.Маловицкийлодцева Техред О. Луговая Корректор Л. НебТираж 964 ПодписноеГосударственного комитета Совета Министров СССРпо делам изОбретений и открыл ий3035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5л ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор Т. К Заказ 5842/50БНИИПИ 1 Филиками контейнера. Данным способом были получены монокристаллы германия диаметром 10 - 11 мм и длиной 60 - 90 мм.В результате осуществления предложенного способа производительность процесса увеличивается в 1,5 - 2 раза. Способ выращивания монокристаллов, например полупроводников, направленной кристаллизацией расплава в трубчатом контейиере, установленном под углом к горизонту, с частичным заполнением полости контейнера расплавом исходного материала и вращением контейнера вокруг продольной оси 5 со скоростью 300 - 400 об/мин, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости кристаллизации, вращают расплав со скоростью 100 - 200 об/мин противоположно направлению вращения контейнера.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР
СмотретьЗаявка
2029659, 03.06.1974
ИНСТИТУТ НЕОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ СО АН СССР, НОВОСИБИРСКИЙ ОЛОВЯННЫЙ КОМБИНАТ
КИРГИНЦЕВ А. Н, СОЛОВЬЕВ Б. А, МАЛОВИЦКИЙ Ю. Н
МПК / Метки
МПК: B01J 17/06
Метки: выращивания, монокристаллов
Опубликовано: 15.10.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-528837-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов</a>
Предыдущий патент: Способ гидрометаллургической переработки селенсодержащих продуктов
Следующий патент: Соли бензо ( )-2, 4-дифенил-5, 6-лигидротиахромилия, проявляющие активность против стафилококков и грибов рода кандида
Случайный патент: Реле времени